电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金(CXJJ200905)
- 作品数：9 被引量：28H指数：2
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- 基于CF_4/Ar高密度感应耦合等离子体的BZN薄膜的刻蚀工艺研究被引量：1
- 2012年
- 使用CF4/Ar高密度感应耦合等离子体(ICP)对磁控溅射法制得的铌酸锌铋(BZN)薄膜进行了干法刻蚀工艺研究。分析了BZN薄膜的刻蚀速率随工艺气体流量比、总流量和工作压强的改变而出现极大值的原因,展示了BZN薄膜的刻蚀速率随ICP功率的增大而线性增加的趋势。研究结果表明,使用CF4/Ar感应耦合等离子体对BZN薄膜进行刻蚀的机理为物理辅助的化学反应刻蚀。BZN薄膜的最佳刻蚀工艺参数为CF4/Ar流量比3/2、总流量25sccm、工作压强1.33Pa、ICP功率800W,使用此参数对BZN薄膜进行刻蚀,最大刻蚀速率为26nm/min,刻蚀后薄膜边缘齐整、表面光滑、形状完整。
- 王刚李威李平李祖雄范雪姜晶
- 关键词：感应耦合等离子体干法刻蚀刻蚀速率表面形貌
- OTP存储器位线负载对读出速度的影响被引量：1
- 2015年
- 在OTP存储器设计中,随着存储器容量的不断加大,位线负载也相应变大,可能导致读机制失效。为了防止发生读机制失效,需增加灵敏放大器充电时间,但是延长充电时间会影响读取速度。在分析OTP存储器灵敏放大器工作原理的基础上,重点研究了位线负载对读出速度的影响。通过仿真,优化了OTP存储器的读出电路参数。
- 吴欣昱张金旻罗玉香
- 关键词：灵敏放大器
- 一款半定制可编程逻辑核的设计与验证被引量：2
- 2010年
- 介绍了一款可编程逻辑核的设计及验证过程,着重阐述了可编程逻辑核电路设计及CAD设计技术。该可编程逻辑核采用半定制方法设计,在CSMC 0.5μm CMOS工艺上进行了流片,开发了相应的CAD工具以支持该可编程逻辑核的验证。硬件测试结果表明,该可编程逻辑核实现了预期的逻辑电路功能,达到了设计目的。
- 谢小东李平范雪李文昌李威
- 关键词：现场可编程门阵列
- 抗辐射双极n-p-n晶体管的研究被引量：5
- 2011年
- 根据发射极周长与面积比(P/A)最小的原则,优化设计了双极n-p-n晶体管的尺寸参数,采用20V双极型工艺设计制造了三种抗辐射加固的n-p-n晶体管.测试表明,在总剂量为1kGy的辐照条件下,所制备的发射结加固型n-p-n晶体管和含有重掺杂基区环的n-p-n晶体管,辐照后的电流增益比常规结构的n-p-n晶体管高10%—15%;而两种加固措施都有的n-p-n晶体管,辐照后的电流增益比常规结构的n-p-n晶体管高15%—20%.
- 翟亚红李平张国俊罗玉香范雪胡滨李俊宏张健束平
- 关键词：电流增益抗辐射
- 一种高速只读存储器拓扑结构的设计
- 2012年
- 随着只读存储器密度越来越大,对读取速度的要求越来越高,位线大电容逐渐成为影响只读存储器读取速度的关键问题。设计了一种存储器拓扑结构,这种结构通过改变存储单元读取点的位置,能有效避免位线大电容充放电对读取速度的不利影响,极大地缩短了读取周期,提高了只读存储器的读取速度。该拓扑结构的优势在TSMC 0.13μm工艺仿真库里得到验证。
- 陈奕含罗前陈志钧罗小勇李平
- 关键词：只读存储器拓扑结构
- 支持双向布线结构的一种半定制PLC设计方法
- 2011年
- 提出一种新的可编程逻辑核设计方法。该方法采用结构化的方式进行电路硬件描述,采取模块复用的方法减少代码编写工作量,通过半定制的后端流程得到可编程逻辑核版图。与传统的"软核"设计方法相比,新方法避开了综合步骤,解决了"组合逻辑环"的问题,可以实现主流的双向结构的可编程逻辑核,且版图面积减少了50%左右。用所提出的方法设计的可编程逻辑核实现了预期的组合及时序逻辑电路功能,验证了该方法的可行性。
- 谢小东李平范雪李文昌李威
- 关键词：设计方法现场可编程门阵列硬核软核
- 反熔丝的研究与应用被引量：18
- 2011年
- 综述了ONO(氧化物-氮化物-氧化物)反熔丝、非晶硅(a-Si)反熔丝和栅氧化层反熔丝的制作工艺、性能参数及其优缺点,介绍了反熔丝器件包括反熔丝可编程只读存储器(PROM)和反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)在器件应用、存储容量、可用门数、工作电压和抗辐射性能等方面的研究进展,指出了反熔丝以及反熔丝器件的4个主要发展趋势,即工艺兼容、高密度、有机/柔性和新材料。
- 王刚李平李威张国俊谢小东姜晶
- 关键词：反熔丝非晶硅栅氧化层
- 一种OTP存储器高速读出机制的设计被引量：1
- 2012年
- 本文设计了一种用于OTP存储器的高速读出机制.该读出机制由内部电路产生读控制时序,采用地址变化探测电路、脉冲宽度调整及控制信号产生电路、采样与锁存电路来实现读取操作.其具有电路结构简单,读出速度快,读出准确,抗噪声、抗干扰能力强,功耗低的特点.仿真结果表明整个读取周期仅为24ns,数据口的读出信号稳定准确,不会产生读取误操作.
- 袁蕊林陈奕含罗前李曼李平
- 关键词：OTP存储器
- 一种低压开关电荷泵的设计
- 2011年
- 设计了一款应用于亚微米工艺的传输只读存储器的编程高压的单阈值开关电荷泵。随着亚微米和深亚微米工艺的应用,N+/PWELL结反向击穿电压和栅氧击穿电压都明显降低,用于只读存储器传送编程电压的两阈值开关电荷泵应用存在着极大的风险。单阈值开关电荷泵能实现内部高压结点只高于编程一个阈值电压,使开关电荷泵在传送高压时能安全工作。电路在TSMC0.35μm工艺得到仿真验证。
- 罗前黄晨袁蕊林刘维
- 关键词：电荷泵只读存储器
