国家教育部博士点基金(20070141062)
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 相关作者：黄明亮陈雷达周少明柏冬梅赵宁更多>>
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- 相关领域：化学工程电子电信更多>>
- 电迁移对Ni/Sn/Ni-P焊点界面反应的影响被引量：2
- 2012年
- 研究了温度为150℃,电流密度为5.0×103A/cm2的条件下电迁移对Ni/Sn/Ni-P(Au)线性接头中界面反应的影响。结果表明电流方向对Ni-P层的消耗起着决定作用。当Ni-P层为阴极时,电迁移加速了Ni-P层的消耗,即随着电迁移时间的延长,Ni-P层的消耗显著增加;电迁移100h后Ni-P层消耗了5.88μm,电迁移200h后Ni-P层消耗了13.46μm。在Sn/Ni-P的界面上形成了一层Ni2SnP化合物而没有观察到Ni3Sn4化合物的存在,多孔状的Ni3P层位于Ni2SnP化合物与Ni-P层之间。当Ni-P层为阳极时,在电迁移过程中并没有发现Ni-P层的明显消耗,在Sn/Ni-P的界面处生成层状的NiSn化合物,其厚度随着电迁移时间的延长而缓慢增加,电迁移200h后NiSn层的厚度达到1.81μm。
- 陈雷达周少明黄明亮
- 关键词：电迁移NI-PNI金属间化合物
- 钎焊及时效过程中化学镀Ni-P与Sn-3.5Ag的界面反应被引量：1
- 2010年
- 研究磷含量为6.5%(质量分数)的化学镀Ni-P薄膜与Sn-3.5Ag钎料合金之间的润湿行为,以及Sn-3.5Ag/Ni-P焊点在钎焊和时效过程中的界面反应。结果表明:250℃时,直径为(2.3±0.06)mm的Sn-3.5Ag焊球在化学镀Ni-6.5%P薄膜上钎焊后得到的润湿角约为44,铺展率约为67%;焊点界面由Ni3Sn4IMC层、及较薄的Ni-Sn-P过渡层构成Ni3P晶化层;钎焊过程中界面Ni3Sn4IMC的生长速率与钎焊时间t1/3呈线性关系;时效过程中界面Ni3Sn4IMC及富P层的生长速率与时效时间t1/2呈线性关系。
- 黄明亮柏冬梅
- 关键词：钎焊时效
- 分步法电镀制备的Au-Sn共晶凸点的微观组织
- 2012年
- 研究金属离子与络合剂摩尔浓度比、pH值及电镀温度对Au、Sn镀层表面形貌及其镀速的影响。通过分步法电镀Au/Sn/Au三层结构薄膜,并回流制备Au-Sn共晶凸点。结果表明:镀Au过程中,随着Au离子与亚硫酸钠摩尔浓度比的增加,Au镀层晶粒细化,并在摩尔浓度比为1:6时获得了最快的沉积速度;当电镀温度较低时,镀Au层表面呈多孔状,随着温度的升高,镀层致密性增加,晶粒也趋于圆滑。镀Sn过程中,随着Sn离子与焦磷酸钾摩尔浓度比的增大,镀层表面起伏加剧,镀层孔洞增多。当pH值为8.0时,镀层平整致密,随着pH值的增高,析氢反应加剧,Sn离子水解,导致镀层质量下降。运用分步法电镀制备的Au/Sn/Au三层结构薄膜均匀,回流得到了具有典型共晶组织的Au-Sn凸点。
- 潘剑灵黄明亮赵宁
- 关键词：共晶组织凸点
