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CdZnTe半导体探测器X射线能谱响应特性分析被引量：3: 2012年; CdZnTe是一种性能优异的高能射线探测材料,在空间科学、核安全以及核医学等众多领域有广泛的应用前景.本文选取了3枚不同等级的CdZnTe探测器,在详细阐述了CdZnTe探测器工作原理的基础上,对比分析了他们的能谱响应曲线和载流子输运特性的关系.重点分析了CdZnTe探测器能量分辨率、电荷收集效率和峰谷比等关键指标参数与CdZnTe晶体中电子和空穴的迁移率和寿命积以及载流子的去俘获效应的相关关联,分析表明载流子的迁移率和寿命积是影响探测器电荷收集效率决定因素,而当电荷收集效率<90%时,电荷收集不完全对探测器的能量分辨率有较大影响,而载流子在陷阱中的去俘获时间对探测器信号的本底噪音和极化效应有较大影响.建立了一个通过简单平面探测器能谱响应曲线反映CdZnTe晶体载流子输运特性的方法,为CdZnTe探测器和晶体质量的评价和筛选提供了基础.; 查钢强项行刘婷徐亚东王涛介万奇; 关键词：CDZNTE

In-Situ SRPES Study on the Band Alignment of (0001)CdS/CdTe Heterojunction: 2012年; The band alignment of a (0001)CdS/CdTe heterojunction is in situ studied by synchrotron radiation photoemission spectroscopy (SRPES).The heterojunction is formed through stepwise deposition of a CdTe film on a wurtzite (0001)CdS single crystalline substrate via molecular beam epitaxy.CdS shows an upward band bending of 0.55 eV,the valence band offset △Ev is calculated to be 0.65 e V and the conduction band offset △ Ec is 0.31 eV.The interracial band alignment is sketched to display type-Ⅰ band alignment.; 高俊宁介万奇袁妍妍査钢强徐凌燕吴恒王亚彬于晖朱俊发; 关键词：ALIGNMENT SKETCH BENDING

II-VI族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展被引量：2: 2011年; 简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程。以II-VI族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响。以此为基础,综述了II-VI族化合物半导体量子阱、量子点等量子结构材料以及量子结构器件在光电探测、发光器件与太阳能电池领域的研究现状,并总结了II-VI族化合物半导体量子结构材料与器件的发展趋势。; 郝建伟查钢强介万奇; 关键词：量子结构量子尺寸效应

非催化剂法制备ZnO纳米线阵列的近带边高分辨变温光致发光性能研究: 2013年; 采用CVD法在a-面蓝宝石衬底上制备了ZnO籽晶层,然后在籽晶层上用碳热还原法制备了高质量的ZnO纳米线阵列。发现生长后的ZnO纳米线阵列具有良好的近带边发光性能,束缚激子发光峰半峰宽<500!eV。通过变温PL测试,确定3.37737eV的发光峰为自由激子发光,分别通过Vina模型和Vashni模型对其进行拟合,发现在60K以下Vashni模型的拟合相当好,而在60～150K,Vina模型的拟合效果更优。3.29eV处的峰为DAP峰,计算可得样品中的施主浓度为1.8×1018cm-3。; 谢涌介万奇王涛崔岩高俊宁于晖王亚彬; 关键词：ZNO 纳米线光致发光束缚激子 X射线衍射

ACRT-Te溶液Bridgman法生长的In掺杂CdMnTe界面研究(英文)被引量：1: 2012年; 采用ACRT-Te溶液垂直布里奇曼法成功制备出直径为30mm、长度为60mm的CdMnTe晶锭。相对于普通布里奇曼法生长的CdMnTe晶锭,Te溶液法生长的 CdMnTe晶锭中的孪晶大大减少。但是由于较高的Te夹杂相密度,红外透过成像显示晶锭生长界面的微观形貌既不均匀也不规则。同时,采用激光共聚焦显微镜也观察到CdMnTe富Te区存在无规律沉积的含有孔洞的不规则形状Te相。如果采用合适的生长工艺得到较为平直的生长界面,Te溶液垂直布里奇曼法可以有效减少CdMnTe晶体中的孪晶。; 杜园园介万奇郑昕王涛白旭旭于晖; 关键词：CDMNTE 孪晶

热激电流谱确定CZT:In中的陷阱能级(英文): 2012年; 熔体法生长的半绝缘碲锌镉(Cd1-xZnxTe 或者CZT)晶体中存在着很多缺陷,这些缺陷作为陷获中心在带隙中引入了深能级,从而严重影响 CZT 的探测性能。分别采用初始上升法和同步多峰分析法(SIMPA)分析热激电流谱(TSC),从而获得了半绝缘的铟掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶体中的陷阱能级分布。结果表明:由于重叠峰的干扰,初始上升法在确定陷阱峰的最大值时会产生较大的误差;而 SIMPA法被证实适用于分离重叠峰,可同步获得较全面的陷阱能级分布。基于此,获得了半绝缘 CZT:In晶体的缺陷能级分布结果,即包含十个陷阱能级和一个影响暗电流分布的深施主能级 EDD。此外,通过EDD能级与费米能级的关系,解释了CZT:In晶体获得高阻特性的原因。; 南瑞华介万奇查钢强白旭旭王蓓于晖; 关键词：陷获深能级

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国家自然科学基金(50902113)