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氢化非晶硅薄膜制备及其椭圆偏振光谱测试分析被引量：2: 2014年; 射频磁控溅射法制备a-Si:H薄膜,利用椭圆偏振光谱对不同气压下a-Si:H薄膜的厚度、折射率和消光系数进行了测试和研究。薄膜采用双层光学模型,通过Forouhi-Bloomer模型对椭圆偏振光谱参数进行拟合,获得450-850 nm光谱区域的a-Si:H薄膜光学参数值。结果表明,随着工作气压增加,薄膜厚度增厚,沉积速率升高;相同工作气压下,随偏振光波长增大,折射率呈下降趋势;相同波长偏振光下,折射率随工作气压上升而下降,折射率变化范围在3.5-4.1;消光系数随着工作气压增大呈略微增大的趋势。根据吸收系数与消光系数的关系,获得了薄膜的吸收谱,测算出不同工作气压下a-Si:H薄膜的光学带隙为1.63 eV-1.77 eV。; 崔敏邓金祥李廷陈亮陈仁刚高学飞孔乐王旭; 关键词：A-SI 椭圆偏振光谱光学参数工作气压

真空蒸镀红荧烯薄膜及其形貌分析被引量：6: 2012年; 红荧烯(rubrene)即5,6,11,12-四苯基并四苯,是一种重要的小分子有机半导体材料,可以用以制备红荧烯有机场效应管和太阳能光伏器件。本文首先对传统的热蒸发真空系统进行改造,使之能蒸镀有机薄膜。在一定的蒸发温度下,经过不同蒸镀时间蒸镀红荧烯薄膜,蒸镀时间分别为5,6,7,8 h,获得了具有多晶结构的红荧烯薄膜,并对其形貌进行了分析。结果表明非晶结构的红荧烯薄膜首先在硅衬底上生长,非晶红荧烯薄膜生长至一定厚度后,多晶结构的红荧烯从其中形成。; 邓金祥康成龙杨冰满超崔敏孔乐杨萍; 关键词：表面形貌

磁控溅射技术制备Cu_2ZnSnS_4薄膜及其微结构: 2013年; 采用射频磁控溅射技术溅射CuS、ZnS、SnS2混合靶材,在玻璃衬底上沉积前驱体,然后硫化退火制备Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,通过EDS能量色谱仪、X射线衍射仪对薄膜进行表征分析。结果表明,退火温度高于450℃制备的样品出现了3个明显峰位28.52°,47.48°和56.20°,分别对应Cu2ZnSnS4(112)、(220)和(312)晶面,而且随着退火温度的升高样品在(112)方向择优取向生长。根据谢乐公式计算晶粒尺寸表明,随着退火温度升高,晶粒尺寸变大,薄膜质量改善。EDS分析显示,薄膜组分为贫Cu富Zn,制备的薄膜较为纯净。; 高学飞邓金祥孔乐崔敏陈亮; 关键词：射频磁控溅射硫化微结构

有机太阳能电池的研究进展被引量：3: 2012年; 能量转化效率低是有机太阳能电池实现商业化生产的一个瓶颈,因此,制备高性能太阳能电池的关键之一是提高能量转化效率(ηp),文章介绍了有机太阳能电池的工作原理,论述了目前有机太阳能电池的研究现状,重点从提高有机太阳能电池的开路电压(Voc)、短路电流(Isc)、光电转换效率(ηEOE)和填充因子(FF)等几方面分析总结了提高有机太阳能电池能量转化效率的几种有效途径,并简要阐述了有机太阳能电池稳定性的研究进展.; 杨学良邓金祥; 关键词：半导体物理学有机太阳能电池能量转换效率

直流反应磁控溅射法制备太阳电池用ITO透明导电膜被引量：5: 2012年; 采用直流反应磁控溅射法制备了ITO透明导电薄膜,针对氧流量、溅射气压、溅射电流3种工艺参数对ITO薄膜电阻率和可见光区透射率的影响进行了分析和研究。结果表明:从ITO薄膜作为太阳电池用减反射层和电极出发,得到了工艺参数的优化值,分别为氧流量0.2 ml/min(标准状态),溅射气压3 Pa和溅射电流0.2 A,ITO薄膜的电阻率为3.7×10-3Ω.cm,透过率(550 nm)高达93.3%。另外,利用该优化工艺条件下制备的ITO薄膜作为电极和减反射层,制备了结构为ITO/n+-nc-Si∶H/-i nc-Si:H/p-c-Si/Ag的太阳能电池,电池开路电压Voc达到534.7mV,短路电流Isc达到49.24mA(3 cm2),填充因子为0.4228。; 崔敏邓金祥张维佳段苹; 关键词：ITO薄膜直流磁控溅射太阳电池工艺参数

