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武汉市青年科技晨光计划(2013070104010006)

作品数:3 被引量:27H指数:3
相关作者:秦应雄韩蒙蒙肖龙胜周泳全杨卫红更多>>
相关机构:华中科技大学深圳信息职业技术学院更多>>
发文基金:武汉市青年科技晨光计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学机械工程电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电阻
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇扩散
  • 2篇方块电阻
  • 1篇电池
  • 1篇多晶硅片
  • 1篇多晶硅太阳电...
  • 1篇选择性发射极
  • 1篇失效特性
  • 1篇太阳电池
  • 1篇外量子效率
  • 1篇象散
  • 1篇离轴
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇量子效率
  • 1篇滤波器
  • 1篇刻蚀
  • 1篇空间滤波器
  • 1篇激光

机构

  • 3篇华中科技大学
  • 1篇深圳信息职业...

作者

  • 3篇秦应雄
  • 1篇唐霞辉
  • 1篇杨卫红
  • 1篇周泳全
  • 1篇肖龙胜
  • 1篇王雪
  • 1篇韩蒙蒙

传媒

  • 2篇光子学报
  • 1篇中国激光

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
多晶硅片反应离子刻蚀制绒后扩散工艺的匹配性被引量:8
2013年
研究了多晶硅片在反应离子刻蚀制绒后与扩散工艺的匹配性.在相同的扩散工艺下,反应离子刻蚀制绒后硅片的方块电阻值比酸制绒工艺硅片的方块电阻值高3~11Ω/□,而且其方块电阻不均匀度值约为普通酸制绒工艺硅片的方块电阻不均匀度值的80%.测试了反应离子刻蚀制绒后多晶硅太阳能电池的外量子效率,其外量子效率在340~1 000nm波段范围与酸制绒多晶硅太阳能电池相比提高了约10%.对反应离子刻蚀制绒电池的电性能进行了分析,提出了与反应离子刻蚀制绒工艺匹配的高方阻扩散工艺.通过优化调整扩散工艺气体中的小氮和干氧流量,获得了在80Ω/□方块电阻下,反应离子刻蚀制绒多晶硅电池的光电转换效率提升至17.51%,相对于酸制绒多晶硅电池的光电转换效率提高了0.5%.
豆维江秦应雄巨小宝李锴徐挺
关键词:多晶硅片扩散方块电阻
2kW射频板条CO_2激光器输出光束整形特性研究被引量:14
2014年
针对2kW射频板条CO2激光器离轴负支非稳波导混合腔的近场分布存在较多高空间频率分量,导致聚焦后会产生不可忽略的旁瓣,无法直接应用于激光加工的问题,对谐振腔的近场分布使用特征向量法和矩形波导的解析表达式进行了数值模拟和实验研究。并结合Collins公式研究了输出光束整形过程中光场分布的变化和整形系统中空间滤波器的优化设计。理论和实验结果表明:激光器输出光束在整形前为有较多高空间频率振荡的长条形的简单象散光束。通过带空间滤波器的整形系统消除旁瓣,并将初始的长条形的简单象散光束整形成近圆形、近基模高斯分布的光束。整形后的光束非稳方向的光束质量因子M2为1.1,波导方向M2为1.08。
肖龙胜唐霞辉秦应雄周泳全杨卫红韩蒙蒙
关键词:激光光学光束整形空间滤波器
多晶硅太阳电池激光掺杂选择性发射极被引量:6
2014年
研究了多晶硅片扩散工艺与激光掺杂工艺的匹配性.采用波长532nm的纳秒脉冲激光器对扩散后未去磷硅玻璃的多晶硅片表面进行激光扫描掺杂,激光扫描掺杂后硅片方块电阻降低为扩散后硅片方阻的50%左右,而且随着激光功率的增加,扩散到硅片表面的磷原子浓度增大,硅片方阻下降更明显.测试了激光掺杂后多晶硅太阳能电池的外量子效率,其外量子效率在340~480nm波段范围与常规多晶硅太阳能电池相比提高18%~5%.研究了激光掺杂后多晶硅电池的光电转换特性,分析了较高激光功率掺杂时多晶硅电池的失效特性,结果表明:优化工艺后多晶硅太阳电池平均光电转换效率达到17.11%,比普通工艺多晶硅太阳电池提高0.34%,最高转换效率达到17.47%.激光掺杂选择性发射极工艺流程简单,电池效率提升明显,易于实现产业化.
王雪豆维江秦应雄巨小宝
关键词:多晶硅太阳电池扩散选择性发射极方块电阻外量子效率失效特性
共1页<1>
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