广东省自然科学基金(8151009001000003)
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 相关作者：唐新桂熊惠芳李群刘秋香丁南更多>>
- 相关机构：广东工业大学华南师范大学江西理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- (Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3薄膜的结构与光学特性研究
- 2009年
- 采用sol-gel法制备(Pb1-xSrx)TiO3(x=0.40,0.50,0.60,0.70,简称PST40,PST50,PST60与PST70)前驱体溶液,通过旋涂工艺在石英玻璃基片上沉积PST薄膜。研究了PST薄膜的结构和光学特性。结果显示,经750℃退火30min,所得PST薄膜为晶化良好的钙钛矿立方结构,薄膜平均晶粒尺寸为200～300nm。750℃退火的PST40、PST50、PST60和PST70薄膜样品的直接带隙能分别为3.74,3.79,3.80和3.85eV。随着Sr含量的增加,带隙能增加。
- 李群唐新桂熊惠芳张伟
- 关键词：SOL-GEL法光学特性
- 锰掺杂对Ba(Zr,Ti)O_3陶瓷压电与介电性能的影响被引量：2
- 2010年
- 采用氧化物固相反应法制备了锰掺杂改性的Ba(Zr0.06Ti0.94)O3陶瓷.研究了锰的掺杂量对Ba(Zr0.06Ti0.94)MnxO3(BZTM)陶瓷的结构、介电和压电性能的影响.实验发现,当锰含量x<0.5mol%时进入晶格,使材料压电性能提高,损耗减小,表现出受主掺杂的特性;当锰含量x>0.5mol%时进入晶界,过量的锰将在晶界积聚对畴壁和晶界起钉扎作用,从而降低压电性能.随着锰掺杂量进一步增加,弛豫程度变得明显,弥散指数增加.当锰掺杂量为x=0.3%—0.4%范围时,获得d33值为195—220pC/N,介电常数εr为7500以上,损耗tanδ低于2%的性能优良压电陶瓷.
- 丁南唐新桂匡淑娟伍君博刘秋香何琴玉
- 关键词：锰掺杂压电性能
- (Pb_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3薄膜的表面化学态研究
- 2009年
- 用溶胶-凝胶法制备(Pb0.5Sr0.5)TiO3(简称PST)前驱体溶液,以三水醋酸铅、醋酸锶、钛酸丁酯为原料,乙二醇甲醚、去离子水、乙酰丙酮做溶剂,通过旋涂工艺在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基片上沉积PST薄膜。薄膜经320～380℃热分解,再经650℃退火30min,得到晶化好的薄膜样品,X射线衍射结果表明PST薄膜为钙钛矿立方相结构,其晶格常数为a=0.3919nm。用原子力显微镜观测其表面形貌,薄膜平均晶粒尺寸为300nm。用XPS测量了650℃退火PST薄膜样品的表面化学态,结果表明表面富铅,接近表面区域的原子比率Pb∶Sr∶Ti∶O是0.52∶0.50∶1.0∶3.02,接近(Pb0.5Sr0.5)TiO3的理想配比。
- 李群熊惠芳唐新桂
- 关键词：溶胶-凝胶法光学特性吸收边
- 高度取向的(Pb0.5Sr0.5)TiO3/LaNiO3异质结构铁电薄膜性能
- 2010年
- 用sol-gel方法在Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）衬底上制备了具有LaN iO3（LNO）缓冲层的（Pb0.5Sr0.5）TiO3（PSrT50）/LNO/Pt异质结构铁电薄膜。X射线分析发现PSrT50薄膜在（100）方向高度取向,同时扫描电镜图像显示薄膜结构致密、表面平整。通过和直接在Pt上制备的、相同厚度的PSrT50薄膜比较,PSrT50/LNO/Pt结构薄膜在室温下具有更大的剩余极化（Pr=4.5μC/cm2）和更高的介电常数（rε=850）。同时,漏电流机理分析表明,PSrT50/LNO/Pt结构薄膜在低电场作用下呈现Pool-Frenkel发射效应,在高电场作用下则表现为空间电荷限制电流。
- 程铁栋杨丽荣唐新桂易见兵
- 关键词：介电常数漏电流
