博士科研启动基金(20096206)
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 相关作者：于乃森周均铭李夏南丛妍曹保胜更多>>
- 相关机构：大连民族学院中国科学院更多>>
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- 原位SiN_x掩膜生长GaN材料的应力及其对光学性质的影响(英文)被引量：3
- 2010年
- 研究了以金属有机化学气相沉积方法生长在SiNx掩模层的GaN的应力状态,以及应力对光学性质的影响。通过微区拉曼光谱对应力进行了表征,结果显示,随着SiNx掩模淀积时间的增加,其上生长的GaN应力会相应地,释放。相应地,低温光致发光测试显示,施主束缚激子发光峰峰位出现明显的红移。我们认为,随着SiNx掩模淀积时间的增加,掩模覆盖度的增大,促进了侧向外延的生长,释放了压应力,进而影响了材料的光学性质。
- 李夏南于乃森曹保胜丛妍周均铭
- 关键词：氮化镓金属有机化学气相沉积应力
- 蓝宝石图形衬底上生长GaN的微区拉曼光谱研究(英文)
- 2010年
- 采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上GaN材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表征,侧向外延区域显示了低的位错密度,具有较高的晶体质量。另外通过对不同生长区域的拉曼纵光学声子与等离子体激元形成的耦合模高频支进行拟合,结果显示侧向外延区域具有较低的背底载流子浓度。研究认为,由于采用图形衬底,侧向外延区域悬空生长降低了位错密度,同时侧向外延区域不与蓝宝石接触,因此采用该方法生长的GaN材料具有较低的压应力和较低的背底载流子浓度。
- 于乃森郭丽伟彭铭征朱学亮王晶贾海强陈弘周均铭
- 关键词：氮化镓金属有机化学气相沉积
