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中国科学院知识创新工程重要方向项目(Y072011000)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：郑柳吴海雷闫果果赵万顺董林更多>>
相关机构：中国科学院更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇碳化硅
  • 1篇4H-SIC

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇刘兴昉
  • 1篇孙国胜
  • 1篇曾一平
  • 1篇王雷
  • 1篇董林
  • 1篇赵万顺
  • 1篇闫果果
  • 1篇吴海雷
  • 1篇郑柳

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
4H-SiC同质外延层中的扩展缺陷研究被引量：1
2011年
利用自主研发的热壁低压化学气相沉积(HWLPCVD)系统,在5.08 cm(2英寸)4°偏轴4H-SiC衬底上生长4H-SiC同质外延膜。讨论了4H-SiC同质外延层中的两种扩展缺陷——彗星缺陷和胡萝卜缺陷,研究了这两种缺陷的起源与消除方法。研究发现采用化学机械抛光(CMP)方法可以有效去除扩展缺陷,提高外延膜的质量。另外,提高衬底质量和优化生长条件也可以消除这两种扩展缺陷。
闫果果孙国胜吴海雷王雷赵万顺刘兴昉董林郑柳曾一平
关键词：碳化硅
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