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国家自然科学基金(9140A02011406ZK03)

作品数:2 被引量:21H指数:2
相关作者:王勇刚王俊刘素平崇锋冯小明更多>>
相关机构:中国科学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 1篇电光
  • 1篇电光效率
  • 1篇功率
  • 1篇光腔
  • 1篇光效
  • 1篇光效率
  • 1篇二极管阵列
  • 1篇高功率激光
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体激光
  • 1篇半导体激光器
  • 1篇GAASP
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇大功率
  • 1篇大光腔
  • 1篇高功率

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇马骁宇
  • 2篇冯小明
  • 2篇崇锋
  • 2篇刘素平
  • 2篇王俊
  • 2篇王勇刚
  • 1篇白一鸣
  • 1篇仲莉
  • 1篇王翠鸾
  • 1篇刘媛媛
  • 1篇张广泽
  • 1篇韩琳

传媒

  • 2篇中国激光

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
60%电光效率高功率激光二极管阵列被引量:5
2008年
设计并制备了980 nm高量子效率和极低光损耗的激光二极管(LD)外延材料和器件。微通道封装1 cm激光二极管阵列在连续(CW)工作条件下最大电光效率达到60.0%,相应的斜率效率和输出光功率分别为1.1 W/A和38.2 W。测试得到外延材料的内损耗系数和内量子效率分别为0.58 cm-1和91.6%。测试分析表明,器件电光效率的提高主要在于新型的InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱和大光腔结构设计。
王俊白一鸣崇锋刘媛媛冯小明王勇刚张广泽刘素平马骁宇
关键词:半导体激光器电光效率大光腔
808nm大功率无铝有源区非对称波导结构激光器被引量:18
2007年
采用分别限制非对称波导结构,将光场从对称分布变为非对称分布,降低了载流子光吸收损耗,并允许p型区具有更高的掺杂水平,从而使器件电阻降低。对GaAsP/GaInP张应变单量子阱(SQW)非对称波导结构激光器的光场特性进行了理论分析,设计了波导层厚度,并制作了波长为808 nm的无铝有源区大功率半导体激光器.器件综合特性测试结果为:腔长900μm器件的阈值电流密度典型值为400 A/cm^2,内损耗低至1.0 cm^-1;连续工作条件下,150μm条宽器件输出功率达到6 W,最大斜率效率为1.25 W/A.器件激射波长为807.5 nm,平行和垂直结的发散角分别为3.0°和34.8°。20~70℃范围内特征温度达到133 K。结果表明,分别限制非对称波导结构是降低内损耗,提高大功率半导体激光器特性的有效措施。
仲莉王俊冯小明王勇刚王翠鸾韩琳崇锋刘素平马骁宇
关键词:激光器
共1页<1>
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