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国家自然科学基金(6070802860807037)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：包西昌李超李向阳王玲张文静更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院研究生院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电容
  • 1篇电容特性
  • 1篇日盲
  • 1篇探测器
  • 1篇紫外探测
  • 1篇紫外探测器
  • 1篇PIN
  • 1篇ALGAN

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 1篇张文静
  • 1篇王玲
  • 1篇李向阳
  • 1篇李超
  • 1篇包西昌

传媒

  • 1篇红外与激光工...

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
日盲型AlGaN PIN紫外探测器的电容特性
2010年
对采用金属有机化学气相沉积方法生长的p-Al0.43Ga0.57N/i-Al0.43Ga0.57N/n-Al0.7Ga0.3N异质结构上制备的背照射日盲型AlGaN紫外光电探测器进行了光电性能和电容特性的研究。室温下探测器零偏压时的电流密度为0.44 nA/cm2,278 nm的峰值响应率为0.042 A/W。电容频率特性表明:器件电容随着频率的增大先迅速后缓慢地降低,但在频率高于100 kHz后又加速下降。通过器件低频下的电容计算可得,其耗尽层宽度为160 nm,低于设计的本征层厚度,说明器件的本征层没有完全耗尽。因此,未耗尽本征层的高电阻是引起100 kHz附近电容又快速下降的重要原因,由不同频率下1/C2-V曲线的变化关系及其斜率计算的杂质浓度等结果进一步证实了这一结论。
包西昌李超张文静王玲李向阳
关键词：ALGAN电容特性
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