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Sm_2O_3掺杂对铌镁酸铅铁电陶瓷介电性能的影响被引量：1: 2011年; 为了改善铌镁酸铅(PMN)的介电性能及温度稳定性,采用铌铁矿法制备了Sm2O3掺杂的PMN陶瓷(PSMN)。研究了Sm2O3掺杂对PMN铁电陶瓷介电性能的影响。结果表明:随着钐掺杂量x(Sm)的增加,PSMN陶瓷的晶粒尺寸减小、分布均一,材料的相变温度向远离居里点的低温方向移动,相对介电常数峰值εm及室温下的介质损耗减小,介频稳定性增强。相变弥散度则随x(Sm)的增加而增加。x(Sm)=0.01时,PSMN陶瓷的性能最佳:εm=15567,tanδ=0.127×10-2。; 李涛刘敬松李惠琴许有超王友平; 关键词：氧化钐铌镁酸铅介电性能

不同烧结温度对PMN基铁电陶瓷B位有序度的影响: 2013年; 本文研究了不同烧结温度下,CuO添加对0.94PMN-0.06PT(PMN-6PT)弛豫铁电陶瓷B位化学有序度的影响。拉曼和XRD分析结果表明,不同的烧结温度下,离子取代不同,对B位有序度的影响不同。烧结温度在950℃时,主要是Cu2+进入晶格,不影响B位化学有序度;烧结温度在1 080℃时,主要是Cu1+进入晶格,B位化学有序度改变。介温测试所表现出来的弛豫特性与拉曼分析有序度的结果相一致。; 杨超刘敬松张敏芳游美容; 关键词：烧结温度弥散度有序度

外延生长四方相Pb(Zr_(0.65)Ti_(0.35))O_3薄膜被引量：1: 2011年; 以SrRuO3(SRO)为缓冲层和底电极,利用射频溅射法在LaAlO3(LAO)单晶基片上制备了Pb(Zr0.65Ti0.35)O3(PZT)薄膜。X射线衍射分析显示PZT薄膜与基底有以下外延取向关系:(001)[010]PZT‖(001)[010]SRO‖(001)[010]LAO。虽然PZT薄膜组分位于菱方相区域,但由于基底的夹持效应,透射电子显微镜观察表明PZT薄膜呈现四方相。对以Pt或SRO为上电极的PZT薄膜的电性能分别进行了研究,结果显示两种样品都具有抗疲劳性,并且Pt/PZT/SRO薄膜电容与SRO/PZT/SRO薄膜电容相比具有更大的漏电流。氧化物基片和底电极的引入使得PZT薄膜的居里点与块材相比有所下降。电容-温度测试曲线表现出典型的居里-外斯定律特征,薄膜损耗随着温度上升而下降。当温度接近PZT薄膜相转变点的时候,由于夹持应力的解除导致薄膜损耗急剧下降。; 刘敬松李惠琴曹林洪徐光亮; 关键词：射频磁控溅射漏电流损耗

铁电微管的制备与表征: 2011年; 采用化学浸润法在多孔硅模板上制备了锆钛酸铅(PbZr0.52Ti0.48O3,PZT)铁电微管,X射线衍射分析表明铁电微管为钙钛矿结构。运用扫描电子显微镜和原子力显微镜对铁电微管的微观形貌进行了观察,其结果显示两种方法所测得的铁电微管直径不同。利用压电响应力显微镜观察到了铁电微管的电畴图像,并测得了铁电微管的微区电滞回线。对铁电微管电畴和微区电性能的研究可为纳米结构铁电材料的新效应研究提供支持。; 刘敬松代波曹林洪霍冀川; 关键词：微观结构

PbTiO3-CoFe2O4复合薄膜的溶液法制备及其微观结构研究被引量：2: 2011年; 以乙二醇甲醚为溶剂,采用溶液法成功制备了致密的、铁电相和铁磁相共存的0-3型磁电复合薄膜。采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、X射线能谱分析(EDAX)、压电响应力显微镜(PFM)分析了退火时间对两相结构、晶粒大小、薄膜形貌、电畴及磁畴的影响。结果表明,退火20 min对于PbTiO3相晶粒的生长已经足够,随着退火时间的延长,CoFe2O4相的晶粒逐渐长大,薄膜的均方根粗糙度有所提高;同时因为磁性相晶粒的长大复合薄膜电畴的取向发生了极大地变化。复合薄膜中同时存在的电畴和磁畴证明了其同时具有的铁电性和磁性。; 刘敬松许有超李涛于技强; 关键词：钛酸铅溶液法微观结构

铌镁酸铅陶瓷的稀土元素及钛酸铅互掺改性研究: 2012年; 本文采用了铌铁矿法,研究了稀土元素及钛酸铅(PT)的掺入对铌镁酸铅(PMN)铁电陶瓷的介电性能及拉曼行为的影响。分别掺入Y2O3、Sm2O3、La2O3稀土氧化物后,PMN的介电常数峰值(εm)有所下降,而掺入PT后εm有所上升。稀土元素的掺入使相转变温度(Tm)朝远离居里点的低温方向移动,室温下的介电损耗值减小,介电常数频率稳定性得到增强。PT的掺入使Tm朝接近居里点的高温方向移动。拉曼光谱研究表明稀土元素、PT的掺入影响了PMN陶瓷的B位有序度,导致其介电性变化。; 李惠琴刘敬松; 关键词：铌镁酸铅稀土掺杂

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四川省教育厅青年基金(09ZB095)