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教育部科学技术研究重点项目(207096)

作品数:4 被引量:10H指数:2
相关作者:马勇崔玉亭武亮杨晓红孔春阳更多>>
相关机构:重庆师范大学重庆大学更多>>
发文基金:教育部科学技术研究重点项目重庆市自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇相变
  • 3篇马氏体
  • 3篇马氏体相
  • 3篇马氏体相变
  • 2篇单晶
  • 2篇形状记忆
  • 2篇形状记忆效应
  • 2篇GA
  • 2篇MN
  • 2篇磁感生应变
  • 2篇NIMNGA
  • 1篇损耗
  • 1篇透光率
  • 1篇能量损耗
  • 1篇气敏
  • 1篇温度依赖
  • 1篇温度依赖性
  • 1篇消光
  • 1篇消光系数
  • 1篇WO

机构

  • 4篇重庆师范大学
  • 3篇重庆大学

作者

  • 3篇马勇
  • 3篇武亮
  • 3篇崔玉亭
  • 2篇孔春阳
  • 2篇吴振兴
  • 2篇张健
  • 2篇杨晓红
  • 1篇潘复生
  • 1篇冯庆
  • 1篇游素琴
  • 1篇王新强

传媒

  • 2篇重庆师范大学...
  • 1篇功能材料
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
NiMnGa和NiMnFeGa单晶磁感生应变的温度依赖性及孪晶界移动的能量损耗被引量:1
2010年
在提拉法生长出Ni52Mn16.4Fe8Ga23.6单晶样品的基础上,测量了其相变应变和磁感生应变。与Ni52Mn24.5Ga23.5单晶样品的实验结果对比分析可知,两种材料都具有较大的自发相变应变量和磁感生应变量,但Ni52Mn16.4Fe8Ga23.6单晶的磁感生应变具有较好的温度稳定性。依据实验结果和利用热动力学原理,分别计算了两种单晶样品磁感生应变升降磁场一个循环过程中孪晶界移动的能量损耗,给出了能量损耗随温度变化的关系,结果表明磁感生应变量可定性反映一个循环过程中孪晶界移动的能量损耗。
崔玉亭武亮张健吴振兴潘复生
关键词:马氏体相变磁感生应变温度依赖性
WO_3薄膜气敏光学传感特性研究被引量:6
2007年
WO3薄膜是良好的光学气敏传感器材料。采用溶胶凝胶法制备了WO3掺杂薄膜,对样品在不同浓度氢气气氛中的气敏光学性质、敏感度及响应时间进行了测试、分析和计算,并结合光传输理论给出了气敏薄膜的光学变化机制,理论分析与实验结论吻合。
杨晓红王新强马勇冯庆
关键词:WO3薄膜气敏透光率消光系数
Ni_(46)Mn_(35)Ga_(19)单晶中磁转变和马氏体相变的物理表征及形状记忆效应被引量:1
2009年
NiMnGa是最早发现的铁磁形状记忆合金,是一种新型的形状记忆材料。自发现以来,许多学者对其进行了深入的研究,但对磁转变和马氏体转变共同发生的转变特性却缺乏系统的表征。本文采用多种测量手段,如相变潜热、电阻、交流磁化率和应变测量,对提拉法生长的Ni46Mn35Ga19单晶的磁转变和马氏体相变同时发生的转变行为进行了系统表征;根据合金形状记忆的特点和马氏体变体择优取向的机理,对实验结果进行了分析和讨论。应变测量结果表明,伴随该转变行为,材料展现出应变量达-0.89%的自发双向形状记忆效应和应变量高达-1.90%的磁控形状记忆效应。
武亮张健吴振兴马勇孔春阳崔玉亭
关键词:马氏体相变磁转变形状记忆效应NIMNGA
Ni_(51)Mn_(25.5)Ga_(23.5)单晶大的自发相变应变和磁感生应变被引量:3
2008年
通过交流磁化率、电阻、有无磁场下的马氏体相变应变测量,研究了Ni51Mn25.5Ga23.5单晶的马氏体相变和磁感生应变特性。伴随马氏体相变,该单晶展现出一个应变量高达-1.62%的自发双向形状记忆效应。采用磁场下冷却的方法,在材料的马氏体相获得了一个量值高达-1.5%且可逆的磁感生应变,该值近似为零场下冷却测量得到的磁感生应变的2倍。根据单晶生长机制和NiMnGa合金形状记忆特性,对上述结果进行了讨论。
游素琴武亮孔春阳马勇杨晓红崔玉亭
关键词:马氏体相变形状记忆效应磁感生应变
共1页<1>
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