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国防科技重点实验室基金(9140C0703041003)

作品数：1 被引量：36H指数：1
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相关机构：中国电子科技集团第十四研究所更多>>
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇宽带
  • 1篇宽带放大器
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇功率合成
  • 1篇放大器
  • 1篇高功率放大器
  • 1篇S波段
  • 1篇GAN

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇刘登宝
  • 1篇余振坤

传媒

  • 1篇微波学报

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
S波段宽带GaN芯片高功率放大器的应用研究被引量：36
2011年
介绍了一种采用阻抗匹配技术和功率合成技术相结合的方法,利用4只GaN HEMT功率芯片研制成功的S波段宽带、大功率、高功率密度放大器。具体的技术途径是通过预匹配技术提高芯片输入阻抗,运用切比雪夫匹配法实现宽带阻抗匹配,优化隔离电阻增加合成支路间的隔离度,同时提高电路的稳定性。放大器最终实现的性能指标是:脉宽300μs,占空比10%,S波段30%相对带宽内脉冲输出功率大于65W,附加效率大于45%。由此进一步表明了此类GaN芯片高功率放大器相对于Si和GaAs功率器件放大器在带宽和功率密度等性能上具有较大的优势并具有广阔的工程应用前景。
余振坤刘登宝
关键词：功率合成宽带放大器
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