江苏省“六大人才高峰”高层次人才项目(DZXX-053)
- 作品数：16 被引量：11H指数：2
- 相关作者：顾晓峰闫大为赵青云朱兆旻王睿更多>>
- 相关机构：教育部江南大学西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：江苏省“六大人才高峰”高层次人才项目中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 双栅掺杂隔离肖特基MOSFET的解析模型被引量：1
- 2014年
- 通过考虑肖特基势垒降低效应求解三段连续的二维泊松方程,建立了双栅掺杂隔离肖特基MOSFET亚阈值区全沟道连续的电势模型。在该电势模型的基础上,推导了阈值电压模型和漏致势垒降低效应的表达式;研究了掺杂隔离区域不同掺杂浓度下的沟道电势分布,分析了沟道长度和厚度对短沟道效应的影响。结果表明,掺杂隔离区域能改善肖特基MOSFET的电学特性;对于短沟道双栅掺杂隔离肖特基MOSFET,适当减小沟道宽度能有效抑制短沟道效应。
- 王睿赵青云朱兆旻顾晓峰
- 关键词：短沟道效应
- 原子层沉积Al2O3／n-GaN MOS结构的电容特性：
- 2013年
- 利用原子层沉积技术制备了具有圆形透明电极的Ni/Au/Al2O3/n-GaN金属-氧化物-半导体结构,研究了紫外光照对样品电容特性及深能级界面态的影响,分析了非理想样品积累区电容随偏压增加而下降的物理起源.在无光照情形下,由于极长的电子发射时间与极慢的少数载流子热产生速率,样品的室温电容-电压扫描曲线表现出典型的深耗尽行为,且准费米能级之上占据深能级界面态的电子状态保持不变.当器件受紫外光照射时,半导体耗尽层内的光生空穴将复合准费米能级之上的深能级界面态电子,同时还将与氧化层内部的深能级施主态反应.非理想样品积累区电容的下降可归因于绝缘层漏电导的急剧增大,其诱发机理可能是与氧化层内的缺陷态及界面质量有关的"charge-to-breakdown"过程.
- 闫大为李丽莎焦晋平黄红娟任舰顾晓峰
- 关键词：原子层沉积电容特性
- 天线状ZnO纳米结构的光致发光特性及其生长机理
- 2014年
- 利用简单的碳热蒸发法在Si(100)衬底上成功制备了天线状的氧化锌纳米材料,并利用X光衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对样品进行了结构表征和光致发光特性研究。实验结果表明:制备的单晶氧化锌材料具有纤锌矿结构,并且沿着[0001]方向择优生长;每个纳米结构有4个针足,每个针足的顶部直径约为5-50nm;室温光致发光谱中包含1个386nm附近的较强的近紫外发光峰和1个523nm附近的较弱的绿色发光峰,分别由自由激子复合和深能级发射引起。同时讨论了天线状的氧化锌纳米材料在高温低氧条件下的生长机理。
- 蔡小龙王福学闫大为顾晓峰
- 关键词：氧化锌光致发光
- AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管漏电流退化机理研究被引量：2
- 2013年
- 本文首先制备了与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构与特性等效的AlGaN/GaN异质结肖特基二极管,采用步进应力测试比较了不同栅压下器件漏电流的变化情况,然后基于电流-电压和电容-电压测试验证了退化前后漏电流的传输机理,并使用失效分析技术光发射显微镜(EMMI)观测器件表面的光发射,研究了漏电流的时间依赖退化机理.实验结果表明:在栅压高于某临界值后,器件漏电流随时间开始增加,同时伴有较大的噪声.将极化电场引入电流与电场的依赖关系后,器件退化前后的log(IFP/E)与√E都遵循良好的线性关系,表明漏电流均由电子Frenkel-Poole(FP)发射主导.退化后log(IFP/E)与√E曲线斜率的减小,以及利用EMMI在栅边缘直接观察到了与缺陷存在对应关系的"热点",证明了漏电流退化的机理是:高电场在AlGaN层中诱发了新的缺陷,而缺陷密度的增加导致了FP发射电流IFP的增加.
- 任舰闫大为顾晓峰
- 关键词：ALGANGAN高电子迁移率晶体管漏电流
- 晶格匹配InAlN/GaN异质结Ti/Al/Ni/Au欧姆接触的温度依赖特性
- 2016年
- 在硅衬底晶格匹配In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结外延片上制备了Ti/Al/Ni/Au欧姆接触传输线模型测试结构,通过测试变温电流-电压特性研究方块电阻(R_(sh))和比接触电阻率(ρ_(sc))的温度依赖特性.结果表明:(1)沟道层的R_(sh)对温度呈指数依赖关系,幂指数约-2.61,主要由高温下半导体的晶格散射机制决定;(2)300~523 K的变温范围内,ρ_(sc)随温度上升呈先增大后减小的趋势;当温度低于350 K时,ρ_(sc)的温度依赖关系主要由TiN合金的类金属特性决定;而在更高的温度下,热场发射机制将逐渐占主导.基于以上2种模型的并联形式对实验数据进行了拟合,并分析了提取的重要物理参数.