退火温度对氧化镓薄膜及紫外探测器性能的影响被引量：1: 2023年; 采用射频磁控溅射法在石英基底上制备Ga_(2)O_(3)薄膜,并在氩气气氛中控制不同的退火温度进行后退火,通过对样品的晶体结构、透射率、表面形貌和光学带隙等性质进行测试分析,发现退火工艺可以提升薄膜的结晶质量,但同时高温退火也容易使得薄膜中的氧元素逸出薄膜外形成氧空位,选取800℃退火后样品制备成金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal,MSM)型光电探测器件,并与未退火样品器件对比发现在1.1 V的反向偏压下,800℃的光暗电流比为1021.3、响应度为0.106 A/W、比探测率为1.61×10^(12)Jones,分别是未退火器件的7.5,195和38.3倍,外量子效率相较于未退火样品提升了51.6%,上升时间(0.19/0.48 s)相较于未退火样品(0.93/0.93 s)减小,下降时间(0.64/0.72 s)与未退火样品(0.45/0.49 s)相比有所增大,表明氧空位的增加可以减缓光生载流子的复合来达到延长载流子寿命的效果,最后详细分析了退火后氧空位的增多导致探测器性能参数提高的机理.; 落巨鑫高红丽邓金祥任家辉张庆李瑞东孟雪; 关键词：氧化镓射频磁控溅射

真空蒸发法制备C60薄膜: 采用真空蒸镀法在Si衬底上制备C薄膜,利用台阶仪测试薄膜的厚度、分析了薄膜沉积速率,用小角X射线衍射仪(LA-XRD)测试薄膜的微结构,并用原子力显微镜(AFM)测试其表面形貌和均方根粗糙度(RMS)。X射线衍射仪分析发...; 杨学良邓金祥孔乐杨萍; 关键词：C60薄膜真空蒸镀; 文献传递

直流反应磁控溅射法制备太阳电池用ITO透明导电膜: 锡掺杂氧化铟(ITO,In203:Sn)薄膜是一种n型半导体材料,具有较宽的带隙(3.5-4.3eV),较高的载流子密度(1021cm-3)。另外,ITO薄膜还具有许多其它优异的物理、化学性能,例如高的可见光透过率和电导...; 崔敏邓金祥张维佳; 关键词：ITO薄膜直流磁控溅射太阳电池工艺参数; 文献传递

C60与rubrene混合薄膜的光学性质被引量：1: 2016年; 本文采用高真空热蒸镀法于衬底温度70℃下在玻璃基片上制备C60和rubrene混合薄膜。将两种材料的粉末置于不同的坩埚中共同蒸发,通过控制坩埚的加热温度来控制混合的比例,达到了制备混合薄膜的效果。利用原子力显微镜和台阶仪对薄膜的表面形貌和厚度进行测量,通过紫外-可见分光光度计获得了薄膜的透射谱和反射谱。实验结果表明了混合后的薄膜并不是都出现明显的吸收峰值。当C60:rubrene混合比为1:4、1:2、1:1、2:1、4:1时,利用透射谱和反射谱分别作出吸收光谱,借用Tauc公式求得能隙值,发现当混合比为1:1时,薄膜表面形貌最为均匀,吸收峰值最大,能隙最小。; 张紫佳邓金祥孔乐陈亮崔敏杨倩倩高红丽; 关键词：吸收光谱能隙

真空蒸镀红荧烯薄膜及其形貌分析: 红荧烯(rubrene)即5,6,1 1,12-四苯基并四苯,是一种重要的小分子有机半导体材料,其分子式为C42H28。用物理传输气相沉积的方法生长的Rubrene单晶,可以用以制备Rubrene单晶有机场效应管。200...; 邓金祥杨学良崔敏满超康成龙杨冰; 文献传递

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北京市自然科学基金(4102014)