国家教育部博士点基金(20101103110018)
- 作品数：7 被引量：27H指数：3
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- 亚微米级压制型钪钨阴极粉末的研究
- 2013年
- 偏钨酸铵、硝酸钪、硝酸钡、硝酸钙和硝酸铝液液混合,采用喷雾干燥法结合两步氢气还原成功制备出含有"411"铝酸盐的亚微米尺寸钪钨阴极粉末.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)和激光粒度分析仪对还原前后粉末的物相组成﹑形貌﹑粒度进行分析.实验结果显示:还原后的压制型钪钨阴极粉末呈亚微米准球形结构,粉末粒度分布集中,平均粒径在400 nm左右,且各种元素分布均匀.采用程序升温还原(TPR)对掺杂粉末的还原机理进行了研究与讨论.
- 崔云涛王金淑刘伟
- 关键词：喷雾干燥法
- 铝酸钡盐电子发射材料的研究被引量：3
- 2013年
- 采用液相共沉淀法和机械混合法成功制备了阴极用(nBaO:nCaO:nAl2O3=6:1:2)铝酸盐,并研究了烧结温度对612铝酸盐的影响,同时探讨其烧结机制以及烧结过程中物相之间存在的化学反应。采用扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪和激光粒度分析仪对铝酸盐形貌、粒度分布以及物相变化进行了研究。结果表明:采用液相共沉淀法成功制备出亚微米粒径的准球形前驱粉末,D(n,50)值仅为815 nm。前驱粉末经过高温烧结(1500℃b)后,得到了晶化程度高,主晶相为Ba5CaAl4O12的612铝酸盐,浸渍钡钨阴极后,1100℃b下的发射电流密度达15.56 A/cm2,蒸发速率仅为14.5 nm/h。
- 王凯风刘伟王金淑崔云涛王茜
- 关键词：铝酸盐XRDSEM阴极
- 含钪扩散阴极用铝酸盐的制备及发射性能研究被引量：6
- 2012年
- 采用液相共沉淀法和固相合成法分别制备411(4BaO:CaO:Al2O3)铝酸盐前驱粉末,在钨网氢气炉中高温烧结.采用喷雾干燥法结合两步氢气还原法制备出亚微米氧化钪掺杂钨粉.随后经过压制,烧结,浸渍,水洗,退火等工艺获得具有亚微米结构的含钪扩散阴极,并研究含钪扩散阴极的电子发射性能.实验结果表明,液相共沉淀法制备的铝酸盐在1500℃烧结后,铝酸盐中Ba5CaAl4O12衍射峰最强,结晶程度最高.液相共沉淀法含钪扩散阴极,脉冲发射电流密度在850℃达到37.89 A/cm2.在激活过程中,阴极表面形成"Ba-Sc-O"发射活性层,"Ba-Sc-O"发射活性层存在提高了阴极热电子发射能力,降低了含钪扩散阴极的蒸发速率.
- 崔云涛王金淑刘伟王茜王凯风
- 关键词：铝酸盐喷雾干燥
- Y_2O_3掺杂压制钡钨阴极的制备及发射性能研究被引量：2
- 2014年
- 通过溶胶凝胶法制备氧化钇、活性盐和钨均匀混合的前驱粉末,结合氢气高温烧结制备得到稀土氧化物Y2O3掺杂压制钡钨新型阴极材料,并分别测试其热电子发射性能和二次电子发射性能。试验结果表明,采用溶胶凝胶法制备的阴极粉末颗粒分布均匀且细小,在高温烧结过程中有利于活性盐与基体钨之间反应充分,从而形成有利于提高发射的活性物质。发射性能测试结果显示:激活良好的阴极在测试温度1 050℃时的零场电流密度J0为4.18A/cm2;二次电子发射系数随Y2O3含量增加而增大,最大二次电子发射系数δm可以达到2.92。对阴极进行表面分析,激活过程中活性元素Ba、Y和O等从阴极内部向表面扩散,在表面形成均匀分布的发射活性层,促进了阴极的发射。
- 刘祥杨帆王金淑刘伟杨韵斐周美玲左铁镛
- 关键词：氧化钇阴极
- W-Sc_2O_3靶材的SPS制备和性能研究
- 2013年
- 摘要：采用溶胶凝胶法加二段还原，制备出晶粒直径500～1100nm的亚微米W—Sc2O3粉末，利用放电等离子烧结（spark plasma sintering，SPS）制备了W—Sc2O3靶材．对不同粉末处理条件下的W—Sc2O3烧结体的密度、硬度、表面形貌进行测试研究．结果表明，亚微米尺度的W粉在1300℃即可烧结，远低于常规W粉烧结温度，获得的烧结体相对密度达96．4％、硬度为86．4HRC且Sc元素分布均匀．
- 张喜珠王金淑刘伟崔云涛
- 关键词：相对密度洛氏硬度
- 用于真空电子太赫兹器件的微型热阴极电子束源研究被引量：9
- 2014年
- 太赫兹波辐射源是太赫兹(THz)波技术的关键.真空电子太赫兹器件在高频、大功率太赫兹源发展中较其他技术有明显的优势,微米尺度高电流密度微型电子束源则是研制真空电子太赫兹器件的核心之一.本文在研制低温、大电流纳米粒子氧化钪掺杂含钪扩散阴极(nanosized-scandia doped dispenser cathode)的基础上,采用发射抑制膜沉积与聚焦离子束(FIB)刻蚀技术,研制无需压缩直接提供高电流密度的微型电子束的电子源.所研究的电子束源直径400μm,在工作温度950fiC,提供空间电荷限制电流密度50 A/cm2时,已稳定工作1000 h以上,并且层流性良好.本文阐述了阴极制备工艺、电子发射特性、微米尺度电子束源的获得和特性,介绍了发射抑制膜的结构和抑制特性的评估.并探讨了镀膜和刻蚀对发射的影响机理.这一电子束源在常规毫米尺度电子源的基础上产生微米尺度的微区高电流密度的电子束,为真空电子太赫兹辐射源的研制提供了新的途径.
- 梁文龙王亦曼刘伟李洪义王金淑
- 关键词：电子束
