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国家自然科学基金(50572056)

作品数:12 被引量:79H指数:4
相关作者:王矜奉郑立梅杜鹃臧国忠盖志刚更多>>
相关机构:山东大学聊城大学武汉理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金山东省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程理学电子电信更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 9篇一般工业技术
  • 8篇电气工程
  • 2篇化学工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 10篇压电
  • 8篇压电陶瓷
  • 7篇无铅
  • 6篇压电常数
  • 6篇陶瓷
  • 6篇无铅压电
  • 6篇无铅压电陶瓷
  • 4篇铌酸
  • 4篇机电耦合系数
  • 4篇NA
  • 4篇SB
  • 3篇酸盐
  • 3篇铌酸盐
  • 3篇无机非金属
  • 3篇无机非金属材...
  • 3篇非金属材料
  • 3篇O
  • 2篇钽酸盐
  • 2篇居里
  • 2篇居里温度

机构

  • 11篇山东大学
  • 1篇聊城大学
  • 1篇武汉理工大学
  • 1篇中国船舶重工...

作者

  • 10篇王矜奉
  • 8篇郑立梅
  • 6篇臧国忠
  • 6篇杜鹃
  • 5篇盖志刚
  • 4篇王春明
  • 4篇赵明磊
  • 4篇苏文斌
  • 4篇亓鹏
  • 3篇明保全
  • 2篇梁兴华
  • 2篇陈洪存
  • 1篇李吉超
  • 1篇王春雷
  • 1篇张家良
  • 1篇张承琚
  • 1篇徐庆

传媒

  • 4篇电子元件与材...
  • 2篇压电与声光
  • 1篇科学通报
  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇Chines...
  • 1篇Journa...
  • 1篇Scienc...

