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低扩散系数对Pd_(77)Cu_6Si_(17)合金易非晶化的影响被引量：6: 2010年; 采用激光熔凝技术,研究了Pd77Cu6Si17合金快速凝固组织的演变规律.研究表明:随着生长速度的增大,Pd77Cu6Si17合金晶体生长组织形貌发生了Pd3Si枝晶+共晶-ξ枝晶+共晶-共晶团簇-规则共晶-非晶的转变;共晶失稳即非晶形成的临界生长速度为6mm/s,最小层片间距为35nm.通过与Al-25wt%Sm,Al-32.7wt%Cu两种合金的快速凝固行为进行比较,提出Pd77Cu6Si17合金低扩散系数是其共晶失稳向非晶转变、易非晶化的主要原因。; 王振中王楠姚文静; 关键词：非晶激光表面熔凝

四方晶相HfO_2电子结构和光学性质研究被引量：2: 2008年; 采用密度泛函理论(DFT)框架下的局域密度近似(LDA),计算了四方HfO2晶体的电子结构,包括能带结构和态密度。在此基础上计算了四方HfO2晶体的光学线性响应函数,包括复介电函数、吸收光谱、复折射率和光电导谱。通过比较发现,计算结果与实验结果吻合较好,说明采用密度泛函理论的局域密度近似来计算HfO2材料的光学性质是比较可靠的。; 许冰刘正堂冯丽萍; 关键词：电子结构光学性质赝势

氧气对磁控溅射HfO_2薄膜电学性能的影响被引量：4: 2010年; 采用射频磁控溅射法在无氧和有氧气氛下制备了HfO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、椭圆偏振光谱(SE)以及电容-电压(C-V)测试对薄膜的结构、成分、HfO2/Si界面和HfO2栅介质MOS结构的电学性能等进行了分析表证。结果表明,溅射过程中通入氧气后,薄膜出现了较明显的结晶化;薄膜的氧化程度得到提高,成分更接近理想化学计量比HfO2。在HfO2/Si界面处存在的SiO2界面层,有氧条件下界面层的厚度增大。氧气的通入改善了HfO2栅介质MOS结构的电学性能。; 刘文婷刘正堂闫锋田浩刘其军; 关键词：射频磁控溅射 HFO2薄膜界面层电学性能

立方晶相HfO_2电子结构与光学性质的第一性原理计算被引量：9: 2008年; 利用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法计算了立方晶相二氧化铪(c-HfO2)的电子结构,得到了c-HfO2的总态密度、分波态密度和能带结构。经带隙校正后,计算了c-HfO2的光学线性响应函数随光子能量的变化关系,包括复介电函数、反射率、复折射率以及光学吸收系数,并从理论上给出了c-HfO2材料光学性质与电子结构的关系。经比较发现,对c-HfO2的电子结构和光学性质的计算结果与已有的实验数据和其它理论研究吻合得较好,从而为c-HfO2光电材料的设计与应用提供了理论依据。同时,计算结果也表明采用密度泛函理论的广义梯度近似来计算和预测c-HfO材料的电子结构和光学性质是比较可靠的。; 冯丽萍刘正堂许冰; 关键词：光学性质电子结构第一性原理

快速退火对HfO_2高k薄膜结构和电学性能的影响: 2010年; 文章采用射频反应磁控溅射法在p型Si(100)衬底上制备了HfO2高k薄膜,并对样品进行了N2气氛快速退火处理。对薄膜进行了Raman光谱、UV-VIS-NIR透过光谱、XPS以及C-V特性的分析,研究了快速退火对HfO2薄膜结构、成分、禁带宽度和电学特性的影响。结果表明,HfO2薄膜有良好的非晶稳定性,组分基本符合化学剂量比。经N2气氛快速退火处理后,薄膜的化学剂量比得到改善,禁带宽度增大,且薄膜内的固定电荷密度和平带电压偏移减小。; 谭婷婷刘正堂刘文婷; 关键词：快速退火电学性能

