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西安应用材料创新基金

作品数：214 被引量：638H指数：11
相关作者：来新泉杨银堂刘红侠赵高扬田泽更多>>
相关机构：西安电子科技大学西北工业大学西安交通大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 213篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

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  • 25篇自动化与计算...
  • 24篇一般工业技术
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  • 1篇金属学及工艺
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主题

  • 16篇电路
  • 13篇电性能
  • 13篇噪声
  • 12篇介电
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  • 11篇介电性
  • 11篇介电性能
  • 11篇CMOS
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  • 10篇互连
  • 9篇带隙基准
  • 9篇溶胶
  • 9篇放大器
  • 7篇微机电系统
  • 7篇机电系统
  • 7篇电系统
  • 5篇低功耗
  • 5篇有限元
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机构

  • 78篇西安电子科技...
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  • 21篇西北大学
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  • 2篇近畿大学
  • 1篇桂林电子科技...
  • 1篇电子科技大学

作者

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  • 13篇杨银堂
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  • 7篇李攀
  • 7篇柴常春

传媒

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年份

  • 4篇2013
  • 5篇2012
  • 11篇2011
  • 28篇2010
  • 49篇2009
  • 71篇2008
  • 47篇2007
  • 3篇2006
共 214 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Al2O3绝缘层的AlGaN/GaN MOSHEMT器件研究被引量：5
2008年
在研制AlGaN/GaNHEMT器件的基础上,采用ALD法制备了Al2O3AlGaN/GaNMOSHEMT器件.通过X射线光电子能谱测试表明在AlGaN/GaN异质结材料上成功淀积了Al2O3薄膜.根据对HEMT和MOSHEMT器件肖特基电容、器件输出以及转移特性的测试进行分析发现:所制备的Al2O3薄膜与AlGaN外延层间界面态密度较小,因而MOSHEMT器件呈现出较好的栅控性能;其次,该器件的栅压可以加至+3V,此时的最大饱和电流达到800mA/mm,远远高于肖特基栅HEMT器件的最大输出电流;而且栅漏反偏状态下的泄漏电流却减小了两个数量级,提高了器件的击穿电压,通过进一步分析认为泄漏电流主要来源于Fowler-Nordheim隧穿.
冯倩郝跃岳远征
关键词：AL2O3泄漏电流高电子迁移率晶体管ALGAN/GAN异质结原子层淀积
牺牲层刻蚀实验的在线观察与研究被引量：2
2007年
设计了多种测试结构,采用在线实时观测的手段,深入研究了氢氟酸(HF)刻蚀二氧化硅牺牲层中,多种因素对刻蚀过程产生的影响,并对实验结果进行了详细分析.实验中可以明显观察到刻蚀过程中的反应限制阶段与扩散限制阶段,说明经过长时间的刻蚀,HF酸的扩散效应将成为影响刻蚀速率的主导因素.对于实验过程中观察到的"凹"状的刻蚀前端和"晕纹"现象,分析认为结构中的应力梯度以及材料间不同的亲水性质是产生这些现象的主要原因.实验方法与结论对MEMS牺牲层释放工艺的研究具有一定的参考意义.
梁庆苑伟政虞益挺乔大勇
关键词：微机电系统牺牲层刻蚀速率
金属互连电迁移噪声的分形特征被引量：2
2007年
为了研究金属互连电迁移失效机理并寻找新的电迁移表征参量,应用分形理论,通过电子扩散轨迹分形维数,将电迁移噪声时间序列分形维数与晶粒间界分形维数相联系,确定了噪声时间序列分形维数在电迁移演变中的变化趋势.研究结果表明,在金属互连电迁移前期,晶粒间界形貌越来越复杂,致使噪声时间序列的分形维数逐渐增大;成核后,由于空位凝聚成空洞,晶粒间界形貌变得较成核前规则,致使噪声时间序列的分形维数减小;成核时刻是其转折点.实验结果证明理论分析的正确性,噪声时间序列的分形维数可望作为金属互连电迁移演变的表征参量.
陈春霞杜磊何亮胡瑾黄小君卫涛
关键词：电迁移金属互连分形
薄膜残余应力对MEMS微型光栅性能的影响
2007年
