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河南省高校青年骨干教师资助项目(2009GGJS-044)

作品数：6 被引量：26H指数：3
相关作者：徐国亮刘玉芳张现周袁伟刘雪峰更多>>
相关机构：河南师范大学四川大学更多>>
发文基金：河南省高校青年骨干教师资助项目河南省教育厅自然科学基金河南省基础与前沿技术研究计划项目更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 6篇理学

主题

  • 5篇电场
  • 5篇外电场
  • 4篇分子
  • 3篇外电场作用
  • 2篇激发态
  • 2篇发光
  • 1篇电致发光
  • 1篇外场作用
  • 1篇吸收谱
  • 1篇密度泛函
  • 1篇基态
  • 1篇基态结构
  • 1篇激发光谱
  • 1篇光激发
  • 1篇光谱
  • 1篇含时密度泛函
  • 1篇发光特性
  • 1篇泛函
  • 1篇SI
  • 1篇SIN

机构

  • 6篇河南师范大学
  • 1篇四川大学

作者

  • 6篇徐国亮
  • 5篇张现周
  • 5篇刘玉芳
  • 3篇袁伟
  • 3篇刘雪峰
  • 2篇夏要争
  • 2篇谢会香
  • 1篇朱正和
  • 1篇韩梦媛
  • 1篇吕文静
  • 1篇刘培
  • 1篇孙金锋
  • 1篇耿振铎
  • 1篇张琳
  • 1篇郭雁
  • 1篇刘雪平
  • 1篇吴苗
  • 1篇刘梦楠

传媒

  • 4篇物理学报
  • 1篇河南师范大学...
  • 1篇原子与分子物...

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 3篇2010
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
外电场作用下Si_2O分子的激发特性被引量：2
2010年
主要对2种Si2O分子异构体的激发特性进行研究,由计算结果可知,外电场对Si2O分子的激发能,振子强度,跃迁偶极矩及吸收光谱有着显著的影响.无外电场时三角型Si2O(C2v,1A1)分子在可见光区无吸收谱,外电场作用下其在可见光区(407.18—526.93nm)有比较弱的吸收谱.直线型Si-Si-O(C∞v,3Σ-)分子在有无外电场作用时在蓝光和紫光区均有一定的吸收谱,其中比较难得的是在蓝色光区(478.88—488.59nm)呈现较强的吸收谱.
徐国亮刘雪峰夏要争张现周刘玉芳
关键词：外电场吸收谱
外电场作用下TiO光激发特性研究被引量：4
2010年
利用密度泛函BLYP方法优化得到了TiO分子的稳定构型,并计算了TiO分子基态在外场作用下前线轨道变化情况,然后利用杂化组态相互作用CIS-DFT方法,比较了TiO分子在外电场下的激发特性.结果表明,在一定的电场范围内,随着电场的增大,α轨道的最高占据轨道与最低空轨道能隙逐渐变小,β轨道能隙逐渐变大,同时可跃迁的低激发态跃迁波长随电场的增大而变长,高激发态波长变化相对复杂,且基态跃迁至激发态的耦合强度随外电场的增大而加强.
徐国亮夏要争刘雪峰张现周刘玉芳
关键词：TIO激发态外电场
外场作用下蒽分子的激发特性研究被引量：7
2013年
蒽(anthracene)具有良好的热稳定性以及较高的荧光量子产率的优点,是最早用于研究有机发光器件(organic light-emitting device,OLED)的材料之一.在本文中,主要利用量子化学方法研究了不同外电场对蒽分子激发特性的影响规律.首先采用密度泛函理论(density functional theory,DFT)在6-311G(d,p)基组水平上对蒽分子基态结构进行优化,基于稳定基态结构,利用含时密度泛函(time-dependent density functional theory,TDDFT)以及同一基组水平,计算出蒽分子的前十个激发态的激发能、跃迁偶极矩、振子强度和紫外吸收光谱等数据.然后以密度泛函B3P86方法优化出的不同外电场下蒽分子基态结构为基础,使用TDDFT方法研究了不同外电场对蒽分子前线轨道能级和激发特性的影响规律.结果显示,无场时蒽分子在紫外区域234.50nm处有一个较强的吸收峰,对应基态电子跃迁至第5激发态吸收光子波长;在外电场作用下,蒽分子电子由基态跃迁到激发态的各项光谱参数均有显著变化,加场后蒽分子的吸收光谱发生了红移,由紫外波段移向了紫外-可见光波段,与实验值相符合.分子前线轨道的计算结果也表明蒽分子的最高占据轨道(highest occupied molecular orbital,HOMO)和最低未占据轨道(lowest unoccupied molecular orbital,LUMO)能量差值在不同电场下存在差异.
徐国亮袁伟耿振铎刘培张琳张现周刘玉芳
关键词：外电场
一氧化硅电致激发光谱理论研究
2013年
采用含时密度泛函(Time-dependent density functional theory)TDDFT/6-311++g(d,p)方法研究了一氧化硅分子能量最低的10个单重激发态的激发波长和跃迁振子强度等激发光谱参数.同时利用原子与分子物理相关理论分析了外电场对一氧化硅分子激发光谱的影响规律.得到的结论是,随外电场强度增强,一氧化硅分子激发态跃迁光谱向可见光区域发生红移.该结果为通过外电场调制材料发光特性提供了理论支持.
徐国亮袁伟郭雁韩梦媛吴苗刘雪平刘梦楠吕文静孙金锋朱正和
关键词：SIO电致发光激发态含时密度泛函
外电场作用下Si3O3分子的基态结构及激发特性
2010年
采用杂化CIS-DFT方法,计算了不同外电场作用下Si3O3分子的基态结构参数,在此基础上研究了分子由基态到前8个激发态的激发能,吸收光谱,振子强度,跃迁矩阵元等激发特性.由计算结果可知,分子的基态结构及激发特性对外电场有着较强的依赖关系.
徐国亮刘雪峰谢会香刘玉芳张现周
关键词：外电场
SiN分子外电场情况下的发光特性被引量：13
2012年
为全面分析外电场对分子发光特性的影响,本文采用密度泛函B3P86方法6-31g(d)基组,对SiN分子进行了基态结构的优化,进而使用含时密度泛函方法(time dependent density functional theory,TDDFT),计算了不同方向及大小的外电场情况下SiN分子的吸收谱、激发能、振子强度、跃迁偶极矩.通过比较发现外电场对该分子的激发能、吸收谱、跃迁振子强度及跃迁偶极矩影响都比较明显,说明了电场对SiN分子的激发特性影响比较复杂,特别是在加场前后分子均有在可见光区波段的吸收谱,这对研究分子的发光很有意义.同时对该分子所发可见光谱的产生机理进行了分析,并与已有实验结果进行比较.
徐国亮谢会香袁伟张现周刘玉芳
关键词：SIN外电场
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