中央高校基本科研业务费专项资金(SWJTU09ZT24)
- 作品数：17 被引量：34H指数：4
- 相关作者：赵勇杨峰高鹏程翠华蒲明华更多>>
- 相关机构：西南交通大学新南威尔士大学教育部更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电气工程理学一般工业技术化学工程更多>>
- PbS量子点/ZnO纳米片复合膜的制备及其光电化学性能被引量：6
- 2012年
- 通过两步法合成PbS量子点(QDs)修饰ZnO纳米片复合膜.首先利用电化学法在掺氟的SnO2导电玻璃(FTO)上生长ZnO纳米片,然后在ZnO纳米片上通过逐次化学浴法沉积PbS量子点形成PbS/ZnO复合膜.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)详细表征了样品的表面形貌和晶体结构,并研究了PbS/ZnO复合膜作为量子点敏化太阳能电池光阳极的紫外可见吸收谱、光电化学性能和表面光电压谱.对比ZnO纳米片经PbS量子点修饰前后,发现PbS量子点修饰后光阳极的光吸收和光伏响应均从紫外区拓宽到了可见光区,同时光电化学性能有了显著提高,短路电流密度从敏化前的0.1 mA/cm2增加到0.7 mA/cm2,效率由0.04%增加到0.57%.与单一ZnO纳米片相比,PbS/ZnO复合膜的表面光伏响应强度明显增强,说明PbS与ZnO之间形成了有利于光生电荷分离的异质结,从而导致了PbS/ZnO复合膜光电性能的增加.
- 廖鑫杨峰蒲明华赵勇程翠华
- 温度控制TiO_2纳米管及管/线复合阵列的制备被引量：4
- 2011年
- 以含有NH4F的乙二醇溶液为电解液,在宽温度范围内（10~70℃）对纯Ti表面进行阳极氧化,制得形貌可控的TiO2纳米结构。利用场发射扫描电子显微镜（FESEM）和透射电镜（TEM）对纳米TiO2的形貌进行表征。结果表明,随着电解液温度的变化,纳米TiO2的形貌得到控制,可形成TiO2纳米管阵列及纳米管阵列/纳米线复合结构,温度40~50℃为转折温区。
- 蔡芳共杨峰赵勇程翠华
- 关键词：阳极氧化TIO2纳米管阵列复合结构
- 超导涂层导体中NiO缓冲层的制备与研究被引量：1
- 2011年
- 镍基带的自发氧化是基于镍基带上制备涂层超导体所面临的一个重要问题。在镍基带上预先制备一层织构的NiO薄膜是解决该问题的一个简单而有效的方法。研究了空气中NiO薄膜的表面氧化外延生长特性,发现高温短时有利于制备高织构度、高平整度和高致密度的NiO薄膜。在优化的温度和时间条件下,制备了高品质的NiO薄膜,并在NiO上利用化学溶液沉积法制备了SmBiO3外延缓冲层,为进一步超导层的制备提供了可能的实用条件。
- 张红赵勇张欣王贺龙蒲明华潘敏
- 关键词：涂层导体织构
- ZnO/Cu2O异质结中深能级表面光伏特性被引量：2
- 2012年
- 采用恒电压沉积法在导电玻璃(FTO)上制备了具有三棱柱金字塔状的ZnO/Cu2O异质结薄膜.利用场发射扫描电镜(FESEM)与X射线衍射仪(XRD)对薄膜的微观形貌和晶体结构进行了表征.利用表面光电压谱(SPS)、场诱导表面光电压谱(FISPS)和相位谱(PS)研究了单一Cu2O与ZnO/Cu2O异质结薄膜的表面光伏性质.结果表明,与单一Cu2O薄膜相比,ZnO/Cu2O异质结薄膜的光伏响应范围拓展到了600～800nm.根据SPS,FISPS和PS的作用原理,拓展部分的光伏响应归因于ZnO/Cu2O异质结中Cu2O层的深能级跃迁,该跃迁在ZnO-Cu2O界面电场(方向由ZnO指向Cu2O)的作用下得到加强,同时深能级跃迁产生的电子-空穴对在ZnO-Cu2O界面电场的作用下得到了有效分离和传输.
- 王蓉史占花蔡芳共杨峰贾永芳黎颖程翠华赵勇
- 关键词：表面光电压谱
- 直流溅射工艺参数对Mo薄膜结构及电性能的影响被引量：5
- 2012年
- 采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,对不同溅射功率和溅射工作气压下沉积的薄膜进行X射线衍射、SEM(扫描电子显微镜)、电阻率测试,讨论了工艺参数对沉积Mo薄膜相结构、表面微观形貌、薄膜沉积速率和电学性能的影响。结果表明,随着溅射功率的增加,薄膜的结晶性能变好,沉积速率提高,在沉积功率范围内薄膜均匀致密,表面无空隙,电阻率较低;随着溅射工作气压增加,薄膜结晶性能变差,沉积速率先增加后降低,在沉积工作气压范围内,薄膜致密;随气压降低,电阻率急剧减小。因此,较高的溅射功率和较低的工作气压沉积的Mo薄膜更适合作CIGS薄膜太阳电池的BC层(背接触层)。
- 黄涛闫勇黄稳张艳霞晏传鹏刘连张勇赵勇余洲
- 关键词：MO薄膜直流磁控溅射电阻率
- Cu_(2-x)S纳米管的制备及其表面光电性质
- 2011年
- 为了研究CuS纳米材料在光电领域中的应用,采用水热法合成Cu2-xS纳米管,用X射线衍射仪、扫描电镜表征产物的结构和形貌.在25℃下测试了Cu2-xS纳米管的光吸收性能,利用紫外可见吸收光谱、表面光电压谱和场诱导表面光电压谱,研究其表面光电性质及光伏响应随电场变化的规律.结果表明：合成的Cu2-xS纳米管外径为325-675 nm,管壁厚为70-125 nm,长度为10-20μm;在300-800 nm紫外可见光谱范围内,存在两个吸收区域,场诱导表面光电压谱表明所制备的样品为n-型半导体.
- 廖鑫杨峰蒲明华赵勇
- 关键词：水热法
