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国家电子信息产业发展基金(2004125)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：莫春兰王立江风益熊传兵方文卿更多>>
相关机构：晶能光电(江西)有限公司南昌大学更多>>
发文基金：国家电子信息产业发展基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电致发光
  • 1篇电致发光谱
  • 1篇光谱
  • 1篇硅衬底
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇衬底

机构

  • 1篇南昌大学
  • 1篇晶能光电(江...

作者

  • 1篇方文卿
  • 1篇熊传兵
  • 1篇江风益
  • 1篇王立
  • 1篇莫春兰

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管电致发光谱的干涉现象研究被引量：2
2008年
测试了硅衬底垂直结构芯片在不同空间角度上的电致发光(EL)谱.指出硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管的EL谱中多个峰型来源于干涉现象,而不是来自于多个阱层的发光.干涉峰的疏密反映p型层厚度的一致性,干涉现象的强弱反映p型欧姆接触层反光能力的强弱.芯片法线方向附近发光最强干涉现象最明显,芯片侧边的发光几乎没有干涉现象且发光强度最弱.
熊传兵江风益王立方文卿莫春兰
关键词：发光二极管电致发光
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