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KTa_(1-x)Nb_xO_3三组分复合热释电薄膜的制备与性能研究被引量：3: 2002年; 利用多组分复合宽化铁电相变温区 ,使薄膜以高的热释电系数出现在较宽的温度范围。在BaTiO3/Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上用溶胶 -凝胶法制备了 0 .5 μmKTa1 -x NbxO3(x =0 .45 ,0 .5 0 ,0 .5 5 )三组分等厚度的复合薄膜。 0 .5 μmKTN -0 .0 8μmBT薄膜在 2 8～ 72℃温度范围内 ,1.0kHz时 ,其εr=110 0 ,tanδ =1.2 %。在室温及 12 0kV/cm下极化 3 0min后 ,0 .5 μm复合薄膜在 2 8～72℃温度范围内热释电系数出现峰值 ,平均热释电系数 p =2 .7× 10 - 6 C/cm2 ·K ,电压响应优值Fv=8.99× 10 - 1 0 C·cm/J ,探测度优值Fd=2 7.0× 10 - 8C·cm/J,该薄膜工作温度范围很宽 ,是一种优异的热释电材料。; 吴会光王世敏傅晶张刚升; 关键词：三组分钽铌酸钾

采用Sol-gel法制备梯度复合热释电薄膜被引量：1: 2006年; 以TaCl5和NbCl5为原料制备了乙醇钽和乙醇铌,对溶胶-凝胶法制备KTa1-xNbxO3薄膜的工艺过程、影响因素进行了研究,提出了优化的制备工艺,采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了组分梯度复合KTa1-xNbxO3热释电薄膜。; 董兵海王世敏许祖勋吴会光; 关键词：溶胶-凝胶法

梯度复合KTN薄膜的铁电和热释电性能研究: 2005年; 在Pt/Ti/SiO2/Si基片上采用Sol-Gel法制备了五组分成分梯度分布的KTa1-xNbxO3(x=0.55,0.525,0.50,0.425,040)热释电薄膜。测试结果表明,复合KTN薄膜具有钙钛矿型结构,0.5μmKTN薄膜在15℃至51℃温度范围内,频率1.0kHz时,平均相对介电常数εr=1075,平均介电损耗tanδ=0.011。在室温及120kV/cm下极化30m in后,0.5μm复合薄膜在15-51℃温度范围内热释电系数出现峰值,平均热释电系数为3.54×10-6C/(cm2.K),电压响应优值Fv=1.205×10-9C.cm/J,探测度优值Fd=3.768×1-7C.cm/J。该薄膜工作温度范围较宽,作为热释电材料开发应用前景十分广阔。; 董兵海王世敏许祖勋吴会光; 关键词：铁电性能

组分非梯度KTN热释电薄膜的制备及其性能研究: 为使KTN热释电薄膜能够在较宽的温度范围内有较高的热释电系数,本文在Pt/Ti/SiO2/Si基片上采用Sol-Gel法制备了两种多组分成分非梯度分布的KTN热释电薄膜.用XKD分析了薄膜的晶相结构,并研究了其铁电、介电...; 王世敏董兵海许祖勋傅晶吴会光; 关键词：KTN; 文献传递

组分非梯度KTN热释电薄膜的制备及其性能研究: 2004年; 为使KTN热释电薄膜能够在较宽的温度范围内有较高的热释电系数,本文在Pt/Ti/SiO2/Si基片上采用Sol-Gel法制备了两种多组分成分非梯度分布的KTN热释电薄膜.用XRD分析了薄膜的晶相结构,并研究了其铁电、介电和热释电性能.结果表明,两种薄膜均具有钙钛矿型结构,且均可观察到典型的电滞回线.在100kHz频率下,Ⅰ型薄膜在16～43℃,εr=332,tg δ=0.21,14～46℃平均热释电系数为3.246×10-4C/(cm2·K),计算所得Fv=3.58×10-7C·cm/J,Fd=1.42×10-5C·cm/J,Ⅱ型薄膜在17～46℃,εr=987,tgδ=0.18,14～44℃平均热释电系数为2.797×10-4C/(cm2·K),电压响应优值为1.04×10-7C·cm/J,探测度优值为7.69×10-6C·cm/J.; 王世敏董兵海许祖勋傅晶吴会光; 关键词：KTN

含萘酐蓝色发色团的共聚物的制备与性能研究: 2009年; 在钯催化下利用Heck耦合反应制备了以萘酰亚胺为发色团的共聚物,通过侧链上引入丁氧基醚链,使得聚合物具有很好的溶解度,能溶解在常用有机溶剂中.单体与聚合物结构均经1H NMR,FT-IR,并通过DSC和TGA分析表明聚合物具有较好的热稳定性,分解温度达到380℃.紫外,荧光测试表明聚合物具有较强的蓝色荧光,在光电分子传感器材料应用具有很大的发展潜力.; 刘佳王世敏杨琼峰方章建许祖勋; 关键词：萘酰亚胺荧光 HECK反应

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国家自然科学基金(59972008)