贵州省优秀科技教育人才省长资金项目(Z053114)
- 作品数：4 被引量：14H指数：2
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- Ru_2Si_3电子结构及光学性质的第一性原理计算被引量：9
- 2009年
- 采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法系统地计算了正交相Ru2Si3的电子结构、态密度和光学性质,计算结果表明Ru2Si3是一种直接带隙半导体,禁带宽度为0.51eV;其能态密度主要由Ru的4d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;静态介电函数ε1(0)=16.83;折射率n0=4.1025;吸收系数最大峰值为2.8×105cm-1;并利用计算的能带结构和态密度分析了Ru2Si3材料的介电函数、反射谱、折射率以及消光系数等光学性质,为Ru2Si3光电材料的设计与应用提供了理论依据.
- 崔冬萌谢泉陈茜赵凤娟李旭珍
- 关键词：第一性原理电子结构光学性质
- BaSi2电子结构及光学性质的第一性原理计算被引量：2
- 2009年
- 采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对正交相BaSi2的电子结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明它是一种间接带隙半导体,禁带宽度为1.086eV;其价带主要是由Si的3s,3p及Ba的5d态电子构成,导带主要由Ba的6s,5d及Si的3p态电子构成;静态介电函数ε1(0)=11.17;折射率n0=3.35;吸收系数最大峰值为2.15×105cm-1.
- 赵凤娟谢泉陈茜杨创华
- 关键词：第一性原理电子结构光学性质
- Si(001)面上外延生长的Ru_2Si_3电子结构及光学性质研究被引量：4
- 2009年
- 基于第一性原理的赝势平面波方法,对异质外延关系为Ru2Si3(100)//Si(001),取向关系为Ru2Si3[010]//Si[110]正交相的Ru2Si3平衡体系下能带结构、态密度和光学性质等进行了理论计算。计算结果表明:当1.087 nm≤a≤1.099 nm时,正交相Ru2Si3的带隙值随着晶格常数a取值的增大而增大。当a取值为1.093 nm时,体系处于稳定状态,此时Ru2Si3是具有带隙值为0.773 eV的直接带隙半导体。Ru2Si3价带主要是由Si的3p,3s态电子及Ru 4d态电子构成;导带主要由Ru的4d及Si的3p态电子构成。外延稳定态及其附近各点处Ru2Si3介电函数的实部和虚部变化趋势基本一致,但外延稳定态Ru2Si3介电函数的曲线相对往低能区漂移,出现的介电峰减少且峰的强度明显增强。
- 崔冬萌谢泉陈茜赵凤娟李旭珍
- 关键词：光学材料第一性原理电子结构光学性质
- 应力下OsSi_2电子结构和光学特性研究
- 2010年
- 采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density Functional Theory)赝势法,对各向同性形变下OsSi2的电子结构、态密度和光学性质进行了理论计算.计算结果表明,当晶格常数从96%,100%,104%依次进行各向同性形变时,OsSi2的带隙逐渐减小.当晶格参数被压缩到原来的96%时,OsSi2的间接带隙值Eg=0.928eV,当晶格参数被拉伸到原来的104%时,OsSi2的间接带隙值Eg=0.068eV.其光学特性曲线向低能方向漂移,晶格拉伸使得OsSi2的静态介电函数增大而压缩使其减小;晶格压缩可以使其吸收响应增强,进而提高光电转换效率.
- 李旭珍谢泉陈茜赵凤娟崔冬萌
- 关键词：第一性原理应力电子结构光学特性
