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TiO2/Bi2O2CO3复合材料的光催化性能研究: 金属半导体材料在光催化领域有广泛的应用。单组分的氧化物在光照条件产生光生电子空穴对效率较低且容易复合,制备一种具有异质结的复合材料可有效提高光催化效率。市售分析纯TiO为多相组织;在碱性条件下,采用水热合成法对市售TiO...; 刘佳房国丽沈宏芳

TiO2/Bi2O2CO3复合材料的光催化性能研究: <正>金属半导体材料在光催化领域有广泛的应用。单组分的氧化物在光照条件产生光生电子空穴对效率较低且容易复合,制备一种具有异质结的复合材料可有效提高光催化效率。市售分析纯TiO2为多相组织;在碱性条件下,采用水热合成法对市...; 刘佳房国丽沈宏芳; 文献传递

核壳结构Bi/WO_x复合粉体材料的可控合成被引量：1: 2013年; 以a-Bi03和WO3为原料，采用高能球磨法制备核壳结构Bi／w03复合粉体材料．当添加0．1mL无水乙醇，球磨15h时，得到的产物纯度较高，粒径分布为50～120nm．通过XRD分析可知，所得Bi／WOX复合粉体材料为非晶态氧化钨包裹六方相晶态Bi的核壳结构，其中Bi晶核尺寸约为20～90nm，壳层厚度约为30nm．; 刘佳房国丽王立辉刘振峰张恒李明武琼; 关键词：核壳结构高能球磨法

纳米碳颗粒／碳化硅陶瓷基复合材料的氧化行为被引量：2: 2013年; 以微米硅（Si）和纳米碳黑（Cp）粉体为主要原料，采用经机械化学法合成的碳化硅（SiC）和15％和25％的纳米碳颗粒与碳化硅（Cp-SiC）的复合粉体，并经无压烧结得到了Cp/SiC陶瓷基复合材料，分析了在不同温度条件下Cp／SiC烧结体的氧化行为。结果表明：当温度小于700℃时，Cp/SiC复合陶瓷在空气中的氧化受C—O2反应控制，致使其为均匀氧化；700℃时，氧化后的复合材料显气孔率最大，弯曲强度达极小值；大于700℃，氧化过程受02的气相扩散控制，呈非均匀氧化；700-900℃之间，02通过微裂纹的扩散控制着Cp／SiC的氧化过程；900～1100℃之间，02通过SiC缺陷的扩散控制着Cp/SiC的氧化过程，并在1000℃时的最初的2h内，复合材料弯曲强度增大，且达NT极大值。同时表明，纳米碳含量是影响复合材料强度及氧化行为的关键因素，添加纳米碳质量分数为15％的Cp／SiC复合陶瓷可以作为一种抗氧化性能优良的玻璃夹具材料。; 陆有军王燕民吴澜尔黄振坤; 关键词：碳化硅陶瓷基复合材料

TiO_2/AC复合材料的吸附性与光催化性能被引量：5: 2018年; 以煤基活性炭为原材料,采用浸渍-水热法合成TiO_2/AC复合材料,进一步分析TiO_2负载量对TiO_2/AC复合材料吸附性能和光催化活性的影响.结果表明:TiO_2负载量为10.2%时,TiO_2/AC复合材料对Rh B的单层饱和吸附量为19.5mg/g,高于煤基活性炭饱和吸附量13.8mg/g.紫外光辐照下,不同负载量的TiO_2/AC复合材料均表现出优异的光催化活性.TiO_2负载量为11.4%时,紫外光辐照2h后,TiO_2/AC复合材料对Rh B降解率为98.5%,远高于同等条件下P25光催化剂对Rh B的降解率(72.1%).这是由于活性炭和TiO_2之间的界面可以有效分离光生电子-空穴对,同时石墨化C的存在可以提高光生电子的迁移率,因此TiO_2/AC复合材料表现出明显优于P25的光催化活性.; 李梦悦房国丽张刚魏杰郑功; 关键词：吸附性光催化活性

高能球磨法制备核壳结构Bi/WO_x复合粉末的结构与性能: 2014年; 以α-Bi2O3和WO3粉末为原材料,利用铋的半金属性,通过高能球磨制备核壳结构的Bi/WOx复合粉体材料,通过对粉末的微观形貌与结构的分析,进一步研究富氧壳层对复合粉体耐热氧化性和禁带宽度的影响。结果表明,核壳结构的Bi/WOx复合粉体的壳层为非晶态WOx,壳层厚度约30 nm,内核为结晶完好的六方金属Bi,内核的平均粒径为20~90 nm。Bi/WOx复合材料在富氧环境下耐热氧化性较好,这是由非晶态WOx中O原子的扩散速率大决定的。球磨时间是影响Bi/WOx复合粉末微观形貌、结构和性能的重要因素。当球磨时间为5 h时,产物中存在单斜WO3纳米晶,禁带宽度约1.72 eV;随球磨时间延长,产物形貌更均一,禁带宽度蓝移,这是由壳层非晶态WOx中过量O原子和明显的结构缺陷所致;当球磨时间延长至15 h时,禁带宽度为2.1 eV;进一步延长球磨时间,禁带宽度红移。; 房国丽刘佳张刚王立辉; 关键词：球磨法禁带宽度

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国家自然科学基金(51262001)