国家自然科学基金(51205234)
- 作品数：4 被引量：7H指数：2
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- 相关领域：化学工程电子电信机械工程理学更多>>
- 表面磨粒群螺旋排布电镀锯丝制造的实验研究
- 2016年
- 为了获得高性能的电镀金刚石锯丝,实验研究了悬砂法制备表面磨粒群螺旋排布锯丝的电镀工艺,分析了预镀阴极电流、上砂阴极电流密度与上砂时间对锯丝复合镀层外观质量与锯丝表面磨粒分布情况的影响规律,并采用试制锯丝进行了锯切实验。研究结果表明,镀底层的阴极电流密度为5.0A/dm2时,镀层与钢丝基体表面有着良好的结合强度;上砂阶段采用阴极电流密度为5.0A/dm2,其电镀时间为7-8min,可得到良好的镀层和磨粒分布效果。钢丝基体预镀前在表面绕绝缘线,合理地选择工艺参数可以获得磨粒群在钢丝基体表面螺旋排布的基本结构,试制的新型锯丝在锯切中具有良好的容屑与排屑效果。
- 高玉飞葛培琪张磊张磊
- 关键词：电镀复合电镀
- SiC单晶线锯切片及电镀锯丝制造技术的研究进展被引量：2
- 2013年
- 针对碳化硅(SiC)单晶硬度高、脆性大,金刚石线锯切片时工具磨损快、切割效率低、晶片表面亚表面易出现微破碎损伤,使SiC单晶高质量切片和高性能锯丝制造技术成为关键和难点的状况,综述了SiC单晶线锯切片及电镀金刚石锯丝制造技术的研究现状,对其中存在的问题进行了概括与分析,并提出了SiC单晶金刚石线锯切片技术的未来研究方向。
- 高玉飞葛培琪刘全斌毕文波
- 关键词：SIC单晶
- 制约硅晶片减薄因素研究分析被引量：1
- 2015年
- 随着硅晶片薄型化发展,减少硅晶片厚度已成为降低芯片制造成本的重要措施。但在硅晶片制造加工过程中,许多因素制约了其减薄。针对硅晶片减薄问题,总结分析了制约硅晶片减薄因素,重点阐述了硅晶片厚度与硅晶片的断裂强度、刚度、翘曲度、固有频率的关系,分析了减小硅晶片厚度对硅晶片加工、检测和运输的影响,并对硅晶片厚度标准化问题进行了讨论,最后得到了制约硅晶片减薄的关键因素。
- 刘腾云葛培琪高玉飞
- 关键词：硅晶片刚度
- SiC单晶线锯切片微裂纹损伤深度的有限元分析被引量：4
- 2016年
- 为了实现对碳化硅单晶（Si C）线锯切片亚表面微裂纹损伤深度快速计算与非破坏性分析,基于Si C单晶锯切加工脆性模式的材料去除机理,选择材料脆性开裂本构模型,建立了Si C单晶线锯切片微裂纹损伤深度计算有限元模型。模型通过定义开裂状态量的输出,控制晶片表面单元失效与删除,将晶片上计算点区域内未失效单元节点到晶片表面最大距离提取为微裂纹损伤深度,实现了微裂纹损伤深度的仿真计算。研究了锯切过程的最大主应力与应力变化率的变化规律,仿真计算了切片微裂纹损伤深度。结果表明：锯切过程中距切点越近,最大主应力值与应力变化率越大;工件进给速度一定时,锯丝速度提高,Si C晶片的微裂纹损伤深度降低;有限元模型的仿真计算值均小于实验测量值,结果变化趋势较一致,其相对误差范围为10%~15.92%,建立的有限元模型可以较准确地预测计算Si C单晶线锯切片微裂纹损伤深度。
- 高玉飞陈阳葛培琪
- 关键词：SIC单晶有限元分析
