国家高技术研究发展计划(2006AA03Z219)
- 作品数：32 被引量：102H指数：6
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- 相关机构：南京航空航天大学南京大学中天光伏技术有限公司更多>>
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- 变温退火制备铝诱导大晶粒多晶硅薄膜的机理研究被引量：3
- 2010年
- 为了缩短铝诱导法制备大晶粒多晶硅薄膜的退火时间,用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了a-Si/SiO2/Al叠层膜,并用两种方法进行变温退火.分析了变温退火工艺对铝诱导晶化过程的影响,着重讨论了退火过程中温度由低温升到高温时不形成小晶粒的机理和条件.研究表明,当退火温度升高时,是否形成小晶粒取决于晶粒半径、耗尽层厚度和相邻晶粒间距三者之间的关系.
- 唐正霞沈鸿烈江丰方茹鲁林峰黄海宾蔡红
- 关键词：多晶硅铝诱导晶化
- Al-Sn共掺杂ZnO薄膜的结构与光电性能研究被引量：3
- 2013年
- 采用射频磁控共溅射法在玻璃衬底上制备出了Al与Sn共掺杂的ZnO(ATZO)薄膜。在固定ZnO∶Al(AZO)靶溅射功率不变的条件下,研究了Sn靶溅射功率对ATZO薄膜的结晶质量、表面形貌、电学和光学性能的影响。结果表明,制备的ATZO薄膜是六角纤锌矿结构的多晶薄膜,具有c轴择优取向,而且表面致密均匀。当Sn溅射功率为5W时,330 nm厚度的ATZO薄膜的电阻率最小为1.49×10-3Ω.cm,比AZO薄膜下降了22%。ATZO薄膜在400～900 nm波段的平均透过率为88.92%,禁带宽度约为3.62 eV。
- 刘斌沈鸿烈冯晓梅王威岳之浩吴天如
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射光电特性
- M-Pc/ZnO复合膜的光电性能研究
- 2008年
- 采用射频磁控溅射法和真空热蒸发沉积法在FTO衬底上制备了金属酞菁/氧化锌复合膜(M-Pc/ZnO),并对复合膜的光吸收和光电性能进行了研究。实验发现,复合膜的紫外-可见光吸收谱中,金属酞菁的Q带吸收峰明显红移并且透过率有所变化,说明氧化锌和金属酞菁之间存在很强的相互作用。Ag/M-Pc/ZnO/FTO结构在1000 W光照下具有明显的光伏效应,开路电压(Voc)约为0.7 V,短路电流(Isc)为2.6×10-5A左右。
- 宋曙光沈鸿烈孙斌斌黄海宾鲁林峰
- 关键词：磁控溅射光吸收谱光伏效应
- Al_2O_3过渡层厚度对AZO薄膜性能的影响研究被引量：1
- 2010年
- 采用磁控溅射法,在预先沉积了Al2O3过渡层的玻璃衬底上制备了性能优良的AZO薄膜。借助XRD、AFM、四探针仪和分光光度计对AZO薄膜的结构、表面形貌以及电学和光学性质进行了表征,并研究了Al2O3过渡层厚度对AZO薄膜性能的影响。结果表明:Al2O3过渡层的添加对AZO薄膜的表面形貌有一定影响;AZO薄膜的结晶质量随着过渡层厚度的增加先上升后下降;AZO薄膜的电阻率因过渡层的添加而明显降低,特别是在AZO薄膜较薄时;在添加了1～3 nm厚的过渡层后,160 nm厚的AZO薄膜的电阻率下降了44%左右;AZO薄膜的可见光透射率和光学带隙基本不受过渡层影响。
- 江丰沈鸿烈鲁林峰杨超罗军
- 关键词：AZO磁控溅射电阻率透射率
- 多孔硅在高温退火过程中结构变化的研究被引量：2
- 2010年
- 采用电化学腐蚀的方法制备了不同孔径的多孔硅薄膜样品,并在1050℃高温下进行了退火。采用扫描电镜和拉曼光谱对多孔硅退火前后结构的变化进行了观察,根据晶体形核理论分析了孔径变化的机理,并从热力学角度对其微观机制进行了讨论。实验和理论分析的结果均表明,多孔硅的初始孔径存在一个临界值,初始孔径小于此临界值时,孔在高温退火中有收缩的趋势;反之,初始孔径大于此临界值时,孔有变大的趋势。
