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天津市自然科学基金(043602511)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：孙文秀刘彩池姚素英张建强郝秋艳更多>>
相关机构：天津大学河北工业大学更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇微缺陷
  • 1篇CZSI
  • 1篇FPDS
  • 1篇VOID

机构

  • 1篇河北工业大学
  • 1篇天津大学

作者

  • 1篇郝秋艳
  • 1篇张建强
  • 1篇姚素英
  • 1篇刘彩池
  • 1篇孙文秀

传媒

  • 1篇南开大学学报...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
掺杂剂种类对大直径直拉硅单晶中void微缺陷的影响
2006年
研究了掺杂剂原子种类及快速热处理技术对大直径直拉硅单晶中空洞型微缺陷密度的影响.实验结果发现,掺入半径较大杂质原子的硅片,空洞型微缺陷密度相对较高,掺入半径较小杂质原子的硅片,空洞型微缺陷的密度相对较低.高温快速热处理后,硅片中FPD s的密度都有很大程度降低,而A r气氛退火对vo id微缺陷密度的影响要优于N2气氛.轻掺B硅片在O2气氛退火后FPD s密度下降最多,而重掺Sb硅片在O2气氛退火后FPD s密度下降最少.
郝秋艳孙文秀刘彩池张建强姚素英
关键词：CZSIFPDS
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