教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-04-0104)
- 作品数：4 被引量：7H指数：3
- 相关作者：于广华滕蛟韩刚冯春王东伟更多>>
- 相关机构：北京科技大学更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- 纳米氧化层对坡莫合金薄膜性能的影响被引量：4
- 2007年
- 采用磁控溅射的方法制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻薄膜,分别将CoFe-NOL和Al2O3插层引入NiFe薄膜,研究纳米氧化层(NOL)对NiFe薄膜性能的影响。实验结果表明:将CoFe-NOL引入NiFe薄膜,CoFe-NOL对NiFe薄膜性能有重要影响,并且CoFe-NOL在薄膜中的位置不同影响效果也不同;CoFe-NOL处于Ta/NiFe界面时,由于破坏了NiFe薄膜的织构,导致了NiFe薄膜的各向异性磁电阻(AMR)值的减小和矫顽力的上升;CoFe-NOL处于NiFe/Ta界面时,则不会破坏NiFe薄膜的织构,其AMR值和矫顽力基本没有变化。将Al2O3插层引入NiFe薄膜,由于Al2O3插层的"镜面反射"作用,合适厚度的Al2O3插层可以改善薄膜的微结构,提高薄膜的磁电阻值,改善薄膜的磁性能。当Al2O3插层厚度为1.5 nm时,NiFe薄膜有最佳的微结构和性能。
- 王东伟丁雷王乐滕蛟于广华
- 关键词：各向异性磁电阻
- Pt插层对NiFe/FeMn薄膜交换耦合的影响被引量：3
- 2008年
- 采用磁控溅射方法制备了以Pt为缓冲层和保护层的NiFe/FeMn薄膜。在NiFe/FeMn界面插入Pt,发现交换偏置场(Hex)随着插层Pt厚度(tPt)的增加而减小。一个重要的现象是当Pt插层厚度为0.4nm时,在Hex-tPt衰减曲线并非单纯指数下降,而是出现一个"凸起"。通过对样品磁矩随Pt插层厚度的变化规律进行分析,发现随Pt插层厚度的增加,样品的磁矩先逐渐增大,然后又有所下降,并且稳定在某一值;表明在样品制备过程中,NiFe与FeMn之间的相互作用(如界面反应),使得在NiFe/FeMn界面存在磁死层,Pt的插入抑制了NiFe/FeMn界面磁死层的产生,有利于交换耦合;另一方面,Pt的插入隔离了NiFe和FeMn的直接接触,使得FeMn对NiFe的钉扎作用减弱,不利于交换耦合。两个方面的共同作用,使得当Pt插层为某一合适厚度时,Hex-tPt曲线出现"凸起"。
- 金川刘洋李明华于广华
- 关键词：交换耦合
- 不同能量沉积方式对薄膜界面反应的影响
- 2005年
- 通过分子束外延(MBE)和脉冲激光沉积(PLD)将1～10个Fe原子层(ML)以楔型(wedge-shape)方式分别沉积到NiO(001)基片上,并对其进行磁光克尔效应(MOKE)原位测试.结果表明:通过MBE这种低能量沉积方式沉积的Fe原子层在Fe/NiO界面处产生了约2 ML的磁死层;而通过PLD这种较高能量沉积方式沉积的Fe原子层在Fe/NiO界面处产生了约3 ML的磁死层.X射线光电子能谱(XPS)研究Fe/NiO界面的结果表明:两种沉积方式都能使Fe原子与单晶NiO在界面处发生化学反应,这是导致磁死层的一个重要原因;对于MBE和PLD沉积方式来说,从靶材上被蒸发或溅射下来到达基片的原子所具有的能量很低,分别约为0.1 eV和1.0 eV,反应层较浅;磁控溅射沉积Fe原子的能量约为几～十几电子伏特,导致的反应深度约1.5 nm.
- 于广华杨钰冯春韩刚腾蛟
- 关键词：磁性薄膜X射线光电子能谱
- Bi底层对FePt薄膜的影响被引量：3
- 2006年
- 利用磁控溅射的方法,在玻璃基片上制备了以Bi为底层的FePt薄膜,经不同温度真空热处理得到L10-FePt薄膜.研究了Bi做底层对FePt薄膜的有序化温度及矫顽力Hc的影响.实验结果表明:以Bi做底层的FePt薄膜在350℃实现低温有序,同时其Hc也有大幅度提高,并且可以在更大成分范围内获得Hc较高的L10-FePt薄膜.利用X射线光电子能谱研究了薄膜中Bi原子的分布情况,利用X射线衍射研究了薄膜的晶体学结构变化.结果表明,Bi底层在退火过程中的扩散促进了FePt薄膜有序度的升高.
- 冯春李宝河韩刚滕蛟姜勇刘泉林于广华
- 关键词：扩散
