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国家自然科学基金(10275076)

作品数：6 被引量：18H指数：4
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文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 8篇理学

主题

  • 3篇正电子
  • 3篇硫化
  • 3篇FES
  • 2篇电池
  • 2篇太阳电池
  • 2篇热硫化
  • 2篇硫化法
  • 2篇慢正电子束
  • 1篇电沉积
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇多孔金属
  • 1篇阳极氧化铝
  • 1篇阳极氧化铝模...
  • 1篇氧化铝模板
  • 1篇正电子湮灭
  • 1篇湮灭
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇金属

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇王宝义
  • 6篇魏龙
  • 4篇张仁刚
  • 4篇张辉
  • 3篇万冬云
  • 2篇马创新
  • 2篇郝小鹏
  • 1篇于润升
  • 1篇周春兰
  • 1篇杨高强

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇核技术
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇Nuclea...
  • 1篇第一届中国核...

年份

  • 1篇2007
  • 3篇2006
  • 2篇2005
  • 2篇2004
共 6 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
ZnO退火条件对硫化法制备的ZnS薄膜特性的影响被引量：5
2005年
采用反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜 ,然后经过不同条件退火和在H2 S气氛中硫化最终得到ZnS薄膜 .用x射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜和UV—VIS分光光度计对ZnS薄膜样品进行了分析 .结果表明 ,ZnO薄膜硫化后的晶体结构和光学性质取决于它的退火条件 .真空和纯O2 中退火的ZnO薄膜硫化后只是部分形成六角晶系结构的ZnS .而在空气和纯N2 中退火的ZnO薄膜则全部转变为ZnS ,在可见光范围内的光透过率可达约 80 % ,禁带宽度分别为 3 6 6和 3 6 1eV .ZnO薄膜的富氧、贫氧和近化学计量比状态是导致其硫化后性质差异的主要原因 .
王宝义张仁刚张辉万冬云魏龙
关键词：太阳电池
北京慢正电子束流研究平台
正电子谱学是研究材料微观结构和电子结构的核分析方法,特别是慢正电子束流技术的发展,正电子湮没技术成为现代科学和高新技术发展中应用非常广泛的研究手段之一。正电子谱学的特点是对于晶体中的点缺陷(如位错、空位、空位团、微空洞、...
王宝义
文献传递
微波等离子体增强化学气相沉积生长SiOx薄膜发光性能研究
研究了采用微波等离子体增强化学气相沉积技术生长的不同气体流量比R（R=O2／SiH4）的SiOx 薄膜及其真空退火处理后的发光性能。结果表明,当R在0．6＜R＜1．3范围内均出现了350～600 nm宽的发光带,当R=0...
郝小鹏王宝义马创新魏龙
关键词：ECR-CVDSIOXPL
文献传递
FeS_2纳米线的制备及硫化参数对其的影响被引量：4
2005年
采用阳极氧化铝模板(AAO)技术与硫化工艺结合制备了FeS2纳米线阵列.硫化后得到的FeS2纳米线保持了硫化前Fe纳米线的有序阵列.在硫化过程中,FeS2结晶温度较高, 并且结晶完毕后,硫化时间对其影响较小.对样品进行表面分析表明,硫元素在表面除以FeS2 存在外,仍有一部分以多聚体或单质形式吸附在纳米线上.
张辉杨高强张仁刚王宝义魏龙
关键词：阳极氧化铝模板电沉积热硫化
掺杂对FeS_2薄膜光电性能的影响被引量：4
2006年
采用磁控溅射淀积合金膜和纯铁膜,通过离子注入掺杂,研究了不同条件下FeS2薄膜的晶体结构,光吸收系数、电阻率、载流子浓度等光电性能,并用正电子湮灭谱研究了膜内的空位缺陷。结果表明,掺杂提高了薄膜的导电性能。离子注入使薄膜光吸收系数增加,禁带宽度上升,霍尔迁移率提高;合金溅射导致光吸收系数降低,禁带宽度下降,载流子浓度升高。注入Zn2+退火前空位浓度较大,退火后空位浓度低于纯FeS2膜。
张辉张仁刚万冬云王宝义魏龙
关键词：太阳电池FES2薄膜掺杂光电性能
A positron moderator using porous metal
2004年
Two types of porous metal moderators (i.e. porous nickel layer and multi-wire tungsten layer) are proposed and tested on a slow positron beam line. A moderation efficiency of about 2×10-4 has been achieved, which is higher than that for W vane geometry moderator by a factor of 4.
WANGBao-YiYURun-ShengZHAOFa-RuMAChuang-XinZHANGTian-BaoWEILong
关键词：多孔金属慢正电子束高能物理学
硫化法制备FeS_2薄膜晶体结构和表面特性的研究
2004年
采用磁控溅射方法在Si(100)衬底上淀积纯铁薄膜,在不同温度下(200—400℃)硫化10h得到FeS_2薄膜,并对其进行晶体结构和表面成分分析。X射线光电子能谱(XPS)研究表明:低温硫化时易生成硫单质相,随温度的升高,S单质相部分参加反应变为FeS_2相,FeS_2的S_2p峰出现在低能位置,而遗留的单质S的S2p束缚能位置不变。卢瑟福背散射(RBS)测得400℃时薄膜中元素Fe/S接近FeS_2的理想化学计量比。
张辉王宝义张仁刚万冬云马创新周春兰魏龙
关键词：磁控溅射热硫化二硫化铁X射线光电子能谱
锆离子注入锆-4合金缺陷的慢正电子研究被引量：5
2007年
采用慢正电子束多普勒展宽谱研究了Zr离子注入Zr-4合金产生的缺陷及其退火回复行为,发现经过大于离子注入剂量为1×1016cm-2的样品所产生的缺陷在注入过程中已经回复,而对剂量为1×1015cm-2样品做300℃退火处理,其缺陷基本回复,得出合金缺陷回复能较低的结论.考虑到材料的缺陷含量越高,其抗腐蚀性能越差,在辐照环境下通过给材料保持一定温度,即可使其缺陷得到较好回复,从而提高材料的抗腐蚀性能.
郝小鹏王宝义于润升魏龙
关键词：慢正电子束
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