- 汪照贤闫大为张丹丹顾晓峰
- 关键词：晶格匹配欧姆接触
- 组份渐变电子阻挡层对InGaN/GaN LED光电特性的影响被引量：1
- 2016年
- 利用数值模拟方法,研究组份渐变电子阻挡层(EBL)对InGaN/GaN发光二极管电学和光学特性的影响。结果表明,三角形组份渐变EBL结构能有效减小器件的开启电压,提高光输出功率,改善高注入电流水平下发光效率的下降情况。能带模拟结果进一步表明,三角形组份渐变EBL结构显著提高了导带底的电子势垒,可有效限制电子向P型GaN层的泄露,同时减小了价带顶的空穴势垒,可增强P型GaN层的空穴向有源区的注入效率,改善其在量子阱内的浓度分布。
- 管婕翟阳闫大为罗俊肖少庆顾晓峰
- 原子层沉积Al_2O_3/n-GaN结构的深能级界面态研究被引量：1
- 2016年
- 基于与传统方法不同的物理过程,利用光辅助高频电容-电压(C-V)法研究了原子层沉积的Al_2O_3/nGaN界面的深能级缺陷态分布。无光照条件下的C-V曲线表现出典型的深耗尽行为,这主要由极长的深能级电子发射时间和极慢的少子热产生速率决定,可看作向正偏压方向平移了的理想电容曲线。在深耗尽状态下背入射365nm的紫外光后,大量的光生空穴有效地复合准费米能级以上的界面被陷电子,并允许电子在偏压扫描回积累区的过程中逐渐填充这些被排空的界面态,导致C-V曲线发生形变。基于上述物理过程,获得了一个快速衰减的界面态能级分布:从导带底至以下0.8eV,态密度从2.5×10^(12)cm^(-2)eV^(-1)减小至9×10^(10)cm^(-2)eV^(-1)。
- 黄宇牟文杰闫大为杨国峰肖少庆顾晓峰
- 关键词：原子层沉积电容特性
- 微米尺度悬浮式机电器件的电荷穿梭特性
- 2013年
- 研究限制在电极间并能做自由往复运动的微米尺度金属球的电荷穿梭特性,作为进一步研究纳米机电式穿梭器件的模型器件。通过测量不同电压下的穿梭电流,验证经典模型预测的电流与电压特性。精确测量实时的电荷穿梭信号脉冲,证明该系统中存在模型预测的电荷穿梭电流和模型未能预测的感应电流。通过对电极-微球-电极结构的电场模拟,揭示了产生感应电流的物理机制:微球与电极碰撞过程产生动态电容变化,形成瞬时的感应电流。通过测量不同电压下穿梭电流和穿梭频率的关系,修正了经典穿梭模型,给出了感应电流引起的电荷修正因子。
- 陈鹏孙建东秦华顾晓峰
- 关键词：纳机电系统
- 回力标形状的ZnO纳米棒的制备和光致发光特性(英文)
- 2014年
- 在1 050°C条件下,利用碳热蒸发的方法在NiO覆盖的Si(100)衬底上制备了回力标形状的ZnO纳米棒,这是一种新的ZnO的纳米结构。通过结构分析,发现这种回力标形状的ZnO纳米棒具有纤锌矿结构。室温的光致发光图谱中有两个发光峰:380nm附近的弱近紫外发光峰和524nm及575nm附近较宽的绿光发光峰。拉曼谱以及X电子能量谱也用于研究其性质。最后讨论了缓冲层的作用及ZnO纳米棒的生长机理。
- 王福学蔡小龙闫大为朱兆旻顾晓峰
- 关键词：氧化锌纳米棒光致发光
- 短沟道无结柱状围栅MOSFET的解析模型被引量：1
- 2014年
- 通过在柱坐标系下求解二维泊松方程,建立了短沟道无结柱状围栅金属氧化物半导体场效应管的电势模型,并推导了阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的解析模型。在此基础上,分析了沟道长度、沟道直径和栅氧化层厚度等参数对阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的影响。最后,利用Atlas软件对器件进行了模拟研究。结果表明,根据解析模型得到的计算值与模拟值一致,验证了模型的准确性。这些模型可为设计和应用新型的短沟道无结柱状围栅金属氧化物半导体场效应管提供理论基础。
- 赵青云于宝旗朱兆旻顾晓峰
- 关键词：阈值电压