六方HfB_2弹性性质、电子结构和光学性质的第一性原理计算被引量：2: 2010年; 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了六方HfB2的几何结构、弹性性质、电子结构和光学性质.计算得到的晶格常数和弹性常数均与实验值相符,并说明了六方HfB2的晶体结构是稳定的;通过Reuss-Voigt-Hill模型计算得到了六方HfB2的体积、剪切、杨氏模量及泊松比,同时获得了六方HfB2的德拜温度,计算结果都与实验值相一致;六方HfB2的电子结构表明其具有金属性和共价性;计算得到六方HfB2在(100)和(001)方向上的光学线性响应函数随光子能量的变化关系,包括复介电函数、复折射率、反射光谱、吸收光谱、损失函数和复光电导谱,计算得到其静态介电常数在(100)和(001)方向上分别为47.92和27.77,折射率分别为6.93和5.27,计算结果表明了六方HfB2在(100)和(001)方向上具有光学各向异性,这为六方HfB2的应用提供了理论参考数据.; 刘其军刘正堂冯丽萍; 关键词：电子结构光学性质第一性原理

单晶合金激光熔凝过程中晶向对单晶完整性的影响被引量：4: 2010年; 运用几何模型对单晶合金激光熔凝过程中激光扫描方向与[100]方向夹角ξ变化时熔池内的枝晶生长方向和速度进行了计算,研究了ξ增大时不同晶向区域的分布变化规律.发现随着ξ的增大,[010]区域增大,[010]区域减小,且熔池两边不同部分速度差别增强.根据速度变化规律,构造出了熔池不同部位的过冷区域变化图,说明了可能出现新晶粒的趋势变化,并与实验结果进行了比较,揭示了在晶向不同的交界区域产生新晶粒的内在机理.; 唐林峰王楠管强姚文静; 关键词：单晶合金激光熔凝晶向

退火对栅介质SrHfON薄膜性能的影响: 2012年; 采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备新型栅介质SrHfON薄膜。采用X射线衍射(XRD)仪、高分辨透射电镜(HRTEM)和X射线光电子谱(XPS)分析退火对SrHfON薄膜的界面形态、薄膜的结构和电学性能的影响。结果表明,SrHfON薄膜经900℃退火后仍保持非晶态,表现出良好的热稳定性。SrHfON薄膜与Si衬底的界面主要由HfSixOy和SiO2组成。以SrHfON薄膜为栅介质的MOS电容结构具有较小的漏电流密度,并且漏电流密度随着退火温度的升高而减小。在外加偏压(Vg)为+1V时样品在沉积态和900℃退火后的漏电流密度分别为4.3×10-6和1.2×10-7A/cm2。研究表明,SrHfON薄膜是一种很有希望替代SiO2的新型栅介质材料。; 刘璐刘正堂冯丽萍田浩刘其军王雪梅; 关键词：栅介质射频磁控溅射

高K栅介质HfSi_xO_y薄膜的制备工艺与结构分析被引量：2: 2009年; 采用射频磁控溅射法制备HfSixOy薄膜,系统研究工艺参数对HfSixOy薄膜沉积速率的影响规律。对沉积态和退火HfO2和HfSixOy薄膜的结构进行了对比分析。结果表明:HfSixOy薄膜的沉积速率随射频功率、Ar气体流量和粘贴Si面积的增大而增大,随溅射气压的增大而减小。衬底未加热时,制备的HfSixOy和HfO2薄膜均呈非晶态,随着衬底加热温度的上升,HfO2薄膜呈多晶态,而HfSixOy薄膜呈非晶态。HfSixOy薄膜在800℃退火后仍呈非晶态,而HfO2薄膜在400℃退火后已明显晶化,这表明HfSixOy薄膜具有较高的热稳定性。; 沈雅明刘正堂冯丽萍刘璐许冰; 关键词：高K栅介质射频磁控反应溅射沉积速率

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西北工业大学基础研究基金(NPU-FFR-W018108)