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重庆市科技攻关计划(2004AC4034)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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相关机构：重庆师范大学重庆大学更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氧化锌薄膜
  • 1篇离子注入
  • 1篇N掺杂
  • 1篇P型
  • 1篇P型ZNO
  • 1篇P型ZNO薄...
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇重庆大学
  • 1篇重庆师范大学

作者

  • 1篇孔春阳
  • 1篇方亮
  • 1篇戴特力
  • 1篇朱仁江
  • 1篇秦国平
  • 1篇王楠

传媒

  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
离子注入法制备N掺杂P型ZnO薄膜
2008年
采用离子注入技术对射频磁控溅射制备的ZnO薄膜进行N掺杂,通过退火实现了ZnO薄膜的p型转变。利用X射线衍射(XRD)和Hall实验对样品热退火前后的性能进行了研究。实验数据表明,该掺杂方法能得到稳定的p型ZnO薄膜,其电学性能随热退火温度的升高和时间的延长而进一步改善,其中在950℃、7min退火条件时,载流子浓度为1.68E+16cm^(-3),电阻率为41.5Ω·cm。
朱仁江孔春阳秦国平王楠戴特力方亮
关键词：氧化锌薄膜P型离子注入
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