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江西省自然科学基金(0312006)

作品数:4 被引量:15H指数:2
相关作者:王水凤元美玲戴丽丽姜乐唐小迅更多>>
相关机构:南昌大学更多>>
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相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇多孔硅
  • 3篇发光
  • 2篇阴极还原
  • 2篇酸处理
  • 2篇发光特性
  • 1篇稀土
  • 1篇稀土掺杂
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇硅基
  • 1篇硅基薄膜
  • 1篇后处理
  • 1篇ND掺杂
  • 1篇HNO3
  • 1篇掺杂

机构

  • 4篇南昌大学

作者

  • 4篇元美玲
  • 4篇王水凤
  • 3篇姜乐
  • 3篇戴丽丽
  • 1篇汪庆年
  • 1篇唐小迅
  • 1篇张晓峰
  • 1篇王震东

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇南昌大学学报...
  • 1篇江西科学

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
多孔硅的后处理及其发光特性被引量:13
2006年
采用一种新颖而简便的方法,改善多孔硅的发光特性。该方法包括酸处理和阴极还原两步。实验证明通过对多孔硅进行酸处理,能有效提高多孔硅的发光强度;通过对多孔硅进行阴极还原处理,能明显改善多孔硅的发光稳定性,而且发光强度也得到了提高。综合酸处理和阴极还原两技术的特点,对所制备的多孔硅立即先进行酸处理,然后再对其进行阴极还原处理,结果表明该方法能较好地提高多孔硅的发光效率和发光稳定性。而且还对其发光机制进行了探讨。
王水凤姜乐戴丽丽元美玲唐小迅
关键词:多孔硅酸处理阴极还原
阴极还原处理对多孔硅发光性能的影响被引量:2
2007年
对经过阴极还原处理后的多孔硅样片进行了光致发光测试和稳定性测试。实验结果表明这种处理能明显改善多孔硅的发光稳定性,使其表面结构更加稳定。利用原子力显微镜对不同还原时间的多孔硅微结构及形貌进行了比较,在一定范围内随着还原时间的增长多孔硅表面粗糙度增大,PL谱增强。
王水凤戴丽丽元美玲
关键词:多孔硅阴极还原
稀土掺杂硅基薄膜的高效发光特性被引量:1
2005年
测量了在不同离子注入剂量,不同退火条件下的Nd注入S i基晶片室温光致发光谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大,随退火条件的不同而改变。在实验室条件下,对掺杂硅片和单晶硅片进行电化学腐蚀制成多孔硅样片,同时用适当配比的HNO3对以单晶硅为基底的多孔硅进行处理,测试了腐蚀后各类样品的光致发光(PL)谱。发现掺稀土Nd的多孔硅和用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高。
元美玲汪庆年张晓峰王水凤姜乐
关键词:ND掺杂多孔硅酸处理
HNO_3处理多孔硅高效发光的研究
2005年
在实验室条件下对P型单晶硅片进行阳极电化学腐蚀制成多孔硅(PorousSilicon)样片,同时用适当配比的HNO3对多孔硅进行处理。比较了HNO3作用前后样片的光致发光(PL)谱,结果发现用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高。用XPS和SEM对样片测试的结果表明:酸处理后样片表面形成Si—O结构,其表面平均孔径增大,而且分布更均匀。
王水凤姜乐戴丽丽王震东元美玲
关键词:多孔硅光致发光HNO3
共1页<1>
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