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PIN、NBP及NBN型InAsSb中波红外探测器光电性能研究: 2016年; 系统探索了GaSb(001)衬底上InAsSb体材料的分子束外延生长和PIN型、NBP型及NBN型InAsSb单元单色红外探测器的制备工艺,并对其光学、电学等相关物理特性进行了研究对比.PIN型InAsSb单元探测器的R0A为224Ω·cm2(100K),77K下峰值探测率为3.6×1010cmHz1/2/W.NBN型和NBP型InAsSb单元探测器的R0A都达到了105Ω·cm2(100K)的量级,但NBN型比NBP型的R0A值更大,暗电流密度更低,77K下峰值探测率分别为8.5×101 2cmHz1/2/W和2.4×108cmHz1/2/W.最后制备完成了50%截止波长为3.8μm(PIN型)、3.4μm(NBP型)、2.6μm(NBN型)的InAsSb单元探测器.; 任洋郝瑞亭刘思佳王国伟徐应强牛智川; 关键词：分子束外延 INASSB 中波红外探测器

预制层中Zn和ZnS对CZTS薄膜太阳电池的影响被引量：2: 2016年; 采用磁控溅射后硫化的方法制备Cu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜,分别用Zn和Zn S作为锌源,在镀钼的钠钙玻璃衬底上以Zn(或Zn S)/Sn/Cu的顺序制备出不同的CZTS薄膜预制层。首先对预制层进行低温合金,然后以硫粉作为硫源进行高温硫化,得到CZTS薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及能谱仪(EDS)分别对所制备薄膜的晶体结构、表面形貌和薄膜组分进行分析表征;并用拉曼光谱表征了CZTS相的纯度。最后用CZTS薄膜制备了太阳电池,发现在预制层中以Zn S作为锌源得到的太阳电池有较高的性能参数,其开路电压:Voc=651 m V,短路电流密度:Jsc=11.4 m A/cm2,光电转换效率达到2.8%。; 杨敏王书荣蒋志李志山刘思佳陆熠磊唐语; 关键词：薄膜太阳电池磁控溅射

化学水浴法制备薄膜太阳电池缓冲层材料的研究进展: 2014年; 从各反应条件对薄膜生长及其性能影响的角度,对CdS缓冲层的制备工艺进行了评述,并对新型无镉缓冲层的研究进展给予了重点介绍。最后展望了薄膜太阳电池缓冲层材料的发展方向,并指出了其发展应用中需要解决的问题。; 刘颖缪彦美郝瑞亭杨海刚邓书康郭杰; 关键词：薄膜太阳电池缓冲层

InAs/GaSb超晶格/GaSb体材料中短波双色红外探测器被引量：1: 2021年; 采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面均方根粗糙度为1.82Å。77 K下,SiO_(2)钝化器件最大阻抗与面积乘积值RA为5.58×10^(5)Ω∙cm^(2),暗电流密度为5.27×10^(-7) A∙cm^(-2),侧壁电阻率为6.83×10^(6)Ω∙cm。经阳极硫化后,器件最大RA值为1.86×10^(6)Ω∙cm^(2),暗电流密度为4.12×10^(-7)A∙cm^(-2),侧壁电阻率为4.49×10^(7)Ω∙cm。相同偏压下,硫化工艺使器件暗电流降低1-2个数量级,侧壁电阻率提高了1个数量级。对硫化器件进行了光谱响应测试,器件具有依赖偏压极性的低串扰双色探测性能,其短波通道与中波通道的50%截止波长分别为1.55μm和4.62μm,在1.44μm、2.7μm和4μm处,响应度分别为0.415 A/W、0.435 A/W和0.337 A/W。; 马晓乐郭杰郝瑞亭魏国帅王国伟徐应强徐应强; 关键词：INAS/GASB超晶格红外探测

