陕西省科技攻关计划(2010k09-01)
- 作品数：3 被引量：19H指数：2
- 相关作者：王肖烨李言李淑娟袁启龙郑建明更多>>
- 相关机构：宝鸡文理学院西安理工大学更多>>
- 发文基金：陕西省科技攻关计划国家自然科学基金陕西省教育厅规划基金更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺航空宇航科学技术一般工业技术更多>>
- 旋转条件下切割SiC单晶片实验研究
- 2010年
- 通过旋转条件下切割SiC单晶片,分析了切片表面微观形貌特点,研究了线锯速度、工件进给速度和工件转速对切片表面粗糙度与切向锯切力的影响规律。结果表明:增加工件旋转,切片表面平整光滑,沿线锯运动方向没有明显沟槽及凸起,质量明显得到改善;当转速由0增加到12 r/min时,切片表面粗糙度由1.532μm降到0.513μm;线锯速度和工件旋转速度增大、工件进给速度减小,切向锯切力减小,表面粗糙度减小。当线锯速度和工件旋转速度过大,切向锯切力和表面粗糙度反而会有所增加。
- 王肖烨李言李淑娟肖强
- 关键词：SIC单晶片锯切力线锯进给速度表面微观形貌
- 超声辅助线锯切割SiC单晶实验研究被引量：17
- 2012年
- 针对单晶SiC切割过程切割效率低,加工表面粗糙度和表面不平度差以及线锯磨损和断裂严重等问题,提出采用线锯横向施加超声振动的方法切割单晶SiC。通过实验对比研究了普通切割与超声辅助切割两种切割工艺,结果表明:与普通切割相比,超声辅助切割单晶SiC,锯切力减小37%～52%,且减小趋势随工件进给速度的增大更明显;切片表面粗糙度降幅约为26%～55%,晶片表面形貌均匀,无划痕,明显优于普通切割方法所获得的表面;线锯磨损降低约近40%;切割效率提高近56%。
- 李言王肖烨李淑娟郑建明袁启龙
- 关键词：SIC单晶表面粗糙度
- 工艺参数对SiC单晶片切割表面质量的影响被引量：2
- 2012年
- SiC单晶片表面质量对其后续半导体器件的制造有很大影响,但其材料的高硬度和高脆性,使切片过程变得非常困难。本文在往复式电镀金刚石线切割装置上采用单因素和正交法进行了SiC单晶切割实验,研究了工件转速、线锯速率、工件进给速率、线锯磨损对晶片表面粗糙度的影响规律以及三维形貌特点。结果表明:附加工件旋转运动,晶片表面质量提高,划痕减少、深度变浅;线速增大、工件旋转速率增大或工件进给速率减小,表面粗糙度值减小;线锯磨损晶片表面粗糙度值增大。相对线速和线锯磨损,工件转速和工件进给速率对晶片表面质量及粗糙度的影响更大。应在综合考虑效率和线锯损耗的基础上合理确定切割参数,尤其是工件进给速率。
- 王肖烨李言李淑娟袁启龙杨明顺
- 关键词：金刚石线锯工艺参数
