国家高技术研究发展计划(2006AA03Z237)
- 作品数：4 被引量：16H指数：3
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- 硫化温度对CuInS_2吸收层薄膜微结构的影响被引量：4
- 2008年
- 摘要：采用电沉积一硫化法制备了CuInS2（CIS）薄膜。用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）和能谱仪（EDS）等实验手段对CIS薄膜的晶体结构、形貌和，组分进行了表征。结果表明：在500～560℃硫化温度范围内制备的CIS薄膜表面均生成金属性Cu2S二元相，后续的KCN刻蚀处理CuxS二元相可去除。硫。化温度为540℃制得的CIS薄膜高质量结晶、具有[112]择优取向，适合于制备CIS薄膜太阳能电池吸收层。
- 阎有花刘迎春方玲赵海花李德仁卢志超周少雄
- 关键词：硫化温度
- CuInS_2薄膜太阳能电池发展现状被引量：7
- 2007年
- CuInS2是一种最具前景的太阳能电池光吸收材料。介绍了CuInS2(CIS)太阳能电池的研究和发展现状,以及一种低成本的CIS薄膜太阳能电池产业化技术。展望了CIS薄膜太阳能电池在我国的发展前景。
- 方玲李德仁卢志超周少雄
- 关键词：CIS薄膜太阳能电池光伏
- 氮气流量对CuInS2薄膜微结构的影响
- 采用硫化法制备出具有多晶结构的光吸收层 CuInS薄膜,研究了硫源处 N流量对 CuInS薄膜微结构的影响．利用 SEM 和 EDS 观察和分析了它们的表面形貌和成分,采用 XRD 表征了薄膜的结构。结果表明： N流量增...
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- 文献传递
- Cu_7In_3前驱膜制备(112)择优取向CuInS_2薄膜被引量：1
- 2008年
- 为考察具有Cu_7In_3相结构的Cu-In前驱膜对CuInS_2薄膜微结构的影响,采用电沉积法制备了Cu-In薄膜,并对制备态Cu-In薄膜在380℃进行真空退火处理制备Cu_7In_3前驱膜。采用硫化法对制备态Cu-In薄膜和Cu_7In_3薄膜进行硫化处理制备了CIS薄膜。结果表明,两种前驱膜经硫化处理均在表面生成Cu_xS偏析相,经KCN刻蚀处理发现以Cu_7In_3为前驱膜制备的CuInS_2薄膜高质量结晶,具有(112)择优取向,适合于制备CIS薄膜太阳能电池吸收层。
- 阎有花刘迎春方玲赵海花李德仁卢志超周少雄
- 关键词：太阳电池
- CIS薄膜太阳能电池Cu-In前驱膜结构相变研究被引量：6
- 2008年
- 为考察CIS薄膜太阳能电池Cu-In前驱膜结构相变规律,采用电沉积法制备Cu-In前驱膜,并对前驱膜进行真空退火热处理。采用SEM和EDS观察并分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征薄膜组织结构。结果表明,Cu-In前驱膜以CuIn,CuIn2和Cu混合相存在;157℃真空退火10min,发生第一次相变生成Cu11In9相;310℃真空退火10min,发生第二次相变生成Cu7In3相。富Cu的Cu-In前驱膜结构相变受动力学边界条件所控制。
- 阎有花刘迎春方玲赵海花李德仁卢志超周少雄
- 关键词：真空退火结构相变