- 蔡红沈鸿烈黄海宾唐正霞鲁林峰沈剑沧
- 关键词：多孔硅高温退火拉曼谱
- 电沉积法制备ZnO薄膜的结构与光电性能研究被引量：5
- 2009年
- 以硝酸锌和硝酸钾混和溶液为电解液，采用两电极体系在SnO2：F（FTO）片和p-Si（100）衬底上用不同沉积电压制备了c轴取向的ZnO薄膜。用X-射线衍射、扫描电子显微镜和分光光度计分析了薄膜的相结构，晶粒尺寸和光吸收特性。发现薄膜的（002）衍射峰强度随着沉积电压的增加而显著增强；薄膜中晶粒为典型的六方柱状结构，且基本与衬底垂直，晶粒尺寸为200-400nm；薄膜的光学禁带宽度为3．34eV。光照时，ZnO／Si异质结二极管呈明显的光生电流效应。
- 李丹沈鸿烈鲁林峰黄海宾李斌斌
- 关键词：ZNO薄膜电沉积异质结二极管
- 热丝CVD法在单晶硅衬底上低温外延生长Si和Ge薄膜的研究被引量：6
- 2010年
- 采用热丝CVD法在单晶Si衬底上进行了Si和Ge薄膜的低温外延生长,用XRD和Raman谱对其结构性能进行了分析。结果表明:在衬底温度200℃时,Si(111)单晶衬底上外延生长出了Raman峰位置为521.0cm-1;X射线半峰宽(FWHM)为5.04cm-1。结晶质量非常接近于体单晶的(111)取向的本征Si薄膜;在衬底温度为300℃时,在Si(100)单晶衬底上异质外延,得到了Raman峰位置为300.3cm-1的Ge薄膜,Ge薄膜的晶体取向为Ge(220)。研究表明热丝CVD是一种很好的低温外延薄膜的方法。
- 黄海宾沈鸿烈唐正霞吴天如张磊
- 氧化铝膜对铝诱导制备多晶硅薄膜的影响被引量：9
- 2010年
- 为了考察硅铝界面氧化铝膜对铝诱导多晶硅的影响,本文用磁控溅射方法制备了界面有无氧化铝膜的硅铝复合结构。XRD测试表明两种铝诱导方法均制备了具有(111)高度择优取向的多晶硅薄膜。光学显微镜和扫描电镜照片显示,有氧化铝膜时铝诱导的多晶硅薄膜有两层,下层为大晶粒(40μm-60μm)枝晶状多晶硅,拉曼谱显示其结晶质量接近单晶,而上层膜晶粒较小,结晶质量较差。无氧化铝膜时铝诱导的多晶硅薄膜只有单层结构,其晶体结构和结晶质量都与有氧化铝膜时铝诱导的上层多晶硅薄膜相似。结果表明,硅铝界面上氧化铝的存在大大提高了铝诱导多晶硅薄膜的质量,但是另一方面也限制了铝诱导多晶硅的晶化速率。
- 唐正霞沈鸿烈鲁林峰黄海宾蔡红沈剑沧
- 关键词：铝诱导晶化多晶硅氧化铝膜
- 超声电化学沉积ZnO薄膜及其机理研究被引量：2
- 2008年
- 采用超声电化学沉积生长了c轴取向的ZnO薄膜,并与常规电化学沉积生长的ZnO薄膜进行了比较。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计研究了样品的晶体结构、表面形貌以及光学性能。结果表明,常规电化学沉积生长的ZnO薄膜为纳米柱状结构,随着沉积电压的增加,c轴取向率呈极值变化,热退火可提高这种薄膜的透射率。超声电化学沉积生长的ZnO薄膜,在1.5V低沉积电压下仍为柱状结构,但比未加超声电化学法沉积的样品具有更好的c轴取向,沉积电压增加到2.0V时样品则变为麦粒状结构,热退火后其透射率几乎不变。
- 郭艳沈鸿烈尹玉刚李斌斌高超
- 关键词：ZNO薄膜C轴取向透射率
- 铝膜沉积温度对铝诱导结晶化多晶硅薄膜性能的影响被引量：2
- 2011年
- 以超白玻璃为衬底,采用热丝化学气相沉积法沉积初始非晶硅膜,经自然氧化形成二氧化硅层,最后利用磁控溅射法在不同衬底温度下沉积铝膜,制备了glass/Si/SiO_2/Al叠层结构并对其进行铝诱导晶化形成多晶硅薄膜。用X射线衍射,光学显微镜和拉曼光谱对样品进行了分析。结果表明,铝诱导晶化制备的多晶硅薄膜的晶粒大小随着铝膜沉积温度的升高而变小,且晶化能力及结晶质量也逐渐变差,当铝膜沉积温度升高至200℃以上时甚至不发生铝诱导晶化现象。
- 陈海力沈鸿烈张磊杨超刘斌
- 关键词：铝诱导晶化多晶硅薄膜磁控溅射
