中国工程物理研究院双百人才基金(2004R0301)
- 作品数：8 被引量：40H指数：4
- 相关作者：章法强刘广均应纯同李正宏杨建伦更多>>
- 相关机构：清华大学中国工程物理研究院更多>>
- 发文基金：中国工程物理研究院双百人才基金国家自然科学基金中国工程物理研究院核物理与化学研究所科技创新基金更多>>
- 相关领域：核科学技术理学更多>>
- 基于闪烁光纤阵列快中子照相系统的点扩展函数数值研究被引量：2
- 2007年
- 建立了基于闪烁光纤阵列构建的快中子照相系统点扩展函数(PSF)的计算模型,编制了模拟程序.基于计算结果,分析了闪烁光纤截面尺寸和快中子源尺寸对系统点扩展函数的影响.计算结果表明,为获得较理想的系统点扩展函数,光纤截面尺寸不应大于200μm;选用的中子源尺寸应在毫米量级;中子源与闪烁光纤阵列的距离应大于1m;同时受照样品应当尽量靠近阵列.计算结果对快中子照相实验布局和图像处理具有一定的指导意义,同时也定量地反映了快中子照相系统的分辨率.
- 章法强李正宏杨建伦叶凡王真夏广新应纯同刘广均
- 关键词：快中子照相点扩展函数蒙特卡罗模拟计算
- 14MeV中子照相中CCD芯片的屏蔽计算被引量：3
- 2007年
- 快中子照相实验中,电荷耦合装置(CCD)是重要的成像器件。快中子辐射不仅会减少CCD的使用寿命,而且会对快中子图像带来影响,因此必须对CCD芯片进行有效的屏蔽,减少快中子辐射对芯片的损伤。该文利用MCNP/4B程序计算了14MeV中子照相中不同屏蔽材料组合条件下CCD芯片的吸收剂量。计算结果表明,在对CCD进行有效的屏蔽后,芯片的吸收剂量是屏蔽前的3%,按源中子数归一后仅为1.29 aGy,已经达到屏蔽要求。计算结果还表明,环境散射中子辐射对芯片吸收剂量贡献较小,可以忽略。
- 章法强李正宏杨建伦应纯同刘广均
- 关键词：MONTECARLO方法
- 数值模拟高能中子照相被引量：11
- 2006年
- 模拟了14 MeV中子在穿透样品后与闪烁体光纤的作用。对每根光纤中的能量沉积进行了计算,并转换成可见光(496 nm)光子数。在模拟实验中,分析了影响图像质量的因素。计算了散射中子本底与闪烁体和样品(聚乙烯)间距的关系。当间距为cm量级时,散射中子本底对图像的影响很小。计算表明系统对样品的甄别厚度与入射中子总数有关,在一定范围内近似与中子总数的对数成线性关系。通过模拟结果给出了理想平行中子束入射情况下系统的平面分辨率。
- 章法强杨建伦李正宏陈法新应纯同刘广均
- 关键词：数值模拟中子照相
- 14MeV中子照相中散射中子对成像影响的Monte Carlo模拟被引量：9
- 2007年
- 依据实验参数,建立了14MeV快中子照相的物理模型,并利用Monte Carlo方法对照相过程进行了模拟.分析了经聚乙烯样品散射的中子对快中子图像的影响随样品与探测器间距及样品参数的变化.计算结果表明,样品与探测器的距离d<5cm时,样品中的散射中子对图像的影响强烈依赖于d,而当d>20cm时,样品散射中子对图像的影响可忽略;当样品密度为3—5g/cm3时散射中子对图像的影响相对最大;样品宽度越大,图像中的散射成分越多,当宽度在3cm以上时散射成分的强度趋于饱和.
- 章法强杨建伦李正宏应纯同刘广均
- 关键词：快中子照相MONTECARLO模拟
- 形态滤波在快中子图像降噪处理中的应用被引量：1
- 2006年
- 在基于CCD耦合闪烁光纤阵列的快中子照相系统中,快中子图像受噪声污染较为严重。针对快中子图像中的椒盐噪声和泊松噪声,研究了形态滤波技术在降噪方面的应用。结果表明在对快中子图像处理过程中,基于二维多方向结构元素的形态滤波在滤除噪声和保持图像细节等方面效果较佳。
- 章法强杨建伦李正宏
- 关键词：快中子照相噪声形态滤波
- 影响快中子照相系统DQE的因素及分析
- 通过分析快中子照相中发生的一系列随机过程,推导出系统探测量子效率(Detective Quantum Efficiency,DQE)与系统各参数的关系表达式。针对主要参数透镜耦合效率,分别用解析法和Monte Carlo...
- 章法强杨建伦
- 关键词：快中子照相
- 文献传递
- 快中子照相中的点扩展函数计算被引量：6
- 2006年
- 快中子照相中,基于反冲核原理探测快中子的有机闪烁体平板是普遍采用的快中子辐射转换体。模拟了D-T中子垂直入射BC400闪烁体平板,计算了不同厚度平板闪烁体的点扩展函数,对14.1 MeV快中子照相中闪烁体固有分辨率随厚度的变化进行了研究。计算结果表明,在不考虑二次中子与闪烁体作用及背景噪声等情况时,点扩展函数几乎不依赖于闪烁体厚度。同时,计算还表明在一定的分辨率范围内,由于荧光收集效率的限制,闪烁体厚度增加并不会改善图像对比度。
- 章法强李正宏杨建伦杨洪琼叶凡应纯同刘广均
- 关键词：快中子照相点扩展函数
- 高灵敏度的快中子照相系统被引量：14
- 2007年
- 快中子照相系统由闪烁光纤阵列和科学级可见光CCD等元件组成.14MeVD-T聚变中子在穿透样品后进入50mm×50mm闪烁光纤阵列,中子辐射转换为中心波长496nm的绿光.光纤阵列长100mm,光纤截面500μm×500μm,100×100根闪烁体光纤组成阵列.阵列对14MeV中子探测效率经估算可达21·4%.CCD与光纤阵列之间采用反射镜和透镜耦合方式,使CCD避开中子源直接辐照.综合考虑光纤尺寸、CCD记录噪声及中子源与受照样品几何关系等因素,理论上系统可获得整体分辨率1·5mm的中子图像.在K400直流加速器中子源上进行了初步实验,获得了中子图像.
- 章法强杨建伦李正宏钟耀华叶凡秦义陈法新应纯同刘广均
- 关键词：射线照相
- 厚闪烁体内次级中子对快中子图像质量的影响研究被引量：3
- 2009年
- 利用编制的快中子照相数值模拟程序(FNRSC)模拟计算了入射中子能量为14MeV时,厚度5—300mm闪烁体内次级中子对快中子图像质量的影响,结果表明闪烁体厚度d<50mm时,次级中子对图像的影响强烈依赖于闪烁体厚度,而当d>50mm时,次级中子对图像的影响趋于饱和.将文献中利用蒙特卡罗中子-光子输运程序(MCNP)计算的次级中子对图像影响和文中计算结果进行了对比,给出了二者存在差异的主要原因:次级中子分布对入射中子空间分布的强烈依赖性;能量沉积和荧光输出这两种计算方法对快中子图像的贡献形式差异.计算了入射中子能量不同时,次级中子对图像对比度的影响变化,结果表明入射中子与碳核反应截面有较大值时,图像对比度降低.
- 章法强杨建伦李正宏叶凡徐荣昆
- 关键词：快中子照相次级中子MONTECARLO模拟
