国家重点实验室开放基金(9140C060702060C0603)
- 作品数：2 被引量：13H指数：1
- 相关作者：杨霏霍玉柱陈昊李亮潘宏菽更多>>
- 相关机构：河北半导体研究所中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- SiC MESFET工艺在片检测技术被引量：1
- 2008年
- 介绍了SiC MESFET芯片加工工艺中的主要在片检测技术,包括芯片表面情况判定、干法刻蚀的监测、等平面工艺的辅助测试、欧姆接触比接触电阻值的测试以及各种中间测试技术。芯片表面情况判定主要通过显微镜观察表面形貌、原子力显微镜测表面均匀性以及扫描电镜观察形貌以及组分分析。干法刻蚀的监测主要通过台阶仪结合椭偏仪实现,即保证了干法刻蚀按预想的深度刻蚀也验证了材料结构的参数。通过TLM图形测试的比接触电阻值可以确保良好的欧姆接触,减小器件的串联电阻,提高器件的电流处理能力,为实现高功率输出奠定基础。通过台阶仪测量和显微镜观察实现的等平面工艺大大提高了器件的性能,微波功率提高30%左右,增益提高1.5 dB以上,功率附加效率提高接近10%。
- 商庆杰潘宏菽陈昊李亮杨霏霍玉柱
- 关键词：碳化硅金属-半导体场效应晶体管干法刻蚀比接触电阻率
- S波段10W SiC MESFET的研制被引量：12
- 2007年
- 采用在75 mm 4H-SiC半绝缘衬底上实现的国产SiC MESFET外延材料进行器件研制,在该器件的具体研制工艺中利用感应耦合等离子体干法腐蚀,牺牲层氧化等工艺技术,研制出2 GHz工作频率下连续波输出功率大于10 W、功率增益大于9 dB、功率附加效率不低于35%的MESFET功率样管,该器件的特征频率达6.7 GHz,最高振荡频率达25 GHz。对芯片加工工艺和器件的测试技术进行了分析,给出了相应的工艺和测试结果。
- 潘宏菽李亮陈昊齐国虎霍玉柱杨霏冯震蔡树军
- 关键词：碳化硅微波功率器件金属-半导体场效应晶体管
