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国家高技术研究发展计划(JPPT-115-118)

作品数:1 被引量:3H指数:1
相关作者:王志法陈德欣姜国圣何平更多>>
相关机构:中南大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇导热
  • 1篇导热性能
  • 1篇电子封装
  • 1篇退火
  • 1篇热性能
  • 1篇封装
  • 1篇W-1
  • 1篇CU
  • 1篇残余应力

机构

  • 1篇中南大学

作者

  • 1篇何平
  • 1篇姜国圣
  • 1篇陈德欣
  • 1篇王志法

传媒

  • 1篇粉末冶金技术

年份

  • 1篇2009
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
W-15Cu电子封装材料导热性能的研究被引量:3
2009年
研究了熔渗温度、退火温度及退火冷却速度对W-15Cu电子封装材料导热性能的影响,试验结果表明退火能改善W-15Cu电子封装材料的导热性能,经850℃退火随炉冷的导热性能稳定在190W/(m.K)左右;W-15Cu电子封装材料界面残余应力的大小是影响材料导热性能的重要因素之一,残余应力越大,材料导热性能越差;W-15Cu电子封装材料随熔渗温度升高,导热系数增加,熔渗温度在1 400℃时的导热性能最好。
姜国圣王志法何平陈德欣
关键词:导热性能退火残余应力
共1页<1>
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