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ZnO-B2O3-SiO2溶胶-凝胶制备及表征: 研究了ZnO-B2O3-SiO2溶胶-凝胶的制备过程,分析了凝胶的形成机理,探讨了干凝胶的析晶过程.结果表明随着SiO2/(ZnO+B2O3)比值的增大.样品胶凝时间逐渐延长,凝胶从浑浊转为清亮,而对应干凝胶的析晶温度升...; 童建喜张启龙杨辉; 关键词：烧结助剂溶胶-凝胶晶相; 文献传递

Sol-gel法引入添加剂制备低温烧结ZnTiO3微波介质陶瓷: 研究了溶胶-凝胶法引入ZnO-B2O3-SiO2的ZnTiO3低温烧结陶瓷材料合成、结构、烧结及介电性能。结果发现:ZnO-B2O3-SiO2溶胶均匀包覆在ZnTiO3颗粒表面,形成球形颗粒。用溶胶-凝胶法引入ZnO-B...; 张启龙童建喜杨辉; 关键词：介电性能 SOL-GEL法; 文献传递

片式多层微波器件用Ca[(Li0.33Nb0.67)0.8Ti0.2]O3-δ微波介质陶瓷的制备: 本文研究了烧结助剂Bi2O3对添加锌硼硅玻璃的Ca[(Li0.33Nb0.67)0.8Ti0.2]O3-δ陶瓷烧结特性、微观结构和介电性能的影响,分析了该陶瓷与银电极的共烧行为.结果表明:随着Bi2O3添加量增加,陶瓷体...; 童建喜张启龙杨辉朱玉良; 关键词：BI2O3 低温共烧陶瓷

湿化学法制备纳米信息功能陶瓷研究进展: 纳米信息功能陶瓷是指应用于信息技术领域的各种功能陶瓷。随着信息技术的飞速发展,对信息设备和元器件提供了更高的要求,相应地对电子陶瓷材料特征及性能提出了新的要求。以元器件为例,目前向小型化、复合化、片式化、低功耗、模块化方...; 杨辉张启龙; 文献传递

掺杂ZnO-B_2O_3低温烧结BiNbO_4介质陶瓷的研究被引量：10: 2004年; 研究了烧结助剂ZnO-B2O3对BiNbO4陶瓷烧结特性及介电性能的影响。结果表明:ZnO-B2O3形成晶界玻璃相存在于晶粒之间,促进烧结,大幅度降低BiNbO4陶瓷的烧结温度,促使瓷体晶粒尺寸均匀和致密;但ZB的质量分数大于3％,阻碍晶粒长大,破坏晶体结构和排列,导致材料的缺陷和本征损耗增加,从而降低材料的介电性能。ZnO-B2O3的掺杂量以1％为最佳,在880℃保温4h,可达到97％理论密度,在100MHz测试频率下,εr=42,tanδ<1.5×10-3。; 张启龙杨辉魏文霖王信权陆德龙; 关键词：BINBO4 微波介质陶瓷烧结助剂烧结特性介电性能

掺杂CuO-TiO2凝胶的Al2O3微波介质陶瓷低温烧结研究: 研究了掺Cu/Ti凝胶的氧化铝胶凝体特性、烧结行为以及微波介电性能。研究发现:随着Cu/Ti比的增加,系统成胶凝体条件苛刻,易出现沉淀现象,在(C4H9O)4Ti、(CH3COO)2Cu的乙醇混合溶液中添加Al2O3粉料...; 张启龙杨辉王焕平黄伟陆德龙; 文献传递

微波介质陶瓷及器件研究进展被引量：167: 2003年; 现代移动通信、无线局域网、全球卫星定位系统等技术的革新,对以微波介质陶瓷为基础的微波电路器件提出了更高的要求,各种微型化、高频化、片式化、模块化的新型微波介质陶瓷器件及相关介质陶瓷得到迅速发展。综述了近几年在高介电常数、高频、低温烧结微波介质陶瓷方面的进展,对不同材料体系的离子取代、离子置换、低熔点烧结助剂对微波介质陶瓷结构、介电性能的影响进行了分析讨论。概述了介质谐振型、叠层型、功能模块型微波介质陶瓷器件的研究和生产情况,重点论述了与低温共烧技术相关的介质陶瓷、器件及模块的进展,探讨了材料特性、微波器件结构与微波特性之间的关系,并指出了今后微波介质陶瓷及器件的发展方向。; 杨辉张启龙王家邦尤源黄伟; 关键词：微波介质陶瓷微波元件低温共烧陶瓷介电性能

乙酸铜-钛酸丁酯溶胶系统特性研究: 本文以乙酸铜、钛酸丁酯、硝酸、乙醇等原料配制的前驱溶液系统,研究了不同[Ti]浓度、铜钛比例、PH值、去离子水加入量的溶胶凝胶特性,并获得最佳制备条件:利用红外吸收光谱分析,揭示了该溶液系统中的相关的化学反应机制。结果表...; 邹佳丽张启龙杨辉王焕平; 关键词：溶胶-凝胶法钛酸丁酯红外光谱; 文献传递

片式多层微波器件用Ca[(Li0.33Nb0.67)0.8Ti0.2]O3-δ微波介质陶瓷的制备被引量：2: 2005年; 研究了烧结助剂Bi2O3对添加锌硼硅玻璃的Ca[(Li0.33Nb0.67)0.8Ti0.2]O3-δ陶瓷烧结特性、微观结构和介电性能的影响,分析了该陶瓷与银电极的共烧行为.结果表明:随着Bi2O3添加量增加,陶瓷体气孔含量减少,体密度和介电常数εr增加,而品质因数Q×f值下降,频率温度系数τf由正值变为负值.添加7.5%(质量分数)锌硼硅玻璃和3.0%(质量分数)Bi2O3的陶瓷样品在900℃烧结,其介电性能:εr=36.73,Q×f=10 396GHz(336GHz),τf=-3.27×10-6/℃.陶瓷与银电极共烧界面结合状况良好,无明显扩散.该材料可用于制造片式多层微波器件.; 童建喜张启龙杨辉朱玉良; 关键词：BI2O3 低温共烧陶瓷

常压CVD法制备氮氧化硅薄膜沉积特性的研究被引量：4: 2003年; 采用常压化学气相沉积方法(atmospheric pressure chemical vapor deposition,APCVD)制备了氮氧化硅(Si—O—N)薄膜,研究了影响其沉积速率和生长模式的因素。在φ(NH_3):φ(SiH_4)=20:1,基板温度为650℃的条件下,当混合气体流量小于720ml/min时,薄膜的形成主要受气体扩散过程控制;当混合气体流量大于720 ml/min时,则主要受表面气相反应过程控制;混合气体流量为720 ml/min的条件下,氮氧化硅薄膜的沉积过程主要受基板表面的气相反应过程控制,薄膜沉积厚度与沉积时间成线性关系,反应速率为常数1640 nm/min,表面活化能为283 kJ/mol。通过SEM分析发现:氮氧化硅薄膜的形成方式符合三维成核模型,即反应初期Si,N,O等原子在基板表面相遇结合在一起形成原子团,一定数量的原子团构成临界核;反应中期临界核长大为岛状结构,岛不断长大,岛与岛之间相互接合形成通道网络结构;反应后期,原子不断填补网络空洞,最后成为连续薄膜。; 丁新更杨辉孟祥森; 关键词：常压化学气相沉积氮氧化硅 APCVD

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