国家高技术研究发展计划(2007AA03ZA435)
- 作品数：3 被引量：16H指数：3
- 相关作者：孙加林汪长安尉磊董薇黄勇更多>>
- 相关机构：北京科技大学清华大学中国建筑材料科学研究总院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：化学工程更多>>
- 烧结助剂含量对多孔氮化硅结构及性能的影响被引量：4
- 2011年
- 以氮化硅为原料,以叔丁醇为溶剂,采用凝胶注模成型工艺和无压烧结工艺(1 750℃、保温1.5h、流动氮气气氛),制备出具有高强度和高气孔率的多孔氮化硅。在浆料中初始固相含量固定为15%体积分数的基础上,研究了烧结助剂含量对多孔氮化硅的气孔率、孔径尺寸分布、物相组成及显微结构的影响,分析了弯曲强度与结构之间的关系。结果表明,通过改变烧结助剂含量,所制备的多孔氮化硅的气孔率为52%-65%;气孔尺寸呈单峰分布,均匀性好,平均孔径为0.82-1.05μm;弯曲强度为64.4-193.5 MPa,且随烧结助剂含量增加呈先增大后减少,在烧结助剂含量为7.5%质量分数时达到最大值(193.5±10.1)MPa。
- 尉磊汪长安董薇孙加林黄勇
- 关键词：氮化硅多孔陶瓷烧结助剂气孔率
- 原位反应锆英石结合的多孔SiC陶瓷的制备被引量：5
- 2011年
- 以α-SiC粉和c-ZrO2粉为原料,聚乙烯醇缩丁醛(polyvinyl butyral,PVB)为造孔剂,通过干压成型,在空气气氛中无压烧结制备了原位反应锆英石结合的多孔SiC陶瓷。研究了烧结温度对多孔SiC陶瓷的相组成、线膨胀、开口气孔率、孔径分布及压缩强度的影响,并对多孔SiC陶瓷的显微结构进行了分析。结果表明:PVB的分解和SiC颗粒间的堆积间隙产生气孔。SiC颗粒表面氧化生成的SiO2与ZrO2原位反应生成锆英石,SiC颗粒由锆英石和玻璃相结合。当烧结温度为1 500℃时,多孔SiC陶瓷的开口气孔率为50.3%,压缩强度达到38.7 MPa。
- 王少锋汪长安孙加林
- 关键词：多孔陶瓷碳化硅锆英石造孔剂
- 高强度多孔氮化硅陶瓷的制备及性能研究被引量：7
- 2011年
- 以氮化硅为原料,以叔丁醇为溶剂,采用凝胶注模成型工艺和无压烧结工艺,制备出具有高强度和高气孔率的多孔氮化硅陶瓷。在浆料中初始固相含量固定为10vol%的基础上,研究烧结温度和保温时间对多孔氮化硅陶瓷材料的气孔率、孔径尺寸分布、物相组成及显微结构的影响,分析抗弯强度与结构之间的关系。结果表明,通过改变烧结温度和保温时间,可制备气孔率63.3%~68.1%的多孔氮化硅陶瓷;气孔尺寸呈单峰分布,平均孔径为0.97~1.42μm;抗弯强度随烧结温度提高或保温时间延长单调增大,在1750℃保温1.5h下达到最大值(74.2±8.8)MPa。
- 尉磊汪长安董薇孙加林黄勇欧阳世翕
- 关键词：氮化硅多孔陶瓷抗弯强度气孔率