微型光栅结构薄膜中由于残余应力的存在引起器件在光学和机械性能方面发生显著变化.有限元仿真和分析结果表明,膜内的残余拉应力越大,越利于提高和改善器件工作过程中的光学效率.然而,残余拉应力的增加将显著增大结构工作时的驱动电压,使驱动电路的设计与制作更加复杂;同时,还将导致结构的最大工作位移明显减小,极大限制了光栅的应用领域.另外,残余拉应力的增加也会使结构的共振频率变大,从而影响器件的工作带宽.因此,为了使光栅的使用和工作性能满足设计指标要求,在设计当中就要充分并折中考虑残余应力对各个性能参数的影响,并且在随后的加工和制作过程中对其进行严格控制.
虞益挺苑伟政梁庆乔大勇
关键词：残余应力有限元仿真
90 nm CMOS工艺下串扰延迟及其测量电路的研究
2007年
仿真分析了90nmCMOS工艺中串扰延迟的趋势,结果表明,90nmCMOS工艺下1mm的连线延迟远大于单位门的延迟,最坏情况下1mm连线延迟约为单位门延迟的6倍,而当线间耦合电容发生作用时,串扰延迟在连线延迟中起主要作用。提出了一种用于测量超深亚微米工艺串扰延迟的新型电路,电路主要由VCO和几个触发器组成,采用HSPICE对电路进行了仿真,结果表明所提出的电路最大测量误差为1.33%。
杨媛高勇余宁梅
关键词：CMOS工艺
嵌入式SRAM的优化修复方法及应用被引量：4
2008年
为了提高SRAM的成品率并降低其功耗,提出一种优化的SRAM.通过增加的冗余逻辑及电熔丝盒来代替SRAM中的错误单元,以提高其成品率;通过引入电源开启或关闭状态及隔离逻辑降低其功耗.利用二项分布计算最佳冗余逻辑,引入成品率边界因子判定冗余逻辑的经济性.将优化的SRAM64K×32应用到SoC中,并对SRAM64K×32的测试方法进行了讨论.该SoC经90 nm CMOS工艺成功流片,芯片面积为5.6 mm×5.6 mm,功耗为1997 mW.测试结果表明:优化的SRAM64K×32在每个晶圆上的成品率提高了9.267%,功耗降低了17.301%.
周清军刘红侠吴笑峰王江安胡仕刚
关键词：低功耗
通孔尺寸对铜互连应力迁移失效的影响被引量：5
2008年
在200℃温度下进行了700h双层铜互连(M1/M2)的应力迁移加速老化试验,结合有限元分析和聚焦离子束(focused-ion-beam,简称FIB)技术研究了通孔直径分别为500和350nm的铜互连应力诱生空洞失效现象,探讨了应力诱生空洞的形成机理,并分析了通孔尺寸对铜互连应力迁移的影响.结果表明,M1互连应力和应力梯度在通孔底部边缘处达到极大值.应力梯度在应力诱生空洞成核过程中起主导作用,由张应力产生的过剩空位在应力梯度作用下沿CuM1/SiN界面作扩散运动并在应力梯度极大值处成核生长成空洞.由于M1互连应力沿横向方向变化较快,因此应力诱生空洞的横向生长速率较大.当通孔直径增大时,互连应力和应力梯度值增大,并导致应力诱生空洞的生长速率上升.
吴振宇杨银堂柴常春李跃进汪家友刘彬
关键词：铜互连
硅基光波导芯层材料及波导分束器的制备被引量：3
2009年
本文采用溶胶-凝胶法制备了具有紫外感光性的SiO2/ZrO2/H有机无机复合薄膜,利用分光式椭偏仪测得该薄膜在光纤的常用通信窗口0.85μm、1.31μm和1.55μm波长附近折射率分别为1.556 9、1.548 9和1.547 2,与下包层SiO2的折射率(1.46)相比,其折射率差比δ分别为6.64%,6.09%和5.97%,可作为芯层材料用于光波导的制备.通过控制提拉速率可以制作出厚度分别为1.29,2.20,4.00,5.44和6.82μm的SiO2/ZrO2/H芯层薄膜,以满足0,1,2,3和4阶导模的传输要求.进而利用该薄膜自身的感光特性结合紫外掩模法,制备出相应厚度的1×8Y分支光功率分配器.通光实验表明,该光功分器能够将1.53～1.56μm波长的光限制在波导内,实现光的传输和分束功能.
王哲哲赵高扬张晓磊雷瑛
关键词：有机无机复合Y分支光功率分配器
深亚微米SOAN MOSFETs的高温应用分析与结构优化
2008年
在300～600K温度范围内分析并模拟了栅长为100nm的SOI（Silicon On Insulator）和SOAN（Silicon On Aluminum Nitride）MOSFETs的输出特性和有源区温度分布，得出了SOAN器件更适合高温应用的结论；针对高温应用环境，对SOAN器件结构参数及工艺参数进行优化，得出了各个参数的优化值，并使用优化后参数仿真CMOS反相器的瞬态特性，结果显示在环境温度为300K和500K时，SOANCMOS门极延迟分别为19ps、25．5ps；而SOI CMOS的门极延迟在相同的温度下分别为28．5ps、35．5ps。
杨媛高勇巩鹏亮刘静
关键词：高温SOI结构优化
有限包络圆族的快速生成方法及其在二维布局优化中的应用被引量：6
2009年
为了有效地实施有限包络圆族方法(FCM),大幅度减少包络圆数目,达到一圆多用、圆尽其用的目的,提出3种FCM自动化建模方法:二分法、三步划分法和带间隙的改进三步划分法.二分法利用组件各边长度和设置的容差大小得到该边的候选包络圆,若该圆不满足组件所有边的容差要求,则将该边不断地对分,直至所得到的包络圆满足各边的容差要求;三步划分法和带间隙的改进三步划分法则以组件区域为划分对象,依次对组件多边形凸顶角、凸扇形区和多边形各边剩余线段划分包络圆,且带间隙的改进三步划分法则允许包络圆在组件边界上以适当的间隙分布.最后通过算例表明,三步划分法和带间隙的改进三步划分法能用尽量少的包络圆逼近二维组件,在组件装填布局优化设计中明显提高了组件装填布局优化效率.
张桥张卫红
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