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黑龙江省普通高校骨干教师创新能力资助计划(1251G031)

作品数:12 被引量:17H指数:3
相关作者:孙文军李娟支洪武李孟洋赵立萍更多>>
相关机构:哈尔滨师范大学牡丹江师范学院电子工程学院更多>>
发文基金:黑龙江省普通高校骨干教师创新能力资助计划黑龙江省研究生创新科研项目黑龙江省青年科学基金更多>>
相关领域:理学机械工程电子电信更多>>

文献类型

  • 12篇中文期刊文章

领域

  • 9篇理学
  • 6篇机械工程
  • 3篇电子电信

主题

  • 6篇激光
  • 3篇激光辐照
  • 3篇激光器
  • 3篇光辐照
  • 2篇单光子
  • 2篇单光子吸收
  • 2篇损伤阈值
  • 2篇透镜
  • 2篇偶极
  • 2篇量子级联
  • 2篇量子级联激光...
  • 2篇脉冲
  • 2篇脉冲激光
  • 2篇脉冲激光辐照
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇光子
  • 2篇发光
  • 1篇带隙
  • 1篇电子束蒸发

机构

  • 12篇哈尔滨师范大...
  • 4篇牡丹江师范学...
  • 2篇电子工程学院

作者

  • 11篇孙文军
  • 6篇支洪武
  • 6篇李娟
  • 5篇李孟洋
  • 4篇赵立萍
  • 2篇姚成宝
  • 2篇周海娇
  • 2篇刘中洋
  • 2篇王金颖
  • 2篇袁浩然
  • 1篇王佳男
  • 1篇孙大为
  • 1篇许多
  • 1篇李孟阳
  • 1篇赵丽萍

