国家高技术研究发展计划(2006AA03Z355)
- 作品数：6 被引量：22H指数：3
- 相关作者：胡松蒋文波朱效立严伟刘明更多>>
- 相关机构：中国科学院中国科学院研究生院中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术机械工程更多>>
- 无掩模光刻技术研究被引量：6
- 2008年
- 介绍了无掩模光刻技术的现状和存在的问题,并对几种常见的无掩模光刻技术进行了详细的对比分析。研究表明,扫描电子束光刻具有极高的分辨率,但是生产效率较低;波带片阵列光刻技术已经在理论和实验上取得了广泛的成果,在保持无掩模光刻技术高分辨力的同时,对电子束的低效率将是一种补充,是一种很有潜力的用于制作掩模版的光刻技术。
- 蒋文波胡松
- 关键词：无掩模光刻掩模版
- 基于表面等离子体的微纳光刻技术被引量：1
- 2008年
- 首先介绍了光刻技术的发展及其面临的挑战。随着纳米加工技术的发展,纳米结构器件必将成为未来集成电路的基础,而纳米光刻技术是纳米结构制作的基础,基于表面等离子体的纳米光刻作为一种新兴技术有望突破45nm节点从而极大提高光刻的分辨力。介绍了表面等离子体的特性,对表面等离子体(SPs)在光刻中的应用作了回顾和分析,指出在现有的利用表面等离子体进行纳米光刻的实验装置中,或采用单层膜的超透镜(Superlens),或采用多层膜的Super-lens,但都面临着如何克服近场光刻这一难题;结合作者现有课题分析了表面等离子体光刻的发展方向,认为结合多层膜的远场纳米光刻方法是表面等离子体光刻的发展方向。
- 杨勇胡松姚汉民严伟赵立新周绍林陈旺富蒋文波李展
- 关键词：表面等离子体纳米光刻倏逝波
- 传统光学光刻的极限及下一代光刻技术被引量：8
- 2008年
- 分析了传统光学投影光刻分辨力的物理极限,介绍了国内外各大器件和设备厂商、科研单位等为了突破这个物理极限而做出的努力;从原理、发展状况及优缺点等几个方面对比分析了下一代光刻技术,最后对未来几十年的主流光刻技术作出了展望。极紫外光刻、浸没式光刻和纳米压印光刻将作为主流技术应用到超大规模集成电路的批量生产中,电子束光刻可以在要求极高分辨力时和这几个主流技术配合使用。其他下一代光刻技术由于工艺不成熟、不能批量生产等原因,在近期还不具备占领光刻设备市场主流的能力。
- 蒋文波胡松
- 关键词：分辨力下一代光刻
- 电子束光刻制备5000line/mm光栅掩模关键技术研究被引量：4
- 2008年
- 为了制备高线密度X射线透射光栅掩模,分析了电子束光刻中场拼接对高线密度光栅图形的影响;利用几何校正技术和低灵敏度的950 k的PMMA电子束抗蚀剂,克服了电子束的邻近效应对厚胶图形曝光的影响。采用电子束光刻和微电镀的方法制备了5000 line/mm X射线透射光栅的掩模,并将栅线宽度精确控制在100 nm^110 nm,为X射线光刻复制高线密度X射线透射光栅创造了有利条件。
- 朱效立谢常青赵珉陈宝钦叶甜春牛洁斌张庆钊刘明
- 关键词：电子束光刻邻近效应校正X射线光刻
- 高高宽比硬X射线聚焦波带片的制作被引量：2
- 2008年
- 相对于软X射线显微成像,硬X射线显微成像对菲涅尔波带片的吸收体厚度提出了更高的要求。采用电子束光刻和X射线光刻复制的方法,在聚酰亚胺薄膜上成功制作了高高宽比的菲涅尔波带片。首先利用电子束光刻和微电镀技术制作了X射线光刻的掩模,然后利用X射线光刻和微电镀制作了高高宽比、线条侧壁陡直的菲涅尔波带片。复制后的波带片最外环宽度500 nm,直径1 mm,吸收体金厚度为3.6μm,高宽比达到7.2,可用于10 keV^25 keV的硬X射线成像。
- 吴璇陈军宁朱效立牛洁斌李亚文胡松胡松
- 关键词：硬X射线X射线光刻电子束直写
- 接近式光刻机间隙分离机构设计被引量：1
- 2008年
- 为满足接近式光刻设备中基片和掩模间隙分离的要求,设计了微动分离间隙机构。该结构由螺旋差动机构和杠杆机构组成。采用两同轴且旋向相同,螺距分别为0.7mm和0.8mm的差动螺旋副实现2μm的微动分辨力,进一步经1:2杠杆位移缩小机构实现1μm的间隙分离微调分辨力。试验表明,该机构达到了设计要求,满足了工作需要。
- 佟军民宁玉伟严伟胡松
