山西省自然科学基金(2012011020-2)
- 作品数：3 被引量：10H指数：1
- 相关作者：曹力宁蔡克新李斌王英民王利忠更多>>
- 相关机构：中国电子科技集团公司第二研究所山西烁科晶体有限公司更多>>
- 发文基金：山西省自然科学基金国际科技合作与交流专项项目中国电子科技集团公司创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 籽晶偏向对高纯半绝缘4H-SiC晶体影响的研究
- 2019年
- 采用PVT法得到高纯4H-SiC体单晶。研究了0°、1°、4°晶体对晶体台阶流、晶体结晶质量、晶体缺陷、晶体电学性能的影响;晶体台阶流采用奥林巴斯显微镜进行表征,晶体缺陷采用莱卡体系显微镜进行表征,晶体结晶质量采用高分辨XRD进行表征,晶体电学性能采用非接触电阻率测试仪进行表征。实验结果表明:4°籽晶生长的晶体缺陷最少,1°与4°籽晶生长的晶体结晶质量相当,0°籽晶生长的晶体电学性能最均匀。
- 侯晓蕊王英民魏汝省李斌王利忠田牧刘燕燕淮珍王程王光耀
- 关键词：籽晶电学性能
- LCD玻璃划切机控制系统设计被引量：10
- 2013年
- 液晶显示(LCD)以其小型化和节能化等优势成为显示器的主流技术,玻璃划切机是液晶显示器生产的主要工艺装备。主要分析了LCD玻璃切割工艺、设备结构组成和功能指标需求,重点介绍了控制系统的划切定位精度控制、划切压力控制和控制软件设计方法。经过实际生产应用,玻璃划切机控制系统设计具有一定的先进性和稳定性。
- 蔡克新曹力宁
- 关键词：液晶显示器玻璃切割
- 退火对掺钒半绝缘4H-SiC晶片质量影响的研究
- 2013年
- 通过物理气相传输(PVT)法成功地生长出直径大于7.62 cm的掺钒半绝缘4H-SiC晶体。抛光后的掺钒半绝缘4H-SiC晶片在真空且温度1 600℃～2 000℃条件下进行退火处理,利用高分辨X-ray衍射仪、显微拉曼光谱仪、非接触电阻率测试仪和应力仪对退火前后的晶片进行了测试与分析,研究了退火工艺对掺钒半绝缘4H-SiC晶片应力的影响,并且得到了合适的退火工艺。结果表明:合适的退火处理有利于进一步提高晶片的质量。
- 王利忠王英民李斌毛开礼徐伟侯晓蕊
- 关键词：退火应力