传媒

  • 5篇哈尔滨师范大...
  • 3篇光子学报
  • 1篇黑龙江科技信...
  • 1篇光学技术
  • 1篇光学学报
  • 1篇真空

年份

  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 7篇2012
  • 1篇2011
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
影响AlGaN/GaN量子级联激光器性能的因素研究被引量:6
2012年
在已有理论基础之上,采用严格的计算方法对激光器实现太赫兹(THz)波的辐射进行了可能性分析。利用传递矩阵法,通过Matlab软件计算了基于AlGaN/GaN材料体系的三能级量子级联激光器导带子能级与电子波函数的分布,详细分析了由该材料特有的极化效应所产生的极化场,得出了在近共振条件下偶极跃迁元、外加电场、垒层Al组分及导带子能级能级差之间的关系,并研究了它们对激光器性能的影响。分析结果表明,实现受激辐射的条件非常严格,Al组分取0.15或0.16时较为适宜,同时外加电场需大于63kV/cm,但不能过大,这样才能满足近共振条件,实现粒子数反转达到太赫兹量子级联激射。在Al组分为0.15,外加电场为69.0kV/cm时激光器的偶极跃迁元最大,表明跃迁几率也最大,对激光器的性能有利,可以为量子级联激光器构造较好的有源区。
孙京南孙文军赵立萍李娟李孟洋支洪武
关键词:量子级联激光器AL组分
薄透镜作图成像研究
2012年
根据薄透镜在傍轴近场条件下的特性,研究了如何利用特殊光线求解薄透镜所成的像,总结了薄透镜作图求像的方法,并提出了几种适用范围更广泛,简单而便于理解的新方法。
王佳男许多
关键词:薄透镜作图法焦平面主轴
基于三片曲面反射镜的离轴投影成像系统被引量:1
2012年
采用调制传递函数和波前像差分析方法,设计了基于偶次非球面反射镜和Zernike自由曲面反射镜构成的放大倍数为80,相对孔径为2.8的三个离轴投影成像系统.其中第一片反射镜M1表面为凹面用于减小第二片反射镜的尺寸及获得高的对比度,而第二片反射镜M2和第三片反射镜M3表面为凸面用于校正系统像差及获得更短的投影距离.经软件设计与分析,三系统中基于三片Zernike自由曲面反射镜的成像系统光学性能最好,调制传递函数实现60lp/mm时60%以上,畸变小于2.0%.与其它文献相比,基于三片Zernike自由曲面反射镜系统可以更好地消除像差,缩短系统厚度,增大系统的可视角与相对孔径.
孙文军赵立萍孙京南李娟李孟洋支洪武
关键词:调制传递函数
温度对InAlAs/InGaAs量子级联激光器性能的影响
2015年
设计了基于InAlAs/InGaAs材料体系的垂直跃迁型量子级联激光器有源区,其包括激射区和注入区,并用能级微带注入原理与纵向光学声子散射原理实现了量子级联激射.采用时域有限差分法计算了外加电场下的能级分布及影响激光器的重要参数,如偶极矩阵元、散射时间、增益系数、阈值电流密度、外微分量子效率等.分析了温度对阈值电流密度及激光输出功率的影响.结果表明在300K下输出功率为15m W,外微分量子效率为10%,部分参数优于相关文献.也为室温下工作的量子级联激光器设计奠定了理论基础.
袁浩然孙文军姚成宝王炫利王金颖程集
关键词:量子级联激光器
Mg_xZn_(1-x)O薄膜样品制备及其结构与带隙分析被引量:1
2015年
利用共溅射技术制备了MgxZn1-xO薄膜样品,研究了Mg的掺杂浓度对其晶体结构、光学带隙的影响,退火环境与温度对其晶体结构、表面形貌的影响.通过对XRD图的分析表明,所制MgxZn1-xO薄膜样品为六角纤锌矿结构,且随着x值的增大,样品的晶格常数c逐渐减小;对比真空环境下,氧气中退火温度为500~600℃时更有利于提高样品的结晶质量.对吸收谱的分析表明随着Mg掺杂浓度增大,样品的吸收边向短波方向移动,带隙增大.
王炫力王金颖袁浩然姚成宝孙文军
关键词:退火蓝移带隙
磁控溅射制备ZnO:Eu薄膜发光性能研究
2012年
采用射频磁控溅射法在蓝宝石基片上制备ZnO:Eu薄膜,通过X射线衍射仪和荧光分光光度计等测试其晶体结构和发光特性,分析退火对薄膜晶体结构和发光特性的影响。结果表明,ZnO:Eu薄膜为C轴择优生长的多晶薄膜,实现ZnO基质中掺杂Eu3+;退火样品结晶质量较好,有助于ZnO:Eu薄膜中Eu3+的5D0-7F2的能级跃迁发光;高于ZnO带隙的高能激发(间接激发)和Eu3+的7F0-5L6和7F3-5D2能级间的低能共振激发(直接激发)都能观察到Eu3+的5D0-7F2能级跃迁的特征发光(618nm);间接激发时存在ZnO基质与Eu3+之间发生能量传递。
赵立萍孙文军孙京南李孟洋李娟支洪武
关键词:ZNOEU光致发光磁控溅射
脉冲激光辐照GaAs材料热效应研究被引量:2
2014年
为了研究脉冲激光辐照GaAs材料的热效应,采用软件COMSOL Multiphysics构建了高斯脉冲激光辐照半导体材料的温升物理模型,分析了1 064nm纳秒级脉冲激光辐照半导体材料GaAs的热效应.通过求解热传导方程计算了不同功率密度激光辐照GaAs材料的径向与纵向温度场分布,讨论了单光子吸收、双光子吸收及自由载流子吸收对辐照材料的温升贡献.计算结果表明:当激光功率密度升至1010 W/cm2,自由载流子对材料的温升贡献已超过单光子吸收对材料温升的贡献而占主导位置;当激光功率密度降至108 W/cm2以下时,两种非线性吸收对材料温升的贡献可以忽略.该结果与相关实验基本相符,表明了构建的物理模型具有科学性.
周海娇孙文军刘中洋
关键词:脉冲激光辐照损伤阈值单光子吸收双光子吸收
连续激光辐照GaAs材料损伤的数值模拟计算被引量:5
2012年
基于热传导理论,构建了高斯分布的连续激光辐照GaAs材料的二维轴对称非稳态物理模型,且利用多物理场直接耦合分析软件COMSOL Multiphysics求解热传导方程得到了材料表面温度分布曲线以及光斑中心处温度沿厚度方向分布曲线,并得出GaAs材料的分解损伤时间与入射光功率密度的关系曲线.研究表明,在连续激光辐照下,GaAs材料可能会发生分解损伤,激光功率越高,材料被破坏所需的时间越短.理论计算结果与相关的实验结论一致,说明所建立的激光辐照效应模型具有科学性.
李娟孙文军孙京南赵立萍李孟洋支洪武
关键词:激光辐照效应高斯光束温度场损伤阈值
柱透镜和弯月透镜实现半导体激光器光束整形被引量:3
2012年
针对半导体激光器的发光特点,设计了半导体激光器的光束整形系统。首先采用柱透镜准直和偏转沿Y轴发散的光束;然后再采用望远系统对X轴发散的光束进行准直和扩束;最后采用弯月透镜对发射光束压缩,实现半导体激光器的光束整形,降低光束发散角,提高光束质量。利用ZEMAX软件模拟系统,结果表明,整形后输出光束沿X轴和Y轴的发散角变为4.922mrad,输出光斑直径为1.2707mm,整形系统总长度为65.6618mm,各元件的最大直径为20.52mm,输出光束质量和系统结构都优于同类产品。
支洪武孙文军孙京南李孟阳赵丽萍李娟
关键词:激光器望远系统远场发散角
电子束蒸发法制备的Eu掺杂ZnO薄膜的结构及其发光性质
2012年
采用电子束蒸发法在蓝宝石衬底上制备了ZnO:Eu3+薄膜.通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜和光致发光(PL)光谱仪测试了不同退火温度下薄膜结构、形貌以及光致发光谱,分析了薄膜光致发光中的能量传递原理.结果表明:ZnO:Eu粒子为六角纤锌矿结构,且600℃退火后结晶更好;光致发光谱中Eu3+的特征发光中心波长分别位于617 nm和667 nm,且600℃退火温度下的Eu3+特征发光最强.适当的退火温度可有效形成Eu离子的发光中心.
孙大为孙文军
关键词:电子束蒸发光致发光
共2页<12>
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