国家自然科学基金(60776011)
- 作品数：2 被引量：6H指数：1
- 相关作者：李永峰单崇新邓蕊刘卫卫李炳辉更多>>
- 相关机构：吉林大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所北华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 生长在p-GaAs衬底上的ZnO基异质结二极管电致发光(英文)被引量：5
- 2010年
- 利用等离子体辅助分子束外延在p型砷化镓衬底上制备了ZnO异质结发光二极管。实验表明:GaAs与ZnO之间的氧化镁绝缘层能够有效改善器件光电性能,I-V特性的研究表明该器件具有良好的整流特性,开启电压为3 V,电致发光光谱由一个紫外发光峰和一个可见发光带构成,其来源分别为ZnO层中近带边缺陷以及深能级缺陷相关的辐射复合。
- 李炳辉姚斌李永峰邓蕊张振中刘卫卫单崇新张吉英申德振
- 关键词：氧化锌分子束外延电致发光
- 用RF磁控溅射法制备锂氮共掺p型氧化锌被引量：1
- 2010年
- 采用RF磁控溅射技术,以掺杂氮化锂的氧化锌陶瓷为靶材,用不同物质的量比的高纯氩气和氧气混合气体为溅射气体,在石英衬底上生长锂氮共掺氧化锌薄膜,并在600℃真空热退火30min,研究生长气氛对锂氮共掺氧化锌导电类型、晶体结构与低温光致发光的影响规律和机制.结果表明,当以n(氩气):n(氧气)=60的混合气体为溅射气体时,可得到稳定的p型锂氮共掺氧化锌薄膜.X射线衍射谱表明,样品具有高度的c轴择优取向.由变温光致发光分析可知,该薄膜的p型导电来源于LiZn受主缺陷,其光学受主能级位于价带顶131.6meV处.
- 刘力郭秀芝赵婷婷
- 关键词：氧化锌半导体
