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北京市自然科学基金(3062016)

作品数:6 被引量:28H指数:3
相关作者:李丹梁春军宋德王牛原肖黎鸥更多>>
相关机构:北京交通大学兰州交通大学浙江理工大学更多>>
发文基金:北京市自然科学基金国家自然科学基金教育部重点实验室开放基金更多>>
相关领域:理学电气工程更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电气工程
  • 3篇理学

主题

  • 3篇第一性原理
  • 2篇导体
  • 2篇电池
  • 2篇电流
  • 2篇电子结构和磁...
  • 2篇短路电流
  • 2篇异质结
  • 2篇稀磁半导体
  • 2篇半导体
  • 2篇MN掺杂
  • 2篇掺杂
  • 2篇ZNS
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电流密度
  • 1篇电压
  • 1篇电子结构
  • 1篇短路
  • 1篇短路电流密度
  • 1篇乙烯基

机构

  • 6篇北京交通大学
  • 2篇兰州交通大学
  • 1篇浙江理工大学
  • 1篇郑州大学

作者

  • 3篇梁春军
  • 3篇李丹
  • 2篇肖黎鸥
  • 2篇牛原
  • 2篇衣立新
  • 2篇苏梦蟾
  • 2篇汪洋
  • 2篇宋德王
  • 1篇李磊
  • 1篇刘应良
  • 1篇时玉萌
  • 1篇高银浩
  • 1篇曹少魁
  • 1篇何志群
  • 1篇赵瓛
  • 1篇孙剑渊
  • 1篇赵翼
  • 1篇王斌
  • 1篇刘世勇

传媒

  • 3篇计算物理
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇光谱学与光谱...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 2篇2008
  • 1篇2007
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种聚合物/C_(60)异质结有机太阳电池被引量:1
2007年
用MEH-PPV为给体(空穴传输)、C60为受体(电子传输)首先制备了分层和体异质结结构的两种器件,器件结构为ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/C60/Al和ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV:C60/Al。之后又制备了结构为ITO/PE-DOT:PSS/MEH-PPV:C60/C60/Al的第3个器件。作者比较了这3种器件的光伏性质,发现器件3的短路电流密度(JSC)比器件1和器件2的分别增加了300%和150%,开路电压(VOC)分别增加了100%和20%。这主要是由于C60层增加了电子由受体传输到负电极的通道并增大了给体受体界面面积。另一原因是此C60层一定程度地阻挡了空穴从有机物向负极的传输,从而有效地改善了太阳电池的性能。
苏梦蟾汪洋梁春军高银浩衣立新
关键词:太阳电池
一种新型光电聚合物的光伏器件制备及其性能研究被引量:3
2008年
研究了新型光电聚合物材料聚1,4二(1-氰基)乙烯基撑苯撑3,7-N-辛基-吩噻嗪撑(PQP)的电学性能和光伏特性。首先制备了结构为ITO/PQP/Al的单层器件。在暗场条件下,器件的电流-电压特性曲线呈典型的二极管整流特征。在白光二极管照射下器件可以获得光伏响应,开路电压(Voc)为0.2 V,填充因子(ff)为0.27。此外,在单层器件的基础上,研究了与苝的衍生物PTCDI-C13结合制备的双层结构器件ITO/PQP/PTC-DI-C13/Al的光伏性能。与单层器件相比,双层器件的Voc可提高到0.9 V。双层器件的开路电压显著增加表明开路电压不仅仅受电极功函数的影响,还与受主的LUMO和施主的HOMO之间的能带有关。
王斌何志群赵瓛孙剑渊梁春军刘应良曹少魁
关键词:开路电压短路电流激子
体异质结有机太阳能电池性能提高的研究被引量:8
2008年
制备了四种不同结构的有机太阳能电池器件,器件1ITO/LiF/PEDOT∶PSS/MEH-PPV/C60/Al、器件2ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV/C60/Al、器件3ITO/LiF/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶C60/C60/Al和器件4ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶C60/C60/Al。测量了它们的电流-电压特性,结果显示在ITO和PEDOT∶PSS之间插入一薄层LiF使得器件性能得到较大提高。其器件1的JSC和FF比器件2的提高了74%和31%;器件3的JSC比器件4的提高了约40%。这主要是由于LiF层有效地抑制了空穴向阳极的传输,并且LiF层在ITO和PEDOT:PSS之间形成了良好的界面特性。因此,这种结构上的改进有效地提高了有机太阳能电池的性能。
苏梦蟾衣立新汪洋时玉萌梁春军
关键词:有机太阳能电池氟化锂
ZnS(111)表面掺杂Mn的电子结构和磁性的第一性原理研究被引量:2
2013年
应用基于密度泛函理论的第一性原理,研究Mn原子掺杂在ZnS(111)表面的电子结构和磁性.对于单原子的掺杂组态,替位表面第一层的Zn原子时体系形成能最低,说明该层是最稳定的掺杂位置.体系总磁矩取决于Mn原子的局域环境.而对于双掺杂组态,当Mn与Mn之间呈短程铁磁耦合作用时体系最稳定.这可由Mn原子和近邻S原子的p-d杂化作用解释.此时,体系的居里温度估算值为469 K,明显高于室温,具有理论指导意义.Mn原子和受主半导体之间的相互作用是自旋极化产生的主要原因.计算结果表明,该掺杂材料可以很好的用来制作稀磁半导体,具有良好的应用前景.
宋德王牛原肖黎鸥李丹
关键词:第一性原理电子结构稀磁半导体
Mn掺杂的ZnS(001)表面的电子态特性被引量:9
2010年
利用第一性原理计算Mn在ZnS(001)表面上几种掺杂位置的形成能、局域分波态密度和磁矩.对Mn在ZnS(001)表面上的三种位置的形成能进行比较,得到两种填隙位置是非常稳定的掺杂位置.分析ZnS(001):Mn各种再构表面的电子态密度和电荷密度分布.结果表明,三种表面模型中,自旋向上的Mn原子的3d态和近邻S原子的3p态都有一定的杂化,并且替代掺杂的Mn和邻近S原子的p-d杂化最明显,形成的共价键最强.而自旋向下的Mn原子的3d态比较局域,受S原子的3p态影响较小.计算了三种掺杂表面的磁矩,并分析计算结果.
李磊李丹刘世勇赵翼
关键词:第一性原理计算态密度
Mn掺杂ZnS(110)表面的电子结构和磁性被引量:9
2012年
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究Mn掺杂ZnS(110)表面的电子结构和磁性.计算分析不同掺杂组态的几何参数、形成能、磁矩、电子态密度以及电荷密度.结果表明:单个Mn原子掺杂,替位于表面第二层的Zn原子时体系形成能最低,说明该层是最稳定的掺杂位置.对于两个Mn原子的掺杂,当Mn与Mn之间呈反铁磁耦合时体系最稳定.体系的总磁矩和自由Mn原子的磁矩差别很小,但是Mn原子的局域磁矩却依赖于Mn原子的3d态和近邻S原子的3p态的杂化作用,即受周围S原子环境的变化影响较大.此外,分析电荷密度图得出Mn原子替换Zn原子后与S原子形成了更强的共价键.
宋德王牛原肖黎鸥李丹
关键词:MN掺杂第一性原理稀磁半导体
共1页<1>
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