您的位置: 专家智库 > >

国家重点基础研究发展计划(5131Z03)

作品数:2 被引量:1H指数:1
相关作者:陈宏伟杨传仁张继华王波余桉更多>>
相关机构:电子科技大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 2篇电性能
  • 2篇电性能研究
  • 2篇陶瓷
  • 2篇微结构
  • 2篇介电
  • 2篇介电性
  • 2篇介电性能
  • 1篇性能研究
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸锶
  • 1篇钛酸锶钡
  • 1篇基片
  • 1篇溅射
  • 1篇BST
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇张继华
  • 3篇杨传仁
  • 3篇陈宏伟
  • 2篇裴亚芳
  • 1篇张瑞婷
  • 1篇余桉
  • 1篇王波

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇压电与声光

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2007
2 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
LaAlO_3(110)基片上BST薄膜的制备及性能研究被引量:1
2009年
采用射频磁控溅射法在LaAlO3(110)单晶基片上制备了钛酸锶钡薄膜材料。薄膜在800℃退火30 min,结晶优良,薄膜与基片匹配良好,同时由于基片的诱导作用,薄膜在(110)方向有一定的择优取向。测得薄膜的剩余极化强度Pr=1.37μC/cm2,矫顽电场强度EC=31.7 kV/cm。对比不同频率下的偏压特性,100 kHz时薄膜具有最高的优值因子F,为23.4。对介电损耗在1 MHz时的增大,作出了初步的解释。
王波杨传仁陈宏伟张继华余桉张瑞婷
关键词:射频磁控溅射
PST陶瓷的微结构和电性能研究
2007年
研究了Pb含量对PbxSr1-xTiO3(x=0.2~0.8)陶瓷微结构和介电性能的影响,当x<0.45时,c/a≈1,晶体为立方顺电相;x≥0.45时,c/a>1,晶体为四方铁电相;随着Pb/Sr比增大,PST陶瓷气孔率下降,致密度增加,晶粒尺寸逐渐增大,居里峰近似线性地向高温方向移动,并具有一致的居里外斯常数,剩余极化强度(Pt)、矫顽场强(Ec)都增大。
陈宏伟杨传仁裴亚芳张继华
关键词:陶瓷微结构介电性能
PST陶瓷的微结构和电性能研究
研究了 Pb 含量对 PbSrTiO(x=0.2~0.8) 陶瓷微结构和介电性能的影响,当 x<0.45时,c/a≈1, 晶体为立方顺电相;x≥0.45时,cla>1,晶体为四方铁电相;随着 Pb/Sr 比增大,PST ...
陈宏伟杨传仁裴亚芳张继华
关键词:陶瓷微结构介电性能
文献传递
共1页<1>
聚类工具0