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国家自然科学基金(50572018)

作品数:1 被引量:2H指数:1
相关作者:王猛夏士兴吕维强杨春晖马天慧更多>>
相关机构:哈尔滨工业大学更多>>
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相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电子顺磁共振
  • 1篇顺磁共振
  • 1篇密度泛函
  • 1篇密度泛函理论
  • 1篇泛函
  • 1篇泛函理论

机构

  • 1篇哈尔滨工业大...

作者

  • 1篇朱崇强
  • 1篇马天慧
  • 1篇杨春晖
  • 1篇吕维强
  • 1篇夏士兴
  • 1篇王猛

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2008
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
ZnGeP_2晶体点缺陷的研究进展被引量:2
2008年
ZnGeP_2晶体是具有重要应用背景的红外非线性光学材料.晶体中的点缺陷严重限制了ZnGeP_2晶体的应用发展.本工作介绍了ZnGeP_2晶体点缺陷的最新研究进展情况.首先,利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP_2晶体的点缺陷.主要存在缺陷是受主缺陷V_(Zn)^-及施主缺陷V_P^0和Ge_(Zn)^+,其相应的缺陷能级分别为E(V_(Zn)^-)=Ec-(1.02±0.03)eV,E(V_P^0)=Ev+(1.61±0.06)eV和E(Ge_(Zn)^+)=Ev+(1.70±0.03)eV.对晶体作了电子照射及高温退火等处理后,又分别发现了两种缺陷V_(Ge)^(3-)和V_P^0其次,利用全势能线性muffin-tin轨道组合法模拟研究了ZnGeP_2晶体的点缺陷.主要存在缺陷及缺陷能级的计算结果与实验结果基本一致,但由于理论模拟与实际情况还存在差距,有些计算结果与实验结果相矛盾.因此,将实验与理论有机结合研究晶体的点缺陷是今后研究的重点.
朱崇强杨春晖王猛夏士兴马天慧吕维强
关键词:电子顺磁共振密度泛函理论
共1页<1>
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