国家部委预研基金(51302060203)
- 作品数：3 被引量：17H指数：2
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- 基片材料与沉积参数对薄膜应力的影响被引量：13
- 2010年
- 采用哈特曼-夏克传感器的薄膜应力在线测量仪测量了利用离子辅助电子束蒸发的Si O2,Ti O2,Ta2O5,Al2O3与ITO薄膜在不同厚度时的应力值,并深入研究了基片材料与沉积参数对Si O2,Ti O2薄膜应力的影响。研究结果表明,在成膜的初始阶段,薄膜应力与薄膜厚度基本上呈线性函数,当达到一定厚度时薄膜应力基本趋于一个定值;薄膜与基片的热失配将引起薄膜热应力,通过选择合适的基片材料可以使其降低;对Ti O2薄膜而言,当基片温度低于150℃时,热应力起主要作用,当基片温度高于150℃时,薄膜致密引起的压应力占主导地位,但Si O2薄膜其热应力始终占主导地位;当真空室压强低于1.7×10-2Pa时,Si O2薄膜的张应力主要是由离子辅助溅射效应而引起,当真空室压强高于1.7×10-2Pa时,Si O2薄膜的张应力随着压强的增大而增大,但折射率减小。
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- 关键词：薄膜光学薄膜应力离子辅助沉积
- SiO_2和TiO_2缓冲层对柔性ITO薄膜弯曲特性的影响被引量：2
- 2009年
- 讨论了柔性ITO薄膜在弯曲时导电能力失效的机理及影响因素.考察了SiO2和TiO2作为无机缓冲层的加入对于柔性ITO薄膜弯曲特性的影响.实验结果及分析表明,材料间的失配系数,结合力以及薄膜缺陷是影响ITO薄膜弯曲特性的主要因素.SiO2或TiO2无机缓冲层的加入降低了ITO薄膜抗内弯折临界半径;TiO2缓冲层能够明显增加ITO薄膜的耐弯折次数.
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- 关键词：缓冲层
- 无机缓冲层对柔性In_2O_3:SnO_2薄膜光电及耐弯曲性能影响的研究被引量：3
- 2010年
- 在室温条件下采用离子辅助沉积技术在柔性衬底上依次制备无机缓冲层及In_2O_3:SnO_2(ITO)薄膜,重点研究了不同无机缓冲层对柔性ITO薄膜光电及耐弯曲性能的影响。研究发现SiO_2,TiO_2,Ta_2O_5和Al_2O_3无机缓冲层对ITO薄膜的方阻、光学透射比、耐弯曲性能等机电特性影响各异:添加SiO_2缓冲层的ITO薄膜其方阻变化率最大,方阻降低率达29.8%,而添加Al_2O_3缓冲层的ITO薄膜其方阻变化率最小,方阻降低率仅为5.6%;添加Ta_2O_5缓冲层的ITO薄膜其可见光透射比最佳,平均透射比达85%以上,而添加SiO_2缓冲层的ITO薄膜其可见光透射比最差,但其平均透射比也高于80%;SiO_2在耐弯曲半径上对ITO薄膜的改善效果比TiO_2更佳,而当ITO薄膜以弯曲半径R=0.8 cm和R=1.2 cm发生内弯时,SiO_2对ITO薄膜耐弯曲次数性能的改善效果不及TiO_2。
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- 关键词：离子辅助沉积光电特性
