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高功率半导体激光国家重点实验室基金(ZS3603)

作品数：2 被引量：7H指数：2
相关作者：王晓华李林刘国军王勇李梅更多>>
相关机构：长春理工大学更多>>
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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇荧光谱
  • 1篇束流
  • 1篇量子阱材料
  • 1篇光谱
  • 1篇光荧光
  • 1篇光荧光谱
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇薄膜生长
  • 1篇PL
  • 1篇RHEED
  • 1篇GAALAS...
  • 1篇GASB

机构

  • 2篇长春理工大学

作者

  • 2篇刘国军
  • 2篇李林
  • 2篇王晓华
  • 1篇李梅
  • 1篇刘文莉
  • 1篇钟景昌
  • 1篇王勇

传媒

  • 1篇光电子技术与...
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
GaAlAs/GaAs量子阱材料的光荧光谱研究被引量：3
2005年
分子束外延生长GaAlAs/GaAs量子阱材料时,适当的衬底温度和Ⅴ/Ⅲ束流比是改善AlGaAs材料生长质量的重要因素。对GaAs、GaAlAs材料的生长条件进行优化,获得了高质量的量子阱材料,有源层分别为8nm、10nm、12nm时,10K下的PL谱半峰宽(FWHM)分别为6.42meV、6.28meV、6.28meV。
刘文莉李林钟景昌王晓华刘国军
GaSb薄膜生长的RHEED研究被引量：4
2006年
采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaSb薄膜时,利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控。通过RHEED讨论低温缓冲层对GaSb薄膜表面结构和生长机制的作用,可以估算衬底温度,并能计算出薄膜的生长速率。实验测量GaSb的生长周期为1.96 s,每秒沉积0.51单分子层。低温缓冲层提高了在GaAs衬底上外延GaSb薄膜的生长质量。
李林王勇刘国军李梅王晓华
关键词：分子束外延
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共1页<1>
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