年份

  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 3篇2007
  • 7篇2006
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
LiCe掺杂对铋层材料K_(0.5)Bi_(2.5)Nb_2O_9的影响被引量:5
2008年
用传统固相烧结法获得了含A位空位的(KBi)0.5-x(LiCe)x/2 x/2Bi2Nb2O9(其中为A位[KBi]空位)系列铋层陶瓷,研究了A位LiCe掺杂替代对K0.5Bi2.5Nb2O9系列陶瓷性能的影响。LiCe掺杂改性明显提高了K0.5Bi2.5Nb2O9系列陶瓷的压电活性,(KBi)0.44(LiCe)0.03 0.03Bi2Nb2O9陶瓷的压电系数d33、平面机电耦合系数kp和厚度振动机电耦合系数kt分别为31 pC/N、5%和22%。
盖志刚王矜奉苏文斌赵明磊王春明杜鹃郑立梅王春雷张家良李吉超
关键词:压电系数
(Na_(0.5)K_(0.5-x)Li_x)NbO_3高温无铅压电陶瓷性能研究被引量:4
2009年
为降低成本,采用传统电子陶瓷工艺制备了(Na0.5K0.5–xLix)NbO3(x=0.057~0.066)无铅压电陶瓷。Li取代K可以明显提高样品的居里温度(tC),x=0.066时样品的tC高达510℃,比纯(Na0.5K0.5)NbO3陶瓷高70℃左右。x=0.064时样品的d33高达212pC/N,kp为45.7%。x=0.063~0.066时样品的tanδ均低于0.020。特别是,x=0.066的样品经450℃退火24h,d33仍高达125pC/N。实验表明,(Na0.500K0.434Li0.066)NbO3是高性能的高温无铅压电陶瓷。
王矜奉亓鹏王春明郑立梅盖志刚
关键词:无机非金属材料无铅压电陶瓷居里温度压电常数
Na补偿的(Na,Bi)TiO_3-Ba(Zr,Ti)O_3无铅压电陶瓷被引量:3
2006年
研究了(1-y)(Na0.5Bi0.5)TiO3-yBa(ZrxTi1-x)O3无铅压电陶瓷,获得压电应变常数d33高达185 pC/N的0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3压电陶瓷。添加0.04%摩尔过量Na2CO3的0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3高性能压电陶瓷d33高达195 pC/N。研究发现添加Na2CO3添加量至0.04%摩尔,Na起到软性添加物的作用,添加量超过0.04%,Na起到硬性添加物的作用.理论解释了过量Na的这一特性.为了降低介电损耗,对0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06 Ba(Zr0.055Ti0.945)O3陶瓷进行了(Ce,Mn)掺杂改性研究。
杜鹃王矜奉赵明磊明保全盖志刚郑立梅徐庆
关键词:无铅压电陶瓷介电常数介电损耗
无铅无铋高性能压电陶瓷
研究环境协调性好的电子材料及其制品已是紧迫任务。铅污染已成为人类公害之一,铋也是毒性物质,对生态环境和人类健康也造成损害,且铋的生产导致了铅和铋的双重污染。本文分析了把铌酸盐作为无铅无铋压电陶瓷加以研究的理由,并采用适合...
王矜奉臧国忠张承琚
关键词:铌酸盐压电常数居里温度
文献传递
高性能(Na_(0.51)K_(0.44)Li_(0.05))Nb_(0.92)Ta_(0.08)O_3-Na_(5.4)Cu_(1.3)Sb_(10)O_(29)无铅压电陶瓷被引量:1
2007年
采用传统的氧化物固溶工艺制备了(Na0.51K0.44Li0.05)Nb0.92Ta0.08O3和助烧剂Na5.4Cu1.3Sb10O29。对(Na0.51K0.44Li0.05)Nb0.92Ta0.08O3添加助烧剂Na5.4Cu1.3Sb10O29的研究表明,助烧剂能大幅度提高(Na0.51K0.44Li0.05)Nb0.92Ta0.08O3的压电和机电耦合性能。质量百分比为4%Na5.4Cu1.3Sb10O29掺杂的(Na0.51K0.44Li0.05)Nb0.92Ta0.08O3具有高的压电应变常数(d33=266pC/N),高的机电耦合系数kt(46.7%)、k33(63.7%),较低的损耗(tanδ=1.8%),和高的居里温度(391℃)。这些参数表明,Na5.4Cu1.3Sb10O29掺杂的(Na0.51K0.44Li0.05)Nb0.92Ta0.08O3是替代锆钛酸铅且具有很好的应用前景的无铅压电陶瓷。
梁兴华王矜奉郑立梅
关键词:无铅压电陶瓷机电耦合系数压电常数
铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的X射线衍射与相变分析被引量:35
2008年
分析了斜方相、四方相铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料的结构和X射线衍射图谱的特点.对于铌酸钾钠基压电材料斜方相结构,从构成晶胞的一个单斜原胞进行分析,计算出X射线衍射谱上每个衍射角附近的衍射峰数目和相对强度.提出了2θ在20°—60°范围内根据(1 0 2)衍射峰(52°附近)和(1 2 1)衍射峰(57°附近)劈裂的数目区分斜方和四方相的新方法.对于多晶陶瓷粉末,可以更简便的由22°(或45°)附近前后峰的相对高低来判断斜方、四方相.
明保全王矜奉臧国忠王春明盖志刚杜鹃郑立梅
关键词:铌酸钾钠无铅压电陶瓷X射线衍射相变
Piezoelectric Properties of(Na0.5K0.5-xLix)NbO3 Ceramics
2007年
无铅的压电的陶艺(Na_(0.5 )K_(0.5x ) Li_x;) NbO_3 (x=0.057-0.066 ) 被一种平常的 sintering 技术综合。为 K 的代替的李能导致结构的失真,它极大地改进居里温度(Tc ) 。由增加适当 LiNbO3 内容,平面模式的压电的经常的 d33 价值活动范围 202-212 pC/N.Electromechanical 系数比报导到达绝缘的损失低于 2.6% 的 44.4%-46.8%.The,它低得多(大约 50%) 。Tc (Na0.5K_(0.5x ) Li_x;) NbO3 (x=0.057-0.066 ) 在 490-510 ° C 的范围,比的高的至少 70 ° C 纯(Na0.5K0.5 ) NbO3 陶艺。结果显示出那(Na0.5K_(0.5x ) Li_x ) NbO3 陶器是一种好无铅的高温度的压电的材料。
Peng QI Jinfeng WANG Baoquan MING Juan DU Xinghua LIANG Limei ZHENG
关键词:压电材料电介质
Diffuse dielectric anomaly of (Na0.5K0.5Bi)0.5TiO3 crystal at high temperature
2006年
赵明磊仪修杰王春雷王矜奉张家良
关键词:晶体
无铅无铋压电陶瓷(Na_(0.5)K_(0.44)Li_(0.06))Nb_(0.95)Sb_(0.05)O_(3^(-))Na_(5.6)Cu_(1.2)Sb_(10)O_(29)研究被引量:15
2006年
提出重点研制无铅无铋压电陶瓷的建议,并采用传统的固相反应法,制备了新的助烧剂Na5.6Cu1.2Sb10O29及(Na0.5K0.44Li0.06)Nb0.95Sb0.05O3无铅无铋压电陶瓷,研究了助烧剂对该压电陶瓷性能的影响.添加适量助烧剂,可以提高压电陶瓷的致密度,降低介电损耗,明显提高压电活性.添加摩尔百分比为0.4%Na5.6Cu1.2Sb10O29的样品,压电常数可达到261pC/N,机电耦合系数k33高达60%以上.这些结果表明,添加了助烧剂Na5.6Cu1.2Sb10O29的(Na0.5K0.44Li0.06)Nb0.95Sb0.05O3是具有很好应用前景的无铅无铋压电陶瓷.
郑立梅王矜奉臧国忠赵明磊亓鹏杜鹃苏文斌明保全
关键词:铌酸盐钽酸盐机电耦合系数
MgSiO_3掺杂对ZnO压敏电阻器电学性质的影响被引量:4
2006年
采用传统陶瓷工艺制备了MgSiO3掺杂的防雷用ZnO压敏电阻。实验发现,掺杂0.04%的MgSiO3(物质的量)能显著提高其电流–电压非线性、通流能力和电压梯度E1.0,且能降低样品的漏电流IL以及残压比V40kA/V1mA。其非线性系数α和压敏电压梯度分别高达120,180V/mm,样品正反面各五次通流40kA、8/20μs波后,残压比和压敏电压变化率?V1mA/V1mA分别仅为2.56和–2.9%,且漏电流变化很小。对样品的微观结构分析显示,其电学性能的提高和晶粒的均匀程度有关。
陈洪存臧国忠王矜奉苏文斌王春明亓鹏
关键词:电子技术压敏电阻电学非线性残压比
共2页<12>
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