无硫化过程磁控溅射制备Cu2ZnSnS4薄膜及其结构和光学性质研究: 2014年; 使用Cu2ZnSnS4(CZTS)靶材,通过射频磁控溅射方法镀膜,不经后期硫化处理,在钠钙玻璃衬底上沉积了锌黄锡矿结构的CZTS薄膜材料。在薄膜的沉积过程中,衬底温度分别为300,400和500℃。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、能量色散X射线光谱仪和紫外-可见-近红外分光光度计等对薄膜样品的微观形貌、晶体结构、元素成分、光学性质等进行了研究。分析讨论了衬底温度对样品的表面形貌、晶体结构、化学成分、光吸收系数和禁带宽度的影响关系。结果表明,在衬底温度为500℃条件下沉积得到的CZTS薄膜样品,具有较好的锌黄锡矿晶体结构,晶粒大小为23 nm,光吸收系数在可见光范围内高于1×104cm-1,禁带宽度为1.49 eV。; 杨海刚张基东郝瑞亭曹伟伟李美成常方高; 关键词：禁带宽度磁控溅射衬底温度

沉积温度对磁控溅射制备掺铝ZnO透明薄膜电极结构和性能的影响: 作为透明电极的掺铝ZnO薄膜的明导电性能对太阳电池的光吸收和电荷传输有很大的影响。本研究介绍了一种应用于低价薄膜太阳能电池透明电极的掺铝ZnO(AZO)薄膜的制备与光电性能研究,探讨了沉积温度对磁控溅射制备的AZO薄膜的...; 杨海刚曹伟伟郝瑞亭宋桂林王天兴常方高; 文献传递

电化学沉积法制备Cu2ZnSnS4薄膜电池被引量：1: 2016年; 采用简单的两电极电化学沉积金属薄膜技术,在镀钼的钠钙玻璃衬底上共沉积Cu-Sn层后,再沉积Zn金属层,制备出Cu-Sn-Zn金属预制层。在不同的温度下进行低温退火后,以硫粉作为硫源高温硫化金属预制层,制备出晶体质量较好的Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及能谱仪(EDS)对薄膜的晶体结构、表面形貌和薄膜组分进行分析表征,发现共沉积Cu-Sn层,再沉积Zn金属层得到的CZT预制层表面平整但晶粒尺寸较小,经过退火处理后晶粒尺寸得到改善,且硫化后所得到的CZTS薄膜不易从Mo衬底上脱落,粘附性较强。用其制备的CZTS薄膜太阳电池的开路电压Voc=569mV,短路电流密度Jsc=8.58mA/cm2,光电转换效率为1.40%。; 杨敏蒋志李志山刘涛刘思佳郝瑞亭王书荣; 关键词：薄膜太阳电池电化学沉积

Effect of Sulfurization Time on the Structural and Optical Properties of Cu2ZnSnS4 Thin Films: Cu2ZnSnS4（CZTS） thin films were successfully prepared by magnetron sputtering. The composition, phase structur...; Si-jia LIURui-ting HAOFa-ran CHANGQi-chen ZHAOXin-xing LIUShu-rong WANGYan-mei MIAOHai-gang YANG；; 文献传递

单靶溅射制备铜锌锡硫薄膜及原位退火研究被引量：1: 2017年; 采用衬底加热溅射铜锌锡硫(CZTS)四元化合物单靶制备CZTS薄膜,并研究原位退火对制备薄膜的影响.结果表明:在溅射结束后快速升温并保持一段时间,所得到的样品相比于未原位退火的CZTS薄膜结晶质量更好,且表面更平整致密;原位退火后的CZTS薄膜太阳电池性能参数也相应地有所提升,其开路电压(V_(OC))为575 mV,短路电流密度(J_(SC))为8.32 mA/cm^2,光电转换效率达到1.82%.; 赵其琛郝瑞亭刘思佳刘欣星常发冉杨敏陆熠磊王书荣; 关键词：磁控溅射太阳电池

InAs/GaSb超晶格中波红外二极管的Ⅳ特性研究被引量：2: 2014年; 采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb衬底上生长了pin结构的InAs(8ML)/GaSb(8ML)超晶格中波红外光电二极管。经过(NH4)2S表面钝化后的Ⅳ特性曲线表明:低的正偏压下,理想因子n在2左右,势垒区的复合电流起主要作用;偏压超过0.14 V时,n在1左右,少子扩散电流占主。表面势垒区中过多的Ⅲ族元素的空位缺陷导致表面出现大量复合中心。采用阳极硫化后,表面漏电大大减小,反偏漏电流密度降低三个数量级,零偏阻抗R0达到106欧姆,R0A达到103量级。; 郭杰张小雷段剑金郝瑞亭许林; 关键词：INAS

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