国家部委资助项目(9140C0905040706)
- 作品数：3 被引量：10H指数：2
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- 相关机构：西安电子科技大学佳木斯大学更多>>
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- 基于PWM的低温度依赖基准电压电路设计被引量：3
- 2010年
- 为了给脉宽调制（PWM）控制器提供稳定的工作电压,基于齐纳二极管的正温度系数和三极管B-E结的负温度系数之间的温度补偿原理,设计1个结构简单、性能优越的高精度基准电压电路,并应用华越SB45双极工艺在Candence中进行仿真。研究结果表明：该电路能够提供多路稳定的基准工作电压,而且具有较高的电源电压抑制比,对温度依赖程度很小;在-55~125℃范围内,该电路的温度系数为1.2×10-6/℃;当电源电压为8~30 V时,线性调整率约为0.4 mV/V,电源电压抑制比为77.54 dB,能够满足PWM控制器的工作需求。
- 吴铁峰张鹤鸣胡辉勇李敏
- 关键词：电压基准脉宽调制控制器温度系数双极工艺模拟电路
- 一种电流模式多输入可控PWM比较器设计被引量：7
- 2010年
- 提出了一种用于PWM(Pulse Width Modulation)控制器的比较器输出电路的设计,该电路基于电流模式控制,能够同时对三路输入信号进行比较输出并对输出信号进行锁存。为了在PWM控制电路启动的时候让输出脉冲占空比从小到大逐渐变化,比较器电路设计采用了一个反相输入端,两个同相输入端,其中一个同相输入端控制PWM比较器是否产生输出信号,从而可以降低开关频率,对PWM控制电路起到保护作用。仿真和测试结果显示该比较器能有效地控制PWM输出,并且占空比范围宽、延迟时间短。
- 吴铁峰张鹤鸣胡辉勇
- 关键词：电流模式脉宽调制多输入
- 按比例缩小器件栅隧穿电流分析模型
- 2010年
- 为了揭示半导体器件的栅隧穿电流与氧化层厚度之间的关系和MOS器件的静态特性,提出了一个栅隧穿电流与氧化层厚度关系的理论计算模型.采用SiO2作为绝缘层介质并将晶体管尺寸按比例缩小,对于具有超薄氧化层的MOS器件,使用双重积分的方法构造计算模型,利用HSPICE对MOS器件的特性进行了详细研究,定量分析了MOS器件的工作情况,预测了在栅隧穿电流的影响下按比例缩小晶体管的特性变化趋势.利用BSIM4模型进行仿真的结果与所提出的理论模型相符合,为将来的电路设计提供了理论和实验依据.
- 吴铁峰张鹤鸣
- 关键词：半导体器件氧化层厚度静态特性
