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RAS在线监测AlGaAs的MOCVD生长(英文)被引量：1: 2011年; 通过瞬态反射各向异性谱和瞬态反射谱在线监测和研究了AlxGa1-xAs的生长过程,利用金属有机化合物汽相淀积技术在GaAs(001)衬底上生长了多层AlxGa1-xAs结构。选择最适合在线监测生长过程的探测光能量,在此探测光能量处所得到的反射各向异性谱和反射谱的信号在生长过程中有很明显的振荡行为产生。研究发现,通过瞬态反射各向异性谱可以很好地分辨出由表面引起的光学各向异性和由界面处引起的光学各向异性,能够得到界面处形成缺陷的信息,并且发现了反射各向异性谱和反射谱的信号随着铝组分的不同而发生有规律的变化。; 徐华伟张金龙宁永强曾玉刚张星

微型铷原子钟专用795nm垂直腔表面发射激光器被引量：10: 2014年; 针对铷(87 Rb)原子钟激励光源微型化和高温工作的特殊需求,设计并制备了对应铷原子能级跃迁的795nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)。首先,根据k·p理论计算了InAlGaAs/AlGaAs量子阱的价带能级和材料增益,得到最优的量子阱组分和厚度;然后,采用一维传输矩阵方法设计了795nm波段的布拉格反射器(DBR),根据完整结构VCSEL器件的驻波场分布设计了掺杂分布;最后,采用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了优化的795nm VCSEL外延结构,并制备了氧化限制型非闭合台面结构的795nm顶发射器件。实验显示:封装后的75μm口径器件可在室温至85℃范围内连续工作,最高功率为17mW,激光光束呈圆形,发散角为15°,激射波长的温漂系数为0.064nm/℃;在温度为52℃、注入电流为100mA时,激射波长位于794.7nm(对应铷原子钟需要的波长),基本满足铷原子钟激励光源对波长稳定和高温工作的要求。; 张建宁永强张建伟张星曾玉刚王立军; 关键词：垂直腔面发射激光器高温

非对称电流注入对矩形台面激光器的偏振分析被引量：5: 2015年; 为了获得高稳定性的偏振光,研制了氧化孔区域为70 mm×10 mm的非对称电流注入的矩形台面垂直腔面发射激光器(ACIR-VCSEL)。在室温下,注入连续直流电流,实验测试得到ACIR-VCSEL的斜率效率为0.483 W/A,微分串联电阻为23.5 W。在电流注入过程中,ACIR-VCSEL以稳定的平行于长边的偏振光输出,功率偏振比始终大于5。当电流为15 m A时,功率偏振比的最大值为14。在相同的测试条件下,氧化孔径大小同为70 mm×10 mm的环形电流注入矩形台面VCSEL(RCIR-VCSEL)的斜率效率为0.568 W/A,微分串联电阻为18.1 W,偏振功率比值最大值为9,最小值为2.6。RCIR-VCSEL与ACIR-VCSEL的输出特性相比,虽然RCIR-VCSEL比ACIR-VCSEL的斜率效率高,串联微分电阻小,但是ACIR-VCSEL的偏振稳定性和最大偏振比值比RCIR-VCSEL增强。; 李秀山宁永强崔锦江张星贾鹏黄佑文钟础宇秦莉刘云王立军; 关键词：激光器垂直腔面发射激光器偏振

1060nm高功率垂直腔面发射激光器的有源区设计(英文)被引量：4: 2012年; 对1 060 nm高功率垂直腔面发射激光器的有源区进行了理论计算和设计。对比了GaAsP、GaAs和AlGaAs三种不同材料的垒层所组成的高应变InGaAs量子阱的性能。为了确定有源区阱层和垒层的参数,考虑了自热效应对功率的影响,使得模型更加精确可靠。发现所设计的In0.28Ga0.72As量子阱的阱宽和阱数的最佳值分别为9 nm和3个,输出功率可以达到瓦级。另外,对比了三种不同垒层的温度特性,结果显示,使用GaAsP垒层的器件在高温下具有更高的功率和更好的温度稳定性。最后,利用MOCVD生长了InGaAs/GaAsP量子阱并测试了其PL谱,实验数据与理论结果符合得很好。; 张立森宁永强曾玉刚张艳秦莉刘云王立军曹军胜梁雪梅; 关键词：垂直腔面发射激光器瓦级 INGAAS

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国家自然科学基金(51